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賽普拉斯最新推出65-nm 36-Mbit 和18-Mbit器件

—— 引領“綠色”網(wǎng)絡架構(gòu)應用新潮流
作者: 時間:2010-12-30 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  RAM業(yè)界的領導者半導體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速™ (QDR™) 和雙倍速 (DDR) ,這些新產(chǎn)品是其65-nm 系列產(chǎn)品中的最新成員。這些新的存儲器件完善了業(yè)界最寬的65-nm同步產(chǎn)品線,最高容量可達144Mbit,速度最快可達550MHz。擁有專利的工藝技術(shù)最多可將90-nmSRAM的功耗降低50%,引領了“綠色”網(wǎng)絡架構(gòu)應用的新潮流。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/115903.htm

  這些新器件可從外形、功能等方面向下兼容已被廣泛采用的90-nmQDRII/QDRII+ SRAM(估計采用量遠超6000萬片),并且他們完全符合QDR聯(lián)合會的標準。如此的兼容性允許現(xiàn)有產(chǎn)品的設計者無需改變板卡設計即可很方便地升級系統(tǒng)性能。65-nm SRAM是網(wǎng)絡應用(包括骨干和邊緣路由器、固定和模塊化以太網(wǎng)交換機、3G基站和安全路由器)的理想選擇。他們還能改善醫(yī)用成像設備和軍用信號處理系統(tǒng)的性能。QDRII+ 和 DDRII+器件具有片內(nèi)終結(jié)器(ODT),因其省去了外部終結(jié)電阻,所以能夠改善信號完整性、降低系統(tǒng)成本并節(jié)省板級空間。

  負責同步SRAM產(chǎn)品的副總裁Dave Kranzler說:“作為SRAM領域的領導者,我們一直致力于提供最完整的高性能SRAM產(chǎn)品線,提升客戶產(chǎn)品的性價比,使之在市場上更具競爭力。賽普拉斯已經(jīng)向全球超過150個客戶發(fā)運了超過100萬片65-nm SRAM,從而奠定了我們在高性能SRAM領域的領導地位。”

  賽普拉斯的SRAM產(chǎn)品線包括有鉛和無鉛封裝,分商業(yè)級、工業(yè)級和軍用級,并且具有多種接口配置和性能范圍可供選擇。賽普拉斯還可與客戶共同開發(fā)針對特定應用需求的解決方案。



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