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SSD 2年內(nèi)價格砍半 每GB首度跌破0.5美元
- 次世代資料儲存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場價格,2年內(nèi)下滑一半。由于NAND Flash產(chǎn)能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構(gòu)NAND Flash量產(chǎn)行列,皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價格下滑,SSD應(yīng)用范圍逐漸擴大,有加速普及的傾向。 據(jù)韓聯(lián)社引用市調(diào)機構(gòu)IHS資料報導(dǎo),256GB的SSD 2014年第3季平均售價(ASP)為124美元,比2013年同期171美元下跌27.5%,與2012年同期價格226美元相比,跌幅更達45.1%,意即最近2年內(nèi)SSD價格幾乎砍
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臺內(nèi)存大廠揮軍日本 直闖工控和車用市場
- 征戰(zhàn)海外展覽的臺灣內(nèi)存大廠,終于在日本找到了機會。
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六大NAND Flash廠商:東芝最“吸金”
- 2014第三季度 NAND Flash廠商營收排名出爐,其中東芝最為亮眼,原因是因為它最漲勢最猛。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 東芝 三星
美光咬蘋果大單 力成同樂
- 蘋果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機后,今年底或明年初,將緊接推出Apple Watch智能手表,目前正展開一波拉貨,力成最大客戶美光傳出大啖蘋果Apple Watch存儲器絕大部分訂單,力成受惠度看漲,也激勵今天股價逆勢上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤間的狹幅震蕩。 據(jù)了解,Apple Watch采用512MB LPDDR3,內(nèi)建4GB或8GB容量的NAND Flash,美光包辦絕大部分的訂單,而在下游后段封測代工制程方面,目前多半由力成與華東共同負責,由于測試時
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臺IC設(shè)計前3季 聯(lián)發(fā)科穩(wěn)居每股獲利王 敦泰群聯(lián)位居二三名
- IC設(shè)計第3季財報全數(shù)公布完畢,累計前3季,聯(lián)發(fā)科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元,穩(wěn)居IC設(shè)計每股盈余獲利王,也是稅后凈利獲利王,其次是觸控IC廠F-敦泰(5280-TW),前3季每股稅后盈余為13.67元,排名第二,第三名則是FLASH控制晶片廠群聯(lián)(8299-TW),前3季每股盈余為13.34元,排名第三。 根據(jù)公開資訊站資料顯示,聯(lián)發(fā)科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩(wěn)居IC設(shè)計之冠,表現(xiàn)亮眼,顯示行動裝置需求持續(xù)升溫,第3季旺季效應(yīng)加持發(fā)威下,相關(guān)廠商營運表現(xiàn)都相當亮眼,聯(lián)發(fā)科第
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下游需求高企 2014年中國內(nèi)存芯片市場將占全球兩成
- TrendForce最新研究報告顯示,隨著中國市場近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開放,GDP成長率呈現(xiàn)高度的成長,所伴隨而來的就是驚人的消費潛力,無論是PC、智能型手機與平板市場都把中國市場列入第一戰(zhàn)區(qū)。TrendForce旗下權(quán)威內(nèi)存研究機構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示,以2Gb顆粒來換算,2014年中國市場在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達47.89億與70.36億,分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。 從DRAM市場來觀察,PC-DRAM在中國市場的消化量已經(jīng)來到15%,內(nèi)需市場的強勁
- 關(guān)鍵字: 內(nèi)存 DRAM Flash
基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設(shè)計與實現(xiàn)
- 引言 FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區(qū)別,使用FLASH時必須根據(jù)其自身特性,對存儲系統(tǒng)進行特殊設(shè)計,以保證系統(tǒng)的性能達到最優(yōu)。 FLASH的特點 FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory),根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
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OEM需求拉貨動能增溫,第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%
- 第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進入出貨旺季的帶動下,eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年,NAND Flash價格表現(xiàn)也相對穩(wěn)健,使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流,有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善,而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問世,整體N
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提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命方法
- 在嵌入式設(shè)計中,許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數(shù)據(jù),MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash,可用于存儲非易失性數(shù)據(jù),但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距,所以在實際應(yīng)用中,這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應(yīng)
- 關(guān)鍵字: MSP430 Flash EEPROM
FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少
- 由于航天應(yīng)用對可靠性提出了更高的要求,這是與一般的FPGA開發(fā)最大的不同。當高能粒子撞擊可編程邏輯器件時,撞擊的能量會改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù),使系統(tǒng)運行到無法預(yù)知的狀態(tài),從而引起整個系統(tǒng)失效。這在航天設(shè)備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA與以SRAM為基礎(chǔ)的FPGA相比,在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢,可靠性高。 ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應(yīng)商。它提供了多種服務(wù),包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開發(fā)工具和設(shè)計服務(wù),定位
- 關(guān)鍵字: FPGA FLASH 反熔絲
一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計方法
- 摘要:提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計方法,并完成了設(shè)計和仿真。 關(guān)鍵詞:微控制器 在線仿真 開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM 由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級,MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴展, 因此往往需要對最初的設(shè)計進行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比,最大的優(yōu)點就在于可進行高達上萬次的擦寫操作,順應(yīng)了MCU功能不斷修改的需求;另一方面,F(xiàn)lash MCU市場價格也在不斷下降。因此,許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對于F
- 關(guān)鍵字: MCU Flash 仿真器
終端需求多元化帶動NAND Flash市場穩(wěn)健增長
- TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩(wěn)健增長,固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加,而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元,年增長9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2014年NANDFlash需求位增長率為36%,在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 穿戴性裝置
基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計
- 摘要:本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時,采用SWI軟中斷的方法實現(xiàn)同時寫片外FLASH的例子,詳細講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。 1 背景描述 筆者在設(shè)計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核,帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH,98k字節(jié)的片內(nèi)RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關(guān)鍵字: ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
上海海爾:向通用MCU進發(fā)
- 今年上半年,上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機產(chǎn)品,有其自主知識產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列,還有新的觸摸按鍵芯片等,容量涵蓋0.5~64kB,管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計提供了多樣選擇。 專注于專用MCU的上海海爾,為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下,上海海爾的愿景是什么? 處于從專用向通用MCU升級的開端 MCU(單片機,微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機,而日本、
- 關(guān)鍵字: 海爾 MCU Flash 201408
t-flash介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對t-flash的理解,并與今后在此搜索t-flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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