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英諾達(dá)發(fā)布首款自研低功耗設(shè)計(jì)驗(yàn)證EDA工具

（2022年11月2日，成都）周三，英諾達(dá)（成都）電子科技有限公司發(fā)布了第一款自主研發(fā)的EDA工具——EnFortius? Low Power Checker（簡(jiǎn)稱LPC），該產(chǎn)品主要用于低功耗設(shè)計(jì)靜態(tài)驗(yàn)證，可以為集成電路（IC）工程師快速定位低功耗設(shè)計(jì)所帶來的可能的設(shè)計(jì)漏洞和缺陷。應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下的集成電路大趨勢(shì)隨著人工智能、5G、大數(shù)據(jù)中心、汽車等應(yīng)用帶來的IC功能和復(fù)雜度爆炸性增長(zhǎng)，低功耗設(shè)計(jì)的重要性與日俱增。炬芯科技研發(fā)副總經(jīng)理張賢鈞在發(fā)布會(huì)上的發(fā)言表示：“在便攜式、穿戴式以及無線化的產(chǎn)品趨勢(shì)下，除了滿
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面對(duì)封鎖國產(chǎn)EDA喜憂參半

8月12日，美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）在聯(lián)邦公報(bào)上發(fā)布了一項(xiàng)臨時(shí)最終規(guī)定，將4項(xiàng)“新興和基礎(chǔ)技術(shù)”加入出口管制清單，其中3項(xiàng)涉及半導(dǎo)體，并包括芯片設(shè)計(jì)中最上游、最高端的產(chǎn)業(yè)EDA。根據(jù)美國商務(wù)部工業(yè)和安全局發(fā)布的文件顯示，針對(duì)“設(shè)計(jì)GAAFET架構(gòu)（全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的先進(jìn)芯片EDA軟件工具”的管制將自2022年8月15日起算60天后生效，公眾可以在2022年8月15日起算30天內(nèi)就該項(xiàng)管制的具體實(shí)施提交評(píng)論意見。而其他三項(xiàng)管制的生效日期則為2022年8月15日。這4項(xiàng)技術(shù)中，最受外界關(guān)注的當(dāng)屬ED
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中信證券：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化現(xiàn)狀及相關(guān)投資機(jī)會(huì)

近期美國對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈限制再加碼，涉及設(shè)計(jì)軟件及超寬禁帶半導(dǎo)體材料。在當(dāng)前中美關(guān)系相對(duì)緊張的背景下，美國對(duì)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的限制存在擴(kuò)大化的風(fēng)險(xiǎn)，國內(nèi)持續(xù)推進(jìn)設(shè)備材料自主化是必然選擇，目前正在加速推進(jìn)。EDA方面，國內(nèi)行業(yè)龍頭廠商有望借鑒海外發(fā)展經(jīng)驗(yàn)，以全定制IC設(shè)計(jì)EDA工具為起點(diǎn)，加速向數(shù)?；旌?、數(shù)字電路、晶圓制造等領(lǐng)域的EDA拓展，在全球EDA市場(chǎng)中追趕并超越。在行業(yè)景氣持續(xù)、國產(chǎn)替代深入背景下，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體設(shè)備公司將持續(xù)有基本面業(yè)績(jī)支撐。短期在自主可控邏輯下，半導(dǎo)體材料龍頭企業(yè)有望充分受益，提升市占
關(guān)鍵字： EDA 半導(dǎo)體設(shè)備半導(dǎo)體材料封裝設(shè)計(jì)

國產(chǎn)EDA:善用技術(shù)創(chuàng)新,走差異化發(fā)展道路

隨著異構(gòu)計(jì)算、人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、區(qū)塊鏈等新興技術(shù)不斷迸發(fā)創(chuàng)新活力，帶動(dòng)了以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為代表的數(shù)字技術(shù)強(qiáng)勢(shì)崛起。作為產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵技術(shù)，EDA 自始至終連接和貫穿著芯片與科技應(yīng)用的發(fā)展，也獲得了更加廣闊的發(fā)展機(jī)遇。1? ?EDA新形勢(shì)和國產(chǎn)EDA新機(jī)遇在后摩爾定律時(shí)代，制程工藝逼近極限，為了達(dá)成系統(tǒng)、應(yīng)用對(duì)芯片的要求，將促使大家從系統(tǒng)設(shè)計(jì)角度出發(fā)，通過系統(tǒng)、架構(gòu)的創(chuàng)新，以應(yīng)用導(dǎo)向驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)能力的提升，降低對(duì)先進(jìn)工藝的依賴。這其中，通過借助先進(jìn)的數(shù)字前端EDA 工具，
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兼容性和差異化是國產(chǎn)仿真EDA必須錘煉的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

隨著美國正式簽署《芯片與科學(xué)法案》，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司對(duì)于國際EDA 的使用限制將越來越嚴(yán)格。但是，考慮到當(dāng)前絕大多數(shù)的設(shè)計(jì)公司還在使用國際EDA 廠商的設(shè)計(jì)流程，作為后來者的國產(chǎn)EDA 公司，目前絕大多數(shù)是點(diǎn)工具，且愿意使用的設(shè)計(jì)企業(yè)非常有限。面對(duì)困局，我們采訪了國內(nèi)EDA 的領(lǐng)先企業(yè)芯和半導(dǎo)體的聯(lián)合創(chuàng)始人代文亮博士。代博士提出了一個(gè)很重要的觀點(diǎn)：國產(chǎn)EDA 要搶占市場(chǎng)需要打破用戶的使用門檻，增強(qiáng)用戶體驗(yàn)。首先是與現(xiàn)有國際設(shè)計(jì)流程的融合，讓用戶先能用起來。在這個(gè)過程中，相比用戶對(duì)布局布線工具的天然排他性
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國產(chǎn)EDA的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

8 月15 日美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）在《聯(lián)邦公報(bào)》正式對(duì)外宣布生效了一項(xiàng)新增的出口限制臨時(shí)規(guī)則，涉及芯片設(shè)計(jì)工具EDA，GAAFET 晶體管技術(shù)，氧化鎵和金剛石（被視為第四代半導(dǎo)體材料）。這是美國首次對(duì)EDA 設(shè)計(jì)工具進(jìn)行明確的出口限制，本次禁令面向擁有高端芯片設(shè)計(jì)和制造能力的企業(yè)。美國加大對(duì)海外半導(dǎo)體廠商高端芯片設(shè)計(jì)的管控，這對(duì)全球半導(dǎo)體行業(yè)必然產(chǎn)生影響，特別是對(duì)臺(tái)積電和三星這兩家僅有的已經(jīng)量產(chǎn)GAAFET 的非美國企業(yè)及其代工的客戶將會(huì)產(chǎn)生直接的影響。EEPW 論壇有熱心網(wǎng)友回應(yīng)，如果EDA
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三大趨勢(shì)，引領(lǐng) EDA 未來

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）行業(yè)的增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁，為半導(dǎo)體和電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)行業(yè)實(shí)現(xiàn)更大的成功做出了重要貢獻(xiàn)。越來越多的系統(tǒng)公司開始自己設(shè)計(jì)芯片和電子產(chǎn)品，他們的創(chuàng)新步伐會(huì)受到哪些主要 EDA 趨勢(shì)的影響？Trend：電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)正在朝著特定領(lǐng)域發(fā)展。特定領(lǐng)域的設(shè)計(jì)對(duì) EDA 工具開發(fā)人員和用戶意味著什么？答：對(duì)于產(chǎn)品開發(fā)人員來說，只考慮芯片或電路板的傳統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)已經(jīng)不夠。他們現(xiàn)在還必須要考慮產(chǎn)品集成和使用的環(huán)境。促使產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)考慮環(huán)境設(shè)計(jì)的因素包括系統(tǒng)越來越高的復(fù)雜性、更高的性能需求與成本的取舍，以及不斷壓縮
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臺(tái)積電先進(jìn)封裝受追捧，消息稱英偉達(dá)高端芯片有意采用 SoIC 技術(shù)

IT之家 8 月 31 日消息，DigiTimes 稱，目前英偉達(dá)正加緊與臺(tái)積電在高端芯片上的合作。消息人士稱，英偉達(dá)正考慮 HPC 芯片采用臺(tái)積電的 SoIC 技術(shù)。隨著摩爾定律即將面臨物理極限，囊括小芯片（Chiplet）、異質(zhì)整合的先進(jìn)封裝技術(shù)，在高效運(yùn)算（HPC）芯片領(lǐng)域的話題火熱程度，從 2022 年 8 月下旬的 Hot Chips 大會(huì)一路延續(xù)至今...據(jù)公開資料，SOIC（Small Outline Integrated Circuit Package）即小外形集成電路封裝，指外
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臺(tái)積電魏哲家：3 納米即將量產(chǎn)，2 納米保證 2025 年量產(chǎn)

IT之家 8 月 30 日消息，據(jù)中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)，臺(tái)積電總裁魏哲家今日現(xiàn)身 2022 臺(tái)積電技術(shù)論壇并提到，臺(tái)積電 3 納米思考良久維持 FF 架構(gòu)并即將量產(chǎn)，至于 2 納米也可和在座各位保證 2025 年量產(chǎn)會(huì)是最領(lǐng)先技術(shù)。據(jù)悉，臺(tái)積電 2 納米技術(shù)和 3 納米技術(shù)相比，功效大幅往前推進(jìn)。在相同功耗下，速度增快 10~15%，或在相同速度下，功耗降低 25~30%。值得一提的是，聯(lián)發(fā)科全球副總裁兼無線通信事業(yè)部總經(jīng)理徐敬全 JC Hsu 在演講期間展示合作簡(jiǎn)報(bào)，魏哲家眼尖發(fā)現(xiàn)“效能僅提升 2
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專訪中科億海微：堅(jiān)持全面自主研發(fā)道路

　　1984年，美國公司推出全球第一款FPGA產(chǎn)品。FPGA芯片的技術(shù)門檻非常高，一直處于美國公司的壟斷之下。處于領(lǐng)跑地位的Xilinx在該領(lǐng)域深耕了30多年，積累了豐富的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)，建立了完整的FPGA生態(tài)環(huán)境，與Intel、Lattice、Microchip等公司一起形成了堅(jiān)實(shí)的壁壘，具有絕對(duì)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。　　面對(duì)技術(shù)上的困難和挑戰(zhàn)，電子產(chǎn)品世界采訪到了作為中科院唯一一支從事FPGA技術(shù)產(chǎn)品化與產(chǎn)業(yè)化的團(tuán)隊(duì)——中科億海微電子科技（蘇州）有限公司（簡(jiǎn)稱：中科億海微）。中科億海微的營銷副總裁趙軍輝先生對(duì)于目
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后摩爾時(shí)代的芯片設(shè)計(jì)和EDA發(fā)展趨勢(shì)

近年來，隨著大規(guī)模集成電路制造工藝發(fā)展速度減緩，相對(duì)于線性提升的芯片規(guī)模，芯片的制造成本呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)上升，下圖可以很清晰地看到兩種趨勢(shì)變化。圖1 芯片晶體管規(guī)模與制造成本提升趨勢(shì) （數(shù)據(jù)來源：美國DARPA）?這些數(shù)字表明，我們正在為越來越復(fù)雜的芯片付出得越來越多。但是從1990年代到2000年代的經(jīng)驗(yàn)好像并不是這樣：每一代電腦手機(jī)價(jià)格漲得并不多，但是性能總是有大幅增長(zhǎng)，甚至性價(jià)比都是在提高的，更好的電子產(chǎn)品甚至越來越便宜。為什么現(xiàn)在我們的感覺變化了？這里有兩方面的原因：第一，過去很長(zhǎng)時(shí)間里消費(fèi)電
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GAAFET，是什么技術(shù)？

美國計(jì)劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸，GAA（環(huán)繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）？數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET，其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm，這個(gè)半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極（溝槽）寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu)，溝槽寬度越小，漏極到源極距離越小，載流子流動(dòng)跨越溝道導(dǎo)通時(shí)間減小，工作頻率越高；同時(shí)，溝道完全開通所加?xùn)艠O電壓越低，開關(guān)損耗越低；而且，溝道導(dǎo)通電阻降低，導(dǎo)通損
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斷掉先進(jìn)EDA斷掉先進(jìn)設(shè)備，美國這次下死手了

止向中國出口「用于制造14nm以下芯片的設(shè)備」。大家可能覺得這條政策主要影響的是芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)。也就是國內(nèi)那幾個(gè)比較大的晶圓廠買不到更新更先進(jìn)的設(shè)備了。然而實(shí)際上這條政策影響的是國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司。這里有一個(gè)非常重要的冷知識(shí)。晶圓廠里的設(shè)備國產(chǎn)化水平不會(huì)達(dá)到100%，而是會(huì)達(dá)到一個(gè)國產(chǎn)與外國貨55開的水平。這是為什么呢？因?yàn)閲a(chǎn)設(shè)備公司需要去了解外國設(shè)備公司最先進(jìn)的設(shè)備是什么樣子的。只有了解了對(duì)方的先進(jìn)技術(shù)，作為追趕者的我們才能更好地去模仿去追趕。這是這個(gè)行業(yè)當(dāng)下最真實(shí)的寫照。所以，美國斷掉「用于制造14n
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美國實(shí)施EDA軟件禁令，中國或?qū)㈠e(cuò)過下一代芯片技術(shù)

美國試圖鎖死中國下一代芯片技術(shù)注意，這里說的是下一代，是下一代！與現(xiàn)在的EDA軟件無關(guān)，這項(xiàng)EDA軟件的禁令只是針對(duì)GAA架構(gòu)制程，這項(xiàng)工藝目前只有三星利用在了3nm的芯片生產(chǎn)上，而不出意外的話，臺(tái)積電也會(huì)在今年量產(chǎn)同代的芯。中國目前的最先進(jìn)的工藝來自中芯國際，中芯在前不久被發(fā)現(xiàn)“偷偷”用DUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)了7nm工藝的量產(chǎn)。但即使進(jìn)步如此神速，中芯國際和三星、臺(tái)積電之間，至少還隔著一個(gè)7nm+（EUV版的7nm工藝）、5nm兩代，對(duì)中芯來說，GAA至少是下下代才用到的東西，而目前中芯連7nm+的可能性都看
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美國對(duì)“芯片之母”下手！EDA軟件如何影響整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)？

據(jù)財(cái)聯(lián)社報(bào)道，美國商務(wù)部周五發(fā)布一項(xiàng)臨時(shí)最終規(guī)定，對(duì)設(shè)計(jì)GAAFET（全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)集成電路所必須的ECAD軟件；金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料；燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)使用的壓力增益燃燒(PGC)等四項(xiàng)技術(shù)實(shí)施新的出口管制。據(jù)悉，GAAFET晶體管技術(shù)是相對(duì)于FinFET晶體管更先進(jìn)的技術(shù)，F(xiàn)inFET技術(shù)最多能做到3nm，而GAAFET可以實(shí)現(xiàn)2nm。氧化鎵(Ga2O3）、金剛石則是被普遍關(guān)注的第四代半導(dǎo)體材料。圖片來源：攝圖網(wǎng) 501123322EDA軟件限制的影響力有多大？強(qiáng)如三星，其6月
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