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汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E

  • 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實(shí)現(xiàn)各種各樣的功能，包括負(fù)載切換、電機(jī)控制以及DC/DC轉(zhuǎn)換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  DC/DC轉(zhuǎn)換  SQJQ480E  

寬禁帶技術(shù)-下一代功率器件

  • 　　行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品都需具有最高能效?！　⊥瑫r，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目
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羅姆首次亮相“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”

  • 　　全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”(展位號：2展館T213)。以“用半導(dǎo)體為汽車的未來做貢獻(xiàn)”為理念，帶來了新能源汽車、汽車小型化輕量化、自動駕駛、人機(jī)交互等相關(guān)領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)品?！　×_姆展臺人頭攢動　　在 “Formula E國際汽聯(lián)電動方程式錦標(biāo)賽”特別展示區(qū)以及“xEV”、“環(huán)保/節(jié)能”、“安全/舒適”三大展區(qū)內(nèi)，重點(diǎn)展示了以下產(chǎn)品和技術(shù)：　　? 先進(jìn)的SiC(碳化硅)技術(shù)：助力 “Formula
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德州儀器CTO：TI顛覆性技術(shù)將引領(lǐng)我們快速前進(jìn)

  • 　　當(dāng)我坐在電動汽車上踩下加速踏板，時速在3秒之內(nèi)就能從0飆升到近100公里——我非常享受這個過程。正如我駕車疾馳在高速公路快車道上，而新一代技術(shù)將載著我們馳騁在大數(shù)據(jù)公路的快車道上?！　诚胍幌拢录夹g(shù)將影響著我們未來的工作和生活：　　· 汽車組裝生產(chǎn)線上將重新配置協(xié)作機(jī)器人，由它們來組裝不同型號的車輛。這將在降低成本的同時大大提高生產(chǎn)力，發(fā)揮競爭優(yōu)勢。今天，重置一個這樣的工廠可能需要幾年的時間?！　　?機(jī)器視覺技術(shù)將使人們即使在夜間、霧天和灰塵的環(huán)境下，駕駛時也可清晰視物?！　　?充電器尺寸將縮小到信
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應(yīng)用角：云電源

  • 　　云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數(shù)據(jù)的設(shè)備的電源的通用術(shù)語。在電信或傳輸應(yīng)用中，云電源將為基帶單元和遠(yuǎn)程無線電單元供電。用于存儲和處理的服務(wù)器機(jī)群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時斷電時用戶仍可訪問云。每臺服務(wù)器還將需要一個電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉(zhuǎn)換器來提供負(fù)載點(diǎn)電源?！　∮捎谖锫?lián)網(wǎng)顯著增加了捕獲某種數(shù)據(jù)的端點(diǎn)數(shù)(2017年付運(yùn)約20億臺設(shè)備，比2015年增長54%)，因此需要大量的存儲器來處理和存儲數(shù)據(jù)。為此，正在構(gòu)建大型服務(wù)器機(jī)群，這些機(jī)群將消耗大量電力。電源轉(zhuǎn)換將產(chǎn)生熱量，終
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IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用知識學(xué)習(xí)

  • 　　IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用　　IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快 的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)。　　理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示：　　IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點(diǎn)考慮動態(tài)特性(開關(guān)特性)。　　動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
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宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)

  • 　　隨著電子產(chǎn)品功能愈來愈多元，對于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產(chǎn)能不足，客戶龐大需求下，電子產(chǎn)品驗(yàn)證服務(wù)龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)」，目前已有20多家海內(nèi)外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設(shè)計企業(yè)已于今年第一季底，前來宜特進(jìn)行工程試樣，并于第二季初開始進(jìn)行小量產(chǎn)，并在下半年正式量產(chǎn)。　　宜特董事長 余維斌指出，在車用可靠度驗(yàn)證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務(wù)客戶的同時，發(fā)現(xiàn)了此
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低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度

  • 　　相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體?！　“采腊雽?dǎo)體擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時，往往面對在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
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意法半導(dǎo)體推出離線轉(zhuǎn)換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

  • 　　意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費(fèi)和工業(yè)電源的靈活性?！　∵壿嫾壴匨OSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作，可用于設(shè)計高效的5V輸出開關(guān)電源。結(jié)合內(nèi)部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能，這種優(yōu)勢可簡化設(shè)計，節(jié)省空間和物料清單成本。　　VIPer11高壓轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
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工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動用的SiC電源解決方案

  • 　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來使系統(tǒng)正常運(yùn)行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢且設(shè)計簡單、性價比高的電源解決方案?！　⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
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我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破

  • 　　6月5日，在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“奮力”生長?！　≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！薄　iC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
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我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破

  • 　　6月5日，在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“奮力”生長。　　中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！薄　iC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用

  • 　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強(qiáng)固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢?！　iC技術(shù)提供比硅器件更佳的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復(fù)電流，開關(guān)性能與溫度無關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
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計算MOSFET非線性電容

  • 　　最初為高壓器件開發(fā)的超級結(jié)MOSFET，電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴(kuò)展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結(jié)電容，但電荷平衡使后者非線性進(jìn)一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復(fù)雜?！　OSFET三個相關(guān)電容不能作為VDS的函數(shù)直接測量，其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數(shù)據(jù)手冊最終測量給出的三個值定義如下：　　CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD　　三者中，輸入電容CG
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美高森美繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件

  • 　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應(yīng)的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
  • 關(guān)鍵字： 美高森美  SiC  
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