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中國(guó)EDA分析之上海概倫電子

　　(一)?主要業(yè)務(wù)、主要產(chǎn)品或服務(wù)情況　　1.?主營(yíng)業(yè)務(wù)情況　　公司的主營(yíng)業(yè)務(wù)為向客戶提供被全球領(lǐng)先集成電路設(shè)計(jì)和制造企業(yè)長(zhǎng)期廣泛驗(yàn)證和使用的EDA產(chǎn)品及解決方案，主要產(chǎn)品及服務(wù)包括制造類EDA工具、設(shè)計(jì)類EDA工具、半導(dǎo)體器件特性測(cè)試儀器和半導(dǎo)體工程服務(wù)等。　　2.?主要產(chǎn)品或服務(wù)情況　?。?）公司主要產(chǎn)品及服務(wù)布局　　圍繞DTCO方法學(xué)，公司在器件建模和電路仿真驗(yàn)證兩大集成電路制造和設(shè)計(jì)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)進(jìn)行重點(diǎn)突破，自主研發(fā)了相關(guān)EDA核心技術(shù)，可有效支撐7nm/5nm/3n
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軟件巨頭遭美商務(wù)部調(diào)查：“里通華為海思”難指望，中國(guó)EDA軍團(tuán)集體出擊

自從《商業(yè)管制清單》在大洋彼岸落地以來(lái)，諸多中國(guó)企業(yè)可謂是承受了近些年來(lái)最嚴(yán)重的一次打壓，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，這種情況尤為嚴(yán)重。當(dāng)然，在經(jīng)濟(jì)全球化的大背景下，這份“黑名單”破壞的不僅是國(guó)與國(guó)之間的關(guān)系，也讓一些全球化巨頭受到了不小的損失。對(duì)于它們而言，無(wú)法和大客戶交易只是一方面，來(lái)自美國(guó)監(jiān)管部門的審視同樣讓人頭痛。據(jù)彭博社報(bào)道，近日美國(guó)EDA軟件公司新思科技（Synopsys）正接受美國(guó)商務(wù)部調(diào)查。美國(guó)商務(wù)部認(rèn)為，新思科技涉嫌向華為海思半導(dǎo)體部門提供芯片設(shè)計(jì)和軟件，以便在中芯國(guó)際進(jìn)行生產(chǎn)。不過(guò)，美國(guó)商務(wù)部尚未公
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芯和半導(dǎo)體發(fā)布新品Hermes PSI

2022年4月7日，國(guó)產(chǎn)EDA企業(yè)芯和半導(dǎo)體發(fā)布了新品Hermes PSI。這是一個(gè)針對(duì)封裝與板級(jí)信號(hào)及電源完整分析的EDA分析平臺(tái)。Hermes PSI是芯和半導(dǎo)體發(fā)布的首款電源完整性分析工具。此次發(fā)布的2022版本首先專注于封裝與板級(jí)的DC IR壓降。它可以導(dǎo)入所有常見的封裝與PCB設(shè)計(jì)格式，并為整個(gè)供電系統(tǒng)提供高效的直流電源完整性分析，使能用戶檢查直流電壓降、電流和電流密度分布等。 Hermes PSI的仿真基于流程化操作、易于上手和設(shè)置，降低了用戶的使用門檻。通過(guò)仿真，該工具可以報(bào)告直
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外媒稱EDA巨頭新思科技被美國(guó)商務(wù)部調(diào)查

據(jù)外媒報(bào)道,美國(guó)商務(wù)部正調(diào)查全球最大的EDA公司新思科技(Synopsys),因?yàn)樵摴旧嫦舆`法轉(zhuǎn)讓相關(guān)技術(shù)給華為和中芯國(guó)際。受此消息拖累,新思科技周三回吐早盤漲幅,終場(chǎng)收跌 1.32% 至每股 306.72 美元。消息人士指出,美國(guó)商務(wù)部正調(diào)查新思科技與中國(guó)的關(guān)聯(lián)公司之合作,該公司涉嫌向華為海思半導(dǎo)體部門提供晶片設(shè)計(jì)和軟體,以便在中芯國(guó)際進(jìn)行生產(chǎn)。但截至目前,美國(guó)商務(wù)部的調(diào)查過(guò)程尚未公開。早在去年12月,新思科技披露稱,已收到了美國(guó)商務(wù)部工業(yè)安全局 (BIS) 發(fā)出與“與某些中國(guó)實(shí)體交易”內(nèi)容有關(guān)的傳票
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路長(zhǎng)且艱，國(guó)產(chǎn)EDA的發(fā)展之路

逼則反兵，走則減勢(shì)。緊隨勿迫，累其氣力，消其斗志，散而后擒，兵不血刃，這是三十六計(jì)中“欲擒故縱”的精義，卻被美國(guó)在EDA領(lǐng)域應(yīng)用的游刃有余，中國(guó)也因此錯(cuò)失了發(fā)展國(guó)產(chǎn)EDA的20余年的重要時(shí)機(jī)，作為數(shù)千億集成電路、萬(wàn)億電子信息的必不可少的支撐產(chǎn)業(yè)，EDA被譽(yù)為芯片領(lǐng)域的“工業(yè)母機(jī)”，國(guó)產(chǎn)EDA的發(fā)展路長(zhǎng)且艱。一、EDA是何方神圣為什么說(shuō)EDA那么重要，EDA全稱是電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化。打開芯片的封裝外殼，在高倍顯微鏡下對(duì)其表面進(jìn)行觀察，將會(huì)看到無(wú)數(shù)規(guī)則擺放的器件和連線，這是芯片的版圖。IC設(shè)計(jì)和制造這個(gè)版圖的各個(gè)
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東吳證券：2022年芯片EDA行業(yè)研究報(bào)告

數(shù)?；旌?IC 中通常模擬電路是核心，數(shù)字電路用來(lái)控制模擬電路實(shí)現(xiàn)特定的算法。在 IC 設(shè)計(jì)部分，EDA 軟件主要有模擬 IC 和數(shù)字 IC 的兩大類設(shè)計(jì)軟件。1.EDA是“半導(dǎo)體皇冠上的明珠”1.1. EDA 是用于 IC 設(shè)計(jì)生產(chǎn)的工業(yè)軟件EDA 是用來(lái)輔助超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)生產(chǎn)的工業(yè)軟件。EDA 全稱是電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（Electronic Design Automation），是指用于輔助完成超大規(guī)模集成電路芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試整個(gè)流程的計(jì)算機(jī)軟件。隨著芯片設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度不斷提升，基于先進(jìn)工
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扎堆上市、納入“十四五”規(guī)劃，國(guó)產(chǎn)EDA軟件的春天來(lái)了？

回顧2021年中國(guó)ICT市場(chǎng)，“元宇宙、低代碼、國(guó)資云、產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、雙碳”無(wú)疑是令人首先想到的關(guān)鍵詞。那么，資深I(lǐng)CT產(chǎn)業(yè)觀察者如何用一詞表明自己的身份？答案是：國(guó)產(chǎn)EDA。相比上述關(guān)鍵詞，EDA（集成電路設(shè)計(jì)工具）即便放大到全球范圍，其市場(chǎng)都無(wú)法與前者比較。但市場(chǎng)規(guī)模并無(wú)法表明EDA的重要性。如何形容EDA？或許可將其比喻為生物圈的水，沒(méi)有水，碳基生命便無(wú)法存活；沒(méi)有EDA，全球幾十萬(wàn)億的數(shù)字經(jīng)濟(jì)也無(wú)法發(fā)展。也正是因?yàn)镋DA如水一般潤(rùn)物無(wú)聲，所以在中國(guó)ICT市場(chǎng)里，其幾乎從未站在舞臺(tái)的中央。但在2021
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中國(guó)EDA新浪潮的黃金二十年

2002年，已在芯片業(yè)浸潤(rùn)多時(shí)的謝仲輝回到上海。他早年求學(xué)于臺(tái)大，參與了新加坡政府一力扶持的特許半導(dǎo)體工廠的建立與運(yùn)營(yíng)。隨著身邊的同事逐漸回流大陸，他意識(shí)到國(guó)內(nèi)的芯片工業(yè)正在飛速發(fā)展，急需富有經(jīng)驗(yàn)的人才為國(guó)效力。于是，他選擇了參加國(guó)家“909工程”的華虹。挑戰(zhàn)是顯而易見的：相比于國(guó)外的大客戶，國(guó)內(nèi)的芯片設(shè)計(jì)公司普遍弱小，一個(gè)月的訂單量不過(guò)幾十片、甚至更少，而芯片制造的前期流片投入?yún)s一點(diǎn)都不能少。光是一套掩模版就是幾十萬(wàn)美金，讓諸多設(shè)計(jì)從業(yè)者望而卻步。為了降低客戶的前期投入，謝仲輝和他的團(tuán)隊(duì)想到了一個(gè)辦法—
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中科院EDA中心三維及納米集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化技術(shù)研究成果

研究方向一：三維納米級(jí)電路可制造性設(shè)計(jì)方法及EDA技術(shù)進(jìn)入納米工藝節(jié)點(diǎn)，電路的物理結(jié)構(gòu)對(duì)工藝容差和設(shè)計(jì)提出了新的挑戰(zhàn)，可制造性和成品率成為集成電路高端芯片能否實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)并盈利的最關(guān)鍵因素之一，可制造性設(shè)計(jì)EDA技術(shù)搭建了溝通電路設(shè)計(jì)與工藝制造的橋梁，可系統(tǒng)提升納米芯片的良率和性能。實(shí)驗(yàn)室針對(duì)集成電路先進(jìn)工藝制造和設(shè)計(jì)中存在的基礎(chǔ)性、前瞻性核心問(wèn)題，開展三維納米級(jí)電路可制造性設(shè)計(jì)方法及EDA基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)研究，構(gòu)建納米加工與設(shè)計(jì)協(xié)同優(yōu)化的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的DFM軟件平臺(tái)，形成實(shí)現(xiàn)工藝熱點(diǎn)檢測(cè)和寄生參數(shù)
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三維快速模擬仿真電磁計(jì)算分析軟件

自主開發(fā)完成通用電磁模擬仿真分析軟件EMbridge，滿足電磁、機(jī)電器件需求。結(jié)合最新研發(fā)的算法成果顯著提高了場(chǎng)分析的效率。創(chuàng)新提出的快速多階敏感度算法、隨機(jī)譜方法能夠應(yīng)對(duì)IC工業(yè)中工業(yè)偏差引入的隨機(jī)影響。
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極低功耗SoC設(shè)計(jì)方法學(xué)及EDA工具

EDA中心在極低功耗SoC設(shè)計(jì)方法學(xué)及關(guān)鍵EDA技術(shù)領(lǐng)域開展了年的研發(fā)工作，研究設(shè)計(jì)了亞閾值溫度傳感器、32位亞閾值SAPTL超前進(jìn)位加法器、16位亞閾值B-SAPTL加法器、16x16亞閾值A(chǔ)SYN-B-SAPTL異步乘法器、動(dòng)態(tài)可重構(gòu)亞閾值邏輯等多款極低功耗電路IP，技術(shù)指標(biāo)均優(yōu)于文獻(xiàn)報(bào)道的同類功能電路，研發(fā)了單元電路版圖微調(diào)軟件、電路結(jié)構(gòu)自動(dòng)評(píng)測(cè)工具、電路器件參數(shù)優(yōu)化工具、快速High-σ蒙特卡洛分析工具、器件建模工具、PVT敏感的單元電路特征化工具等。極低功耗SoC設(shè)計(jì)方法學(xué)及關(guān)鍵EDA技術(shù)研究起
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中科院EDA中心：集成電路IP核標(biāo)準(zhǔn)

依托國(guó)家重大科技專項(xiàng)，EDA中心牽頭編制了國(guó)內(nèi)首個(gè)強(qiáng)制JYIP核標(biāo)準(zhǔn)《GJB7715-2012JY集成電路IP核通用要求》，建立IP核應(yīng)用推廣平臺(tái)，開發(fā)IP核主觀評(píng)測(cè)電子表格（IPQE），在此基礎(chǔ)上，完成多款移動(dòng)通信與數(shù)字媒體芯片IP核的數(shù)據(jù)封裝和質(zhì)量評(píng)測(cè)服務(wù)。《GJB7715-2012JY集成電路IP核通用要求》IP核應(yīng)用推廣平臺(tái)典型IP核數(shù)據(jù)封裝實(shí)例第三方IP核評(píng)測(cè)報(bào)告
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工藝與設(shè)計(jì)協(xié)同優(yōu)化的PDK與標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)

EDA中心在PDK設(shè)計(jì)領(lǐng)域開展了十多年的研發(fā)工作，常年服務(wù)于國(guó)內(nèi)外主流Foundry、各大EDA公司和IC設(shè)計(jì)公司。能夠基于多種語(yǔ)言(Skill/Tcl/Python)開發(fā)適用于各種軟件平臺(tái)的PDK/oaPDK/iPDK。到目前為止，已經(jīng)基于國(guó)內(nèi)主流Foundry的28nm/40nm/65nm/0.11um eFlash/130nm/180nm/0.35um/1um/3um和700V BCD/TFT/CNT-FET等先進(jìn)工藝成功開發(fā)了近20套兼容不同數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的商用PDK(包括大陸首套iPDK)。PDK交付
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納米尺度芯片Art DFM仿真平臺(tái)

基于65/45/40/28納米銅互連和28納米高k金屬柵CMP工藝及DFM設(shè)計(jì)規(guī)則，課題組開發(fā)了一套兼顧平坦化和寄生效應(yīng)、完整兼容業(yè)界主流EDA工具的DFM仿真平臺(tái)，該平臺(tái)具有超大規(guī)模版圖快速處理，ECP/CVD/PVD/CMP工藝模擬、熱點(diǎn)輸出與反標(biāo)等功能。通過(guò)對(duì)版圖進(jìn)行CMP分析和檢查，找出存在熱點(diǎn)的區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充，并根據(jù)設(shè)計(jì)需求進(jìn)行修正，形成CMP模擬與參數(shù)提取相結(jié)合的DFM優(yōu)化流程。DFM平臺(tái)解決了復(fù)雜超大版圖快速并行處理的技術(shù)難題，可以滿足65/45/40/28納米全芯片規(guī)模版圖處理的要求
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納米尺度芯片平坦性工藝仿真工具

研究65/45/40/28納米銅互連ECP/CMP及32/28納米HKMG CMP工藝，提出了耦合設(shè)計(jì)版圖與CMP機(jī)理的新型高效CMP建模技術(shù)，開發(fā)了多節(jié)點(diǎn)銅互連平坦性疊層仿真工具和28納米高k金屬柵DFM解決方案，可動(dòng)態(tài)模擬ECP/CMP、ILD0 CVD/CMP和Al PVD/CMP工藝演進(jìn)過(guò)程，快速實(shí)現(xiàn)平坦性工藝偏差的提取和校正。該仿真工具通過(guò)了CMOS實(shí)測(cè)硅片數(shù)據(jù)驗(yàn)證，仿真精度和速度達(dá)到國(guó)際同類工具先進(jìn)水平，可應(yīng)用于全芯片平坦性工藝的檢測(cè)分析和設(shè)計(jì)優(yōu)化。CMP工藝仿真
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