如何正確選擇ARM核心板、ARM工控板的存儲類型？
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隨著嵌入式行業(yè)的快速發(fā)展，ARM核心板、ARM工控板得到越來越廣泛的應用。ARM核心板將主控制器（MPU）、內存、存儲、電源管理等關鍵器件打包成的一個最小系統(tǒng)，完善的操作系統(tǒng)及驅動可以極大縮短項目開發(fā)周期。本文將簡單闡述如何正確選擇合適的存儲類型。
當前ARM核心板所用到的存儲（電子硬盤）大體分為兩類：Nand flash和eMMC。Nand flash存儲器是flash存儲器的一種，使用復雜的I/O口來串行地存取數(shù)據，各個產品或廠商的方法可能各不相同 ，一般是8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據信息。
eMMC 本質上還是Nand flash ，eMMC=Nand flash +閃存控制芯片+標準接口封裝，其內部集成的閃存控制器具有讀寫協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ECC校驗、電源管理、時鐘管理、數(shù)據存取等功能，極大降低了Nand-flash的使用難度。
一般來講，當主控制性能較低時（如ARM9、Cortex-A7），其所搭配的存儲容量也較低，在256M、512M時通常選擇Nand flash。當主控制性能較高時（如Cortex-A9、Cortex-A53），其所搭配的存儲容量也較高，在4GB、8GB甚至32GB時eMMC將更具性價比。
只知道Nand flash和eMMC之間的簡單區(qū)別，還不足以選擇好存儲，接下來我們看一下Nand flash閃存顆粒對性能、安全及價格方面的影響。
Nand flash閃存顆粒主要包括四種類型：SLC、MLC、TLC、QLC。
- 第一代SLC（Single-Level Cell）每單元可存儲1比特數(shù)據(1bit/cell)，性能好、壽命長，可經受10萬次編程/擦寫循環(huán)，但容量低、成本高，市場上用的比較少；
- 第二代MLC（Multi-Level Cell）每單元可存儲2比特數(shù)據(2bits/cell)，性能、壽命、容量、成各方面比較均衡，可經受1萬次編程/擦寫循環(huán)，目前主流的核心板廠商大都配置該類型的存儲；
- 第三代TLC（Trinary-Level Cell）每單元可存儲3比特數(shù)據(3bits/cell)，性能、壽命變差，只能經受3千次編程/擦寫循環(huán)，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，大多數(shù)固態(tài)硬盤的選擇；
- 第四代QLC（Quad-Level Cell）每單元可存儲4比特數(shù)據(4bits/cell)，性能、壽命進一步變差，只能經受1000次編程/擦寫循環(huán)，但是容量更容易提升，成本也繼續(xù)降低。
綜合以上情況，若是用于一般性工業(yè)或商業(yè)應用的ARM核心板，搭載性價比較高的MLC NAND即可；若項目對數(shù)據、系統(tǒng)的要求極高，則需要選擇SLC存儲方案的ARM核心板，最大程度的降低因存儲導致的系統(tǒng)崩潰或關鍵數(shù)據丟失。
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