- 所謂外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM（SRAM）。外部SRAM存儲器也有不少種類。對于外部SRAM的選擇是由應用需求的性質決定的。使用外部SRAM存儲器既有優(yōu)點又有缺點。
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SRAM 存儲器 RAM FPGA
- 當你打開任何智能電子設備(從老式的電視遙控器到全球定位系統(tǒng))，會發(fā)現(xiàn)幾乎所有的設備都至少采用了一個微控制器(MCU)，很多設備里還會有多個微控制器。MCU往往被用于專用的終端產品或設備中，它能夠很好地完成特殊任務。另一方面，PC的大腦，即微處理器被設計用于實現(xiàn)許多通用的功能。微控制器可用于降低成本，加固工業(yè)和自動化應用，將其嵌入FPGA中時，還可以通過重新編程迅速改變功能。這種靈活性使得單個設備可應用于接口標準不同的多個市場。
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微控制器 SRAM FPGA
- 介紹一種采用單片SRAM和FPGA實現(xiàn)紅外圖像顯示的新方案，并對顯示系統(tǒng)結構、FPGA各功能模塊設計、SRAM的讀/寫時序設計進行了詳細論述。該圖像顯示方案可用于紅外圖像處理系統(tǒng)的硬件調試和紅外圖像處理效果觀測。
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紅外圖像顯示 SRAM FPGA
- 一. 引言 目前，嵌入式系統(tǒng)已經滲透到各個領域：工業(yè)控制，軍事國防，消費類電子產品，網絡通信等，但大部分領域的應用都是基于國外各大廠商的嵌入式處理器。在嵌入式領域使用國產芯片，走國產化道路已經成為一個迫切需要解決的問題。目前國內的芯片主要有星光系列、漢芯系列、神威系列、青鳥嵌入式芯片、方舟系列、龍芯系列等，這些芯片各有自己的特點。 本設計采用了龍芯系列的GS32I SoC處理器，探討并設計如何構造一個小型嵌入式硬件系統(tǒng)，同時兼顧科研與應用兩方面的要求，在該平臺的基礎上可以連接各
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GS32I SRAM
- 在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車技術日”上，ISSI技術市場經理田步嚴介紹了車用存儲器市場，包括：信息娛樂、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類。
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汽車 SRAM DRAM SDRAM e.MMC 201704
- 在本系列第二部分，我們探討了總線轉換、總線翻轉、地址奇偶校驗等重要的總線問題。在第三也是最后一部分，我們將探討校正問題，其中包括矯正訓練、控制/地址信號校正和讀寫校正，以及糾錯碼(ECC)和QDR-IV存儲器控制器的設計建議?！ ⌒Ｕ柧毿蛄小 〈鎯ζ骺刂破骱蚎DR IV較高的工作頻率意味著數據有效窗口很窄。QDR-IV器件支持“校正訓練序列”，它可通過減少字節(jié)通道之間的偏差擴大這個窗口，從而在控制器讀取存儲器的數據時，增加時序余量。校正訓練序列是賽普拉斯的QDR-IV SRAM的
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QDR-IV SRAM
- 總線轉換的注意事項 總線轉換時間非常重要，其決定了讀和寫指令間是否需要額外的間隔來避免在同一個I/O 端口上發(fā)生總線沖突?！ ∠胂笙翾DR-IV HP SRAM 中端口A 先后收到寫指令和讀指令。從CK 信號的上升沿(與初始化寫指令周期相對應)算起，在整整三個時鐘周期后向DQA 引腳提供寫數據。讀數據則將在下一個周期發(fā)送，因為 DQ從CK 信號的上升沿(與初始化讀指令的周期相應)算起五個時鐘周期后才能獲得數據。
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QDR-IV SRAM
- 流媒體視頻、云服務和移動數據推動了全球網絡流量的持續(xù)增長。為了支持這種增長，網絡系統(tǒng)必須提供更快的線路速率和每秒處理數百萬個數據包的性能。在網絡系統(tǒng)中，數據包的到達順序是隨機的，且每個數據包的處理需要好幾個存儲動作。數據包流量需要每秒鐘訪問數億萬次存儲器，才能在轉發(fā)表中找到路徑或完成數據統(tǒng)計?！ 祿俾逝c隨機存儲器訪問速率成正比。如今的網絡設備需要具有很高的隨機訪問速率(RTR)性能和高帶寬才能跟上如今高速增長的網絡流量。其中，RTR是衡量存儲器可以執(zhí)行的完全隨機存儲(讀或寫)的次數，即隨機存儲速
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QDR-IV SRAM
- 在過去40年里，隨著制造工藝的進步，各種專用存儲設備不斷推向市場，滿足著不同系統(tǒng)的存儲需求。眾多的選擇，意味著系統(tǒng)架構師和設計者可以同時考慮多種方案，根據應用選擇合適的存儲子系統(tǒng)。尤其是在網絡應用方面，架構師面臨著不斷增加的網絡流量所帶來的挑戰(zhàn)?！ 烙?，2015年到2020年期間，網絡流量的年均復合增長率(CAGR)將達到22%，這一增長主要來自于無線設備的爆炸式增長以及不斷增加的視頻用量。由于數據包處理的隨機性，網絡傳輸的關鍵—路由器和交換機的性能將和所使用的存儲子系統(tǒng)的隨機存取性能(以隨機存取
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MAC SRAM
- STM32的基本系統(tǒng)主要涉及下面幾個部分： 一、電源 1)、無論是否使用模擬部分和AD部分，MCU外圍出去VCC和GND，VDDA、VSSA、Vref(如果封裝有該引腳)都必需要連接，不可懸空; 2)、對于每組對應的VDD和GND都應至少放置一個104的陶瓷電容用于濾波，并接該電容應放置盡量靠近MCU; 3)、用萬用表測試供電電壓是否正確。調試時最好用數字電源供電，以便過壓或過流燒壞板子。電壓最好一步一步從進線端測試到芯片供電端?！ 《?、復位、啟動選擇 1)、Boot引腳與JTAG無
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STM32 SRAM
- 針對嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結構和存儲陣列分塊譯碼結構，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設計。
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SRAM DBL 64 kb
- 由于SDRAM本身就是一個比較復雜的東西，之前小墨在學這方面東西的時候感覺很是吃力，于是那時候便暫時放下了，知道年后這段時間，小墨又重新拾起這個知識點，想要一口氣把它調通了，再往下看其他的東西。學SDRAM，理
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fpga sram
- 具有片上錯誤校正代碼的低功耗MoBL器件橫空出世。與沒有ECC功能的SRAM相比，16 Mb SRAM的數據可靠性提高了幾千倍，同時可延長手持式設備的電池工作時
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賽普拉斯 SRAM MoBL
- 上世紀90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨立式SRAM供應商帶來“滅頂之災”。最大的SRAM市場(PC 高速緩存)一
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可穿戴設備 物聯(lián)網 SRAM
- RAMRAM是指通過指令可以隨機的、個別的對各個存儲單元進行訪問的存儲器，一般訪問時間基本固定，而與存儲單元地址無關。RAM的速度比較快，但其保
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SRAM DRAM SDRAM 比較
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [
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