摘 要：文章中提出了一種應用于FPGA 的嵌入式可配置雙端口的塊存儲器。該存儲器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態(tài)下，可對所有存儲單元進行清零，且編程后為兩端口獨
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FPGA SRAM 嵌入式
摘 要：文章中提出了一種應用于FPGA 的嵌入式可配置雙端口的塊存儲器。該存儲器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態(tài)下，可對所有存儲單元進行清零，且編程后為兩端口獨立
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FPGA SRAM 嵌入式
瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進行觀測并實施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當設定針對RTN的設計余度。該公司已在ldquo
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SRAM RTN 模擬 方法
RAM業(yè)界的領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速? (QDR?) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產(chǎn)品是其65-nm SRAM 系列產(chǎn)品中的最新成員。這些新的存儲器件完善了業(yè)界最寬的65-nm同步SRAM產(chǎn)品線，最高容量可達144Mbit，速度最快可達550MHz。賽普拉斯擁有專利的工藝技術最多可將90-nmSRAM的功耗降低50%，引領了“綠色”網(wǎng)絡架構(gòu)應用的新潮流。
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賽普拉斯 SRAM
隨著集成電路的密度和工作頻率按照摩爾定律所描述的那樣持續(xù)增長，使得高性能和低功耗設計已成為芯片設計的主流。在微處理器和SoC中，存儲器占據(jù)了大部分的芯片面積，而且還有持續(xù)增加的趨勢。這使存儲器中的字線長度和位線長度不斷增加，增加了延時和功耗。因此，研究高速低功耗存儲器的設計技術對集成電路的發(fā)展具有重要意義。對SRAM存儲器的低功耗設計技術進行研究，在多級位線位SRAM結(jié)構(gòu)及工作原理基礎上，以改善SRAM速度和功耗特性為目的，設計了基于位線循環(huán)充電結(jié)構(gòu)的雙模式自定時SRAM，其容量為8K×32 b。 關鍵字：
定時 電路設計 模式 SRAM 循環(huán) 充電 基于
SRAM市場的領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，全球領先的通訊設備和網(wǎng)絡解決方案供應商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網(wǎng)交換機中選用了賽普拉斯的QDR?II+ (四倍速?) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場上最快的550MHz的時鐘頻率下工作，且擁有市場上最寬泛的產(chǎn)品選擇范圍，并能提供業(yè)界最多的參考設計。
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賽普拉斯 交換機 SRAM
普拉斯半導體公司日前宣布通訊設備和網(wǎng)絡解決方案供應商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網(wǎng)交換機中選用了賽普拉斯的QDRtrade;II+ (四倍速trade;) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場上
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普拉 72-Mbit SRAM 賽普 選用 新型 以太網(wǎng) 交換機 中興
基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設計, 1 前言 針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進設計的方法，并給出了部分VHDL程序?！ ? 硬件設計 這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61
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存儲 設計 數(shù)據(jù) 大容量 FPGA SRAM 基于
同步SRAM的傳統(tǒng)應用領域是搜索引擎，用于實現(xiàn)算法。在相當長的一段時間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術的出現(xiàn)，系統(tǒng)設計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)
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應用 網(wǎng)絡 SRAM
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù). 基本簡介 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一
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SRAM 工作原理
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置
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保密性 問題 FPGA 工藝 SRAM 基于
賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應時間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。
CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達12ns。器件采用符合RoHS標準的48-B
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賽普拉斯 SRAM
編者點評：存儲器是半導體業(yè)的風向標。它的特點起伏大，幾乎每十年有一次大的變動及盈利一年要虧損2-3年。另一個是反映半導體制造工藝能力水平，通常新建生產(chǎn)線會采用SRAM工藝來通線及會盡可能的采用最先進工藝技術。另外存儲器的產(chǎn)值約占半導體的23%，但其投資會占到半導體的40-60%。盡管看似供求市場決定它的周期變化, 非常簡單,然而實際上操作很難。所以韓，美包括臺灣地區(qū)都不會輕易退出此領域。中國是全球最大的半導體市場, 從長遠戰(zhàn)略看不該缺席存儲器。
美光公司報道它的季度業(yè)績由虧損3億美元轉(zhuǎn)變到盈利9
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美光 存儲器 SRAM
東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑制SRAM的最
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SRAM SoC 低電壓
瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導體電路技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞薩電子 SRAM CMOS
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