首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> t-flash

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應用

  • 隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
  • 關鍵字： Flash  NAND  02A  1FT    

如何將“壞塊”進行有效利用

  • 　　被廣泛應用于手機、平板等數(shù)碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進行有效的利用，從而滿足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。 　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
  • 關鍵字： Nand Flash  寄存器  

提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命的方法

  • 摘要在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備E
  • 關鍵字： MSP430G  單片機  Flash    

關于單片機中的flash和eeprom

  • FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，F(xiàn)LASH的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
  • 關鍵字： 單片機  flash  eeprom  

NAND FLASH扇區(qū)管理

  • 首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
  • 關鍵字： Flash  NAND  扇區(qū)管理  

JEDEC標準(JESD216)S FDP對串行Flash在系統(tǒng)中的應用

  • JEDEC標準(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數(shù)表的結構、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)設計中的具體應用。
  • 關鍵字： JEDEC  Flash  JESD    

TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設計

  • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設計,摘要 為實現(xiàn)數(shù)字信號處理器的加栽，介紹了TMS320C6455的各種加載模式，尤其是對外部ROM的引導方式，以及一種無需數(shù)據(jù)轉換即可通過數(shù)據(jù)加載將用戶程序寫入Flash的方法。以TMS320C6455為例，同時結合LED燈閃爍實例驗證
  • 關鍵字： DSP  加栽模式  二次加載  Flash  

三星、東芝競擴產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成

  • 全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機構IHS iSuppli最
  • 關鍵字： 三星  東芝  NAND  Flash   

NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

  • 我們使用的智能手機除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢，這就是我
  • 關鍵字： NOR flash  Nand flash  FlaSh  

DSP硬件設計需要知道的注意事項

  • 數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設備，通過CMOS處理技術，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了DSP
  • 關鍵字： 硬件設計  FlaSh  DSP  

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

  • 使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
  • 關鍵字： Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

NAND Flash合約價 恐一路跌到年底

  • 市調(diào)機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，采購意愿薄弱，
  • 關鍵字： NAND  Flash   

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉

  • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉,關于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點，他們強調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
  • 關鍵字： 燒錄  SmartPRO 6000  Nand Flash  

東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣

  • 　　據(jù)海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖)，且開始進行送樣。 　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術，并自今日起領先全球同業(yè)開始進行樣品出貨，且預計將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進行生
  • 關鍵字： 東芝  Flash   

全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  • 　　許多廠商開始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長 　　在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段： 　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
  • 關鍵字： Flash  存儲器  
共502條 9/34 |‹ « 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 » ›|

t-flash介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條t-flash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對t-flash的理解，并與今后在此搜索t-flash的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

T-Flash    樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473