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臺積電率先推出28納米低耗電平臺
- 臺灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領先專業(yè)積體電路制造服務領域,成功開發(fā)28納米低耗電技術,同時配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝,將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride,SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝,使得半導體可以持續(xù)往先進工藝技術推進。此一工藝技術的優(yōu)勢還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過驗證的傳統(tǒng)類比/射頻/電子熔線(analog
- 關鍵字: 臺積電 SRAM 28納米 低耗電 氮氧化硅 多晶硅
基于FPGA的mif文件創(chuàng)建與使用

- 1 引言 在一些需要特殊運算的應用電路中,只讀存儲器ROM是關鍵元件,設計人員通常利用ROM創(chuàng)建各種查找表,從而簡化電路設計,提高電路的處理速度和穩(wěn)定性。FPGA是基于SRAM的可編程器件。掉電后FPGA上的配置信息將全部丟失,所以由FPGA構造的數字系統(tǒng)在每次上電后要依賴于外部存儲器來主動配置或在線被動配置。真正意義上的ROM應具有掉電后信息不丟失的特性,因此利用FPGA實現(xiàn)的ROM只能認為器件處于用戶狀態(tài)時具備ROM功能。使用時不必要刻意劃分,而ROM單元的初始化則是設計人員必須面對的問題。
- 關鍵字: FPGA ROM mit文件 SRAM
IBM已生產出首個22納米工藝SRAM芯片
- IBM周一宣布,已生產出首個22納米工藝SRAM(靜態(tài)存儲器)單元。 據國外媒體報道,SRAM芯片是半導體產業(yè)試驗新工藝的設備,速度更快、體積更小且技術更復雜,主要負責在數據被處理之前暫時存儲數據。 IBM認為SRAM芯片的生產是縮小整個微處理器體積的重要一步。SRAM芯片將使22納米處理器性能大幅提高,并減少耗電。 IBM希望,到2011年能夠制造出22納米制程處理器。IBM研究機構副總裁陳博士表示:“隨著處理器內核數量增多,人們對微處理器中存儲器的需求也在日漸增加。為
- 關鍵字: IBM SRAM 靜態(tài)存儲器 22納米
FPGA應用愈加廣泛 行業(yè)演進呈現(xiàn)三大趨勢
- FPGA(現(xiàn)場可編程邏輯器件)產品的應用領域已經從原來的通信擴展到消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、測試測量等廣泛的領域。而應用的變化也使FPGA產品近幾年的演進趨勢越來越明顯:一方面,F(xiàn)PGA供應商致力于采用當前最先進的工藝來提升產品的性能,降低產品的成本;另一方面,越來越多的通用IP(知識產權)或客戶定制IP被引入FPGA中,以滿足客戶產品快速上市的要求。此外,F(xiàn)PGA企業(yè)都在大力降低產品的功耗,滿足業(yè)界越來越苛刻的低功耗需求。 第一時間采用新工藝提升性能降低成本 半導體產品的集成度和成本
- 關鍵字: FPGA ASIC SRAM 低功耗
利用永久性存儲器實現(xiàn)智能汽車功能的全面調用

- 假設8個月前你駕車駛上了一個帶急轉彎的高速公路坡道。由于轉彎時速度太快,汽車自動采取了主動安全和懸掛措施來避免駛離道路。 主動安全措施包括汽車制動、電子穩(wěn)定控制和安全帶的預拉。智能汽車可以記憶曾采取的主動安全措施以及當時的速度、GPS位置和軸承的情況。 現(xiàn)在假設你的配偶正在前述坡道上駕車行駛,但這次是在下雨天。通過調用8個月前記憶的坡道位置和車輛軸承情況,以及了解當前路況的濕滑程度,智能汽車能提前采取正確措施來防止汽車滑出坡道并撞上迎面而來的卡車。 上述事例展示了全面調用(total
- 關鍵字: 存儲器 智能汽車 SRAM 導航 電子穩(wěn)定控制
高速數據采集系統(tǒng)中的存儲與傳輸控制邏輯設計

- 隨著信息科學的飛速發(fā)展,數據采集和存儲技術廣泛應用于雷達、通信、遙測遙感等領域。在高速數據采集系統(tǒng)中,由ADC轉換后的數據需要存儲在存儲器 中,再進行相應的處理,保證快速準確的數據傳輸處理是實現(xiàn)高速數據采集的一個關鍵。由于高速ADC的轉換率很高,而大容量RAM相對ADC輸出速度較慢, 保持高速數據存儲過程的可靠性、實時性是一個比較棘手的問題。對于數據采集系統(tǒng)中的大容量高速度數據存儲、傳輸,本文提出一種基于FPGA的多片RAM實 現(xiàn)高速數據的存儲和傳輸的方案,并應用于1GS/s數據采集系統(tǒng)中,實現(xiàn)了以低
- 關鍵字: 數據采集 存儲 傳輸 ADC SRAM RAM FIFO
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