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MOS芯片缺貨潮2019年有望緩解 應(yīng)用端提升8寸產(chǎn)線成主力

  • 　　以MLCC為代表的被動(dòng)元件在進(jìn)入第三季度后，受產(chǎn)能供需吃緊影響，價(jià)格大漲，部分物料漲幅甚至超過10倍。而與被動(dòng)元件市場行情相似的MOSFET芯片也出現(xiàn)缺貨潮，導(dǎo)致價(jià)格上漲，即便是在溢價(jià)20%的基礎(chǔ)上新增訂單，供應(yīng)商仍難交出貨來。更嚴(yán)重的是，MOSFET芯片市場缺貨潮短期內(nèi)將難以緩解，保守估計(jì)到2019年局面才能改觀。 　　據(jù)IHS數(shù)據(jù)顯示，2016年MOSFET芯片市場總規(guī)模為205億美元，2017年預(yù)計(jì)將增長到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、電動(dòng)汽車以及IIoT等領(lǐng)域，杭州士
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如何確保MOS管工作在安全區(qū)

  • 　　電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)?！　∥覀冎篱_關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會(huì)導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸，非常危險(xiǎn)。這里就衍生一個(gè)概念，安全工作區(qū)。　　一、什么是安全工作區(qū)?　　安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
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我國第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破

  • 　　近日，863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗(yàn)收。 　　通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
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精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案

  • 精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題，BP3216內(nèi)部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應(yīng)用；采用源極驅(qū)動(dòng)，DCMB的控制方式，沒有二極管反向恢復(fù)，開關(guān)損耗小。P3216系列芯片內(nèi)部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿足不同功率輸出的要求。
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導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減

  • 導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的首要目標(biāo)。為達(dá)此一目的，半導(dǎo)體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負(fù)載及輕負(fù)載時(shí)的功率損耗。
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為反向極性保護(hù)設(shè)計(jì)一個(gè)電路

  • 為反向極性保護(hù)設(shè)計(jì)一個(gè)電路-反向極性解決方案被看成是一個(gè)迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽車系統(tǒng)中，搭線啟動(dòng)期間，防止電池反接或者電纜反向連接很重要，然而系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員也必須忍受反向極性保護(hù)出現(xiàn)時(shí)的功率損耗。
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有刷直流柵極驅(qū)動(dòng)器的演變

  • 有刷直流柵極驅(qū)動(dòng)器的演變-回望在電子產(chǎn)品領(lǐng)域奮戰(zhàn)的20年，我們已走過了漫漫長路。2015年正發(fā)布的組件具有無與倫比的精細(xì)度和集成度。處理器速度更快，發(fā)光二極管（LED）亮度更高，存儲(chǔ)器密度更大，每樣?xùn)|西的功耗都更低，并且集成電路（IC）集成了比以往任何時(shí)候都多的組件。
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模塊電源的散熱應(yīng)對措施

  • 模塊電源的散熱應(yīng)對措施- 本篇文章以實(shí)例為基準(zhǔn)，分析一個(gè)設(shè)計(jì)方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
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基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案

  • 基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補(bǔ)，各取所長才能共建一個(gè)良好的系統(tǒng)供電環(huán)境，同時(shí)開啟它們的共贏之路。
  • 關(guān)鍵字： MPS模塊  MOSFET  LDO  DC-DC  

Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超高速切換

  • 　　Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個(gè)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴(kuò)充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅(jiān)定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80m?)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)的
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采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)雙電壓mosfet驅(qū)動(dòng)電路

  • 采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)雙電壓mosfet驅(qū)動(dòng)電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個(gè)方波信號(hào)，利用電容Cboot將A點(diǎn)電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個(gè)與輸入信號(hào)反相，且高電平高于VDD的方波信號(hào)。具體工作原理如下：
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功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動(dòng)電路圖

  • 功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動(dòng)電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，功率mosfet驅(qū)動(dòng)電路原理圖。
  • 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng)電路  mosfet  電路圖  

利用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡(luò)

  • 利用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡(luò)-假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個(gè)電流沉/源的大小任意，可能須要針對不同階段的一些復(fù)雜模擬電路進(jìn)行偏置。雖然基準(zhǔn)電壓的生成僅須一次實(shí)施即可，電流沉整個(gè)反饋部分的重復(fù)進(jìn)行卻使成本與設(shè)計(jì)空間密集化。
  • 關(guān)鍵字： 模擬電路  MOSFET  

MOSFET 安全工作區(qū)對實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

  • MOSFET 安全工作區(qū)對實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題。控制器 IC 驅(qū)動(dòng)與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負(fù)載電容充電時(shí)能夠保持在安全水平。
  • 關(guān)鍵字： mosfet  linear  
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