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ROHM發(fā)布2015年度第一季度(4~6月)財務報告

　　ROHM Co., Ltd.(總部：日本京都，社長澤村諭，下稱"ROHM")發(fā)布了2015年度第一季度(4~6月)的業(yè)績。　　第一季度銷售額為949億2千萬日元(去年同比增長7.4%)，營業(yè)利潤為115億6千7百萬日元(去年同比增長24.7%)。　　縱觀電子行業(yè)，在IT相關市場方面，雖然智能手機和可穿戴設備等市場的行情仍然在持續(xù)走高，然而一直以來都保持持續(xù)增長的平板電腦的普及率的上升勢頭大幅下降，個人電腦市場呈現(xiàn)低迷態(tài)勢。在AV相關市場方面，雖然4K電視(※1)等高附加
關鍵字： ROHM SiC

專利設計發(fā)功　ROHM量產溝槽式SiC-MOSFET

　　SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET，并已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。　　羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專利，目前已開始量產。　　羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
關鍵字： ROHM SiC-MOSFET

高精度的功率轉換效率測量

　　目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構成這些系統(tǒng)的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
關鍵字： SiC GaN 電流傳感器

一款專為SiC Mosfet設計的DC-DC模塊電源

　　SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉換器上，為重型電機、工業(yè)設備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據(jù)調查公司Yole developmet統(tǒng)計，SiC Mosfet現(xiàn)有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業(yè)的新寵! 　　SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢：　　i. 低導通電阻RDS
關鍵字： SiC Mosfet DC-DC

世界首家！ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET

　　全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結構的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產體制。與已經(jīng)在量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。　　另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產品，目前已建立起了完備的功率模塊產品的量產體制。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產基地為
關鍵字： ROHM SiC-MOSFET

ROHM（羅姆）舉辦“2015 ROHM科技展”　將于全國5個城市巡回展出

　　全球知名半導體制造商ROHM于今年夏季將分別在成都(06/12)、長沙(06/26)、蘇州(07/10)、青島(07/ 24)、哈爾濱(08/07)等5個城市隆重推出“2015 ROHM科技展”巡展活動。在展示ROHM最新產品和技術的同時，還包括了由半導體業(yè)界專家和ROHM工程師帶來的主題演講，獲得了眾多工程師的盛情參與。　　“2015 ROHM科技展”以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，從應用層面出發(fā)，介紹功率電子、傳感器網(wǎng)絡
關鍵字： ROHM SiC

SiC功率器件的技術市場走勢

　　摘要：探討了SiC的技術特點及其市場與應用。　　近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學內舉辦了以“SiC功率元器件技術動向和ROHM的SiC功率元器件產品”為主題的交流學習會。此次交流學習會上，ROHM在對比各種功率器件的基礎上，對SiC元器件的市場采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產品陣容、開發(fā)以及市場情況做了詳盡的介紹。　　各種功率器件的比較　　功率元器件主要用于轉換電源，包括四大類：逆變器、轉換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉換器、矩陣
關鍵字： SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503

LED襯底第三代半導體SiC技術的崛起

　　第一代半導體材料Si點燃了信息產業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產業(yè)群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。　　　　目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
關鍵字： LED SiC MOSFET

ROHM：國際半導體巨頭的“小”追求和“低”要求

　　近年來，隨著柔性屏幕、觸控技術和全息技術在消費電子領域的應用日益廣泛，智能手機、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設備的微型化，設備內部印制電路板所需搭載的半導體器件數(shù)大幅提升，而在性能不斷提升的同時，質量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個領域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發(fā)展方向，也是將來的趨勢。　　談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
關鍵字： ROHM 半導體 SiC

SiC功率半導體將在2016年形成市場成為新一輪趨勢

　　矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。　　全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) 　　2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩(wěn)步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。　　預計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設備領域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規(guī)
關鍵字： SiC 功率半導體

SiC對醫(yī)療設備電源為最佳選擇，三菱電機展示高頻功率模塊

　　三菱電機開發(fā)出了支持50kHz左右高頻開關動作的工業(yè)設備用混合SiC功率半導體模塊，并在7月23～25日舉辦的“日本尖端技術展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)，從2014年5月開始樣品供貨。　　據(jù)介紹，新產品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設備，尤其適合經(jīng)常采用高開關頻率的醫(yī)療設備用電源。新產品有6種，耐壓均為1200V，額定電流為100A～600A不等。通過采
關鍵字： SiC 醫(yī)療設備

東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產品陣容

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動?！　BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)?！　iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
關鍵字：東芝 SBD SiC

美國阿肯色大學設計工作溫度超過350°C的SiC基集成電路

　　美國阿肯色大學研究人員已經(jīng)設計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時工作的集成電路。該研究由美國國家科學基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設備、汽車和航空航天設備領域的處理器、驅動器、控制器和其他模擬與數(shù)字電路的功能，因為所有這些應用場合的電子設備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運行。　　阿肯色大學電子工程學院特聘教授Alan Mantooth說，“堅固性允許這些電路被放置在標準硅基電路部件無法工作的地方。我們設計了性能優(yōu)越的信號處理電路模
關鍵字： SiC 集成電路

東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產品陣容

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動?！　BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)。　　SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
關鍵字：東芝 SBD SiC

美國阿肯色大學設計工作溫度超過350°C的SiC基集成電路

美國設計出可在溫度高于350°C 時工作的集成電路，該產品可以用于高溫甚至極溫下運行的航空航天設備......
關鍵字： SiC 集成電路

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sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]