瑞薩推出高速SRAM*1產(chǎn)品系列

　　瑞薩科技公司(以下簡稱“瑞薩”)宣布推出面向新一代通信網(wǎng)絡(luò)內(nèi)高端路由器和交換機(jī)使用的高速SRAM*1產(chǎn)品系列。這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟*2行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求，還實現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+(QDRTM II+)和雙數(shù)據(jù)速率II+(DDRII+)的業(yè)內(nèi)最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整個器件系列(具有多種速度和配置)將于2009年8月在日本開始陸續(xù)進(jìn)行銷售。

　　新產(chǎn)品特性如下：

　　(1) 業(yè)內(nèi)最高的工作速度：533 MHz(QDRII+和DDRII+ SRAM)和333 MHz(QDRII和DDRII版);

　　瑞薩大幅提高了新產(chǎn)品的工作速度，同時還通過利用先進(jìn)的45nm生產(chǎn)工藝而保持了低壓操作。QDRII SRAM產(chǎn)品實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的工作速度——333 MHz，QDRII+ SRAM產(chǎn)品也達(dá)到了業(yè)內(nèi)最高的工作速度——533 MHz。這些器件可以支持高端路由器與交換機(jī)(其支持10G、40G和容量更大的多層通信系統(tǒng))內(nèi)的分組查找和包緩沖器應(yīng)用所需的高速處理。

　　(2) 大量72Mb器件;

　　瑞薩將為3種數(shù)據(jù)I/O寬度(9、18或36位)和2種突發(fā)長度(2或4字)的產(chǎn)品提供支持。此外，瑞薩還提供具有內(nèi)置式ODT(晶片上終端電阻)功能的產(chǎn)品，極大地降低了高速操作過程中可能發(fā)生的信號質(zhì)量下降。瑞薩豐富的QDRII、DDR II、QDRII+和DDRII+ SRAM產(chǎn)品系列使得用戶能夠選擇最符合其系統(tǒng)要求的解決方案。

　　< 產(chǎn)品背景資料 >

　　隨著互聯(lián)網(wǎng)的日益普及，傳輸速度和發(fā)送到通信設(shè)備的信息量也在不斷增加，并且數(shù)據(jù)速率現(xiàn)在已經(jīng)超過了40Gb/s。檢查數(shù)據(jù)終點(diǎn)和管理高端網(wǎng)絡(luò)設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)包流量的需要不斷推動著對具有高速操作功能的大密度存儲器需求的增長。并且，數(shù)據(jù)復(fù)雜度也隨視頻、語音和數(shù)據(jù)應(yīng)用而不斷增加，從而需要更大的存儲容量。

　　目前，瑞薩提供了大量面向工業(yè)應(yīng)用和UNIX*3服務(wù)器與工作站內(nèi)高速緩沖存儲器的SRAM、18Mb網(wǎng)絡(luò)SRAM以及面向通信設(shè)備的36Mb DDRII與QDRII SRAM。隨著網(wǎng)絡(luò)設(shè)備性能和功能的不斷提高，瑞薩利用其設(shè)計專長和生產(chǎn)技術(shù)為72Mb QDRII與QDRII+ SRAM產(chǎn)品實現(xiàn)了更高的速度和高可靠性，從而滿足了通信應(yīng)用對高速、大容量和大位寬度的需求。

　　< 產(chǎn)品詳情 >

　　新產(chǎn)品均提供所有突發(fā)長度和位寬度組合，并且標(biāo)準(zhǔn)HSTL(高速晶體管邏輯)接口用于超高速同步SRAM.

　　新產(chǎn)品采用165-引腳塑料FBGA封裝，尺寸為15 mm × 17 mm，具有出色的散熱特性，適于大密度安裝。這些產(chǎn)品符合RoHS指令*4的要求，還提供無鉛版本。QDR引腳配置支持將來向高達(dá)288Mb的密度無縫移植。并且，采用FBGA封裝的產(chǎn)品支持IEEE標(biāo)準(zhǔn)測試存取端口和邊界掃描架構(gòu)(IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1-1990)，能夠在板級模塊安裝過程中實現(xiàn)交叉連接檢查。

　　對于將來該領(lǐng)域的開發(fā)，瑞薩制定了長遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃，并致力于開發(fā)容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM產(chǎn)品以支持不斷變化的用戶需求。