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Transphorm和偉詮電子合作發(fā)布集成式GaN SiP

Transphorm將在APEC2023會議上展出該產(chǎn)品(展位#853)。加州戈利塔和臺灣新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)與偉詮電子 (Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436)今天宣布雙方合作推出首款系統(tǒng)級封裝(SiP)的氮化鎵電源控制芯片。偉詮電子是用于適配器USB PD的控制器IC的全球領(lǐng)導者之一，新推出的WT7162R
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基于Infineon TC233LP+AIKW40N65DF5的3.3KW OBC方案

隨著全球?qū)Νh(huán)保問題的重視，在汽車領(lǐng)域，新能源汽車肩負著構(gòu)建良好生態(tài)環(huán)境的目的和使命走在了前沿，汽車產(chǎn)業(yè)從不同技術(shù)路線探索環(huán)保之道。電動汽車是新能源汽車的主要技術(shù)路線之一，其核心部件車載充電機（OBC）經(jīng)過幾年的發(fā)展技術(shù)日益成熟。但高效可靠，易于控制，高性價比一直是各家方案商以及零部件供應商持續(xù)追求的目標。本方案是品佳集團聯(lián)合國內(nèi)高校共同設(shè)計，基于Infineon AURIX系列MCU開發(fā)的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運算任務，功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動選型及供電設(shè)計要點

新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場景高頻驅(qū)動和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動芯片方案。最后，本文根
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宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估

汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進，車載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應用因此也迅猛發(fā)展，同應對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計人員把目光投向先進技術(shù)，以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來提供解決方案。在追求性能的同時，對于車載產(chǎn)品來說，可靠性也是一個重要的話題。在車載OBC/DCDC應用中，高壓功率半導體器件用的越來越多。對于汽車級高壓半導體功率器件來說，門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點。宇宙輻射很少被提及，但事實是無論
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全網(wǎng)最全的半導體封裝技術(shù)解析

半導體制造的工藝過程由晶圓制造（Wafer Fabr ication）、晶圓測試（wafer Probe/Sorting)、芯片封裝（Assemble）、測試（Test）以及后期的成品（Finish Goods）入庫所組成。半導體器件制作工藝分為前道和后道工序，晶圓制造和測試被稱為前道（Front End）工序，而芯片的封裝、測試及成品入庫則被稱為后道（Back End）工序，前道和后道一般在不同的工廠分開處理。前道工序是從整塊硅圓片入手經(jīng)多次重復的制膜、氧化、擴散，包括照相制版和光刻等工序，制成三極管、
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微小化技術(shù)需求日漲環(huán)旭電子以SiP創(chuàng)新技術(shù)持續(xù)發(fā)力可穿戴領(lǐng)域

今年，環(huán)旭電子進入智能穿戴模組領(lǐng)域的第九年，并在先進封裝技術(shù)的開發(fā)方面又登上新臺階。雙面塑封和薄膜塑封是環(huán)旭電子最新開發(fā)的技術(shù)，雙面塑封實現(xiàn)了模組的最優(yōu)化設(shè)計。薄膜塑封技術(shù)的引入，實現(xiàn)了信號連接導出區(qū)域的最小化設(shè)計，同時可以和其他塑封區(qū)域同時在基板的同一側(cè)實現(xiàn)同時作業(yè)。一直以來，手機是推動微小化技術(shù)的主要動力，如今微小化技術(shù)正在多項領(lǐng)域體現(xiàn)其優(yōu)勢，其中智能穿戴領(lǐng)域?qū)ξ⑿』夹g(shù)的需求越來越高。系統(tǒng)級封裝技術(shù)是為智能手表、藍牙耳機等新型智能穿戴電子產(chǎn)品提供高度集成化和微小化設(shè)計的關(guān)鍵技術(shù)。環(huán)旭電子不斷加強研發(fā)
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Pickering Electronics 推出新款耐高壓 SIL/SIP 舌簧繼電器線圈電阻更高，功耗更低

英國Pickering Electronics 公司是小型化和高性能舌簧繼電器方面的領(lǐng)導廠商，擁有超過50年經(jīng)驗。近日它宣布推出 100HV 系列耐高壓單列直插 SIL/SIP 舌簧繼電器，提供最高3kV的額定截止電壓，且線圈電阻是之前產(chǎn)品的兩倍以上。高系列繼電器適合應用于變壓器、電纜測試，或任何其他要求高電壓但低線圈功耗的自動測試設(shè)備。 Pickering Electronics公司的技術(shù)專家 Kevin Mallett 對新產(chǎn)品作了說明：“100HV系列繼電器非常適用于需要切換電源電壓的應
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清潔安全的汽車將由功能電子化和自動駕駛賦能

未來的汽車將是清潔和安全的汽車，由先進的汽車功能電子化和自動駕駛技術(shù)賦能。安森美半導體汽車戰(zhàn)略及業(yè)務拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動汽車電動車可幫助實現(xiàn)零排放，其市場發(fā)展是令人興奮和充滿生機的，隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施，以提供一個快速充電站網(wǎng)絡(luò)，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點，緊湊
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面向新基建的GaN技術(shù)

新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，并對半導體電源設(shè)計提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰(zhàn)是如何幫助設(shè)計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應對這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅(qū)動器和保護功能，可提供優(yōu)異的開關(guān)速度和低損耗。如今，我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅(qū)動器、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車
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InnoSwitch3-AQ已通過Q100認證；可在30 V至550 V直流輸入下高效工作

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經(jīng)開始量產(chǎn),這是一款已通過AEC-Q100認證的反激式開關(guān)IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側(cè)檢測功能。新獲得認證的器件系列適用于電動汽車應用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機)、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
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易靈思宣布推出 Trion Titanium FPGA 系列

可編程產(chǎn)品平臺和技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)易靈思?? 近日宣布推出其 Trion? Titanium FPGA 系列。Trion Titanium FPGA 是基于16納米工藝節(jié)點,并采用易靈思的 “Quantum? 計算架構(gòu)”。“Quantum 計算架構(gòu)”是受到了易靈思第一代 Trion FPGA 之基礎(chǔ)“Quantum 架構(gòu)”的啟發(fā),在其可交換邏輯和路由的“隨變單元” (XLR) 中增添了額外的計算和路由功能。增強的計算能力,加上利用16納米工藝實現(xiàn)的 3 倍性能(Fmax)的提升,使得 Trion Ti
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ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內(nèi)的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3，改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導通電阻降低了約4
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Bosch Sensortec與高通（Qualcomm）合作提供創(chuàng)新軟件解決方案

Bosch Sensortec一直以來通過高通平臺解決方案生態(tài)系統(tǒng)（Qualcomm? Platform Solutions Ecosystem）計劃與高通技術(shù)公司（Qualcomm Technologies, Inc.）合作開發(fā)創(chuàng)新傳感器軟件解決方案。根據(jù)雙方的合作協(xié)議，Bosch Sensortec可在高通傳感器執(zhí)行環(huán)境（Qualcomm? Sensor Execution Environment）中開發(fā)基于MEMS傳感解決方案的軟件，從而為智能手機和可穿戴設(shè)備提供先進的功能。首批開發(fā)成果包括應用Bo
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德州儀器多合一動力總成系統(tǒng)解決方案，助力新能源汽車快速實現(xiàn)輕量、高效、降本

當汽車應用程序可以用更少的零件完成更多的工作時，就可以在減少重量和成本的同時提高可靠性，這就是將?電動汽車（EV）和混合電動汽車（HEV）?設(shè)計與多合一動力總成系統(tǒng)相整合的思路。什么是多合一動力總成組合架構(gòu)？多合一動力總成系統(tǒng)整合了諸如車載充電器（OBC）、高電壓DC/DC（HV DCDC）、逆變器和配電單元（PDU）等動力系統(tǒng)終端器件。如圖1所示，可在機械、控制或動力系統(tǒng)級別應用整合。圖1：電動汽車標準架構(gòu)概述為什么多合一動力總成系統(tǒng)最適合HEV/EV？多合一動力總成系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)：●
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金升陽新的DC-DC定壓R4電源：涅槃重生，創(chuàng)“芯”未來

1 “芯片級”模塊電源的誕生DC-DC定電壓電源模塊是金升陽公司的拳頭產(chǎn)品，在全球有數(shù)十萬用戶，可謂世界級的產(chǎn)品。2020年，金升陽歷經(jīng)多年技術(shù)沉淀，推出第四代定壓產(chǎn)品（簡稱“定壓R4”），可謂具有突破性的“芯片級”的模塊電源（如圖1）。實際上，金升陽的定壓系列產(chǎn)品從R1升級到R2，再到R3代，每次更迭換代，產(chǎn)品都進行了非常多的電路和工藝技術(shù)突破；但是封裝工藝上還是一樣，仍沿用傳統(tǒng)的灌封/塑封工藝，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和外觀沒有顯著變化。不過，此次推出的新的定壓R4代電源模塊，最大的技術(shù)創(chuàng)新點就是在封裝工藝上取得了重
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