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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，您知道嗎？

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧。寄生導(dǎo)通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
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解決補(bǔ)能焦慮，安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布

800V車型刷屏，高壓SiC車載應(yīng)用加速普及。實(shí)際上，近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構(gòu)車型的量產(chǎn)，多款20-25萬元價(jià)格段的標(biāo)配SiC車型上市。2024年，隨著車企卷價(jià)格卷性能戰(zhàn)略推進(jìn)，將進(jìn)一步拉動(dòng)SiC滲透。SiC迎來800V高壓平臺風(fēng)口◆ 800V架構(gòu)成為電動(dòng)汽車主流電動(dòng)化進(jìn)程持續(xù)推進(jìn)，安森美（onsemi）電源方案事業(yè)部汽車主驅(qū)方案部門產(chǎn)品總監(jiān)Jonathan Liao指出預(yù)計(jì)到2030年將有1.5億輛新能源汽車駛上道路。但從消費(fèi)者角度看購買電動(dòng)車的兩大顧慮是續(xù)航里程和充電便利性
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英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下，電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強(qiáng)大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列，擴(kuò)展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導(dǎo)體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于Coo
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優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備通過技術(shù)鑒定

6月7日，蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備獲行業(yè)專家認(rèn)可，成功通過技術(shù)鑒定評審。鑒定委員會(huì)認(rèn)為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設(shè)備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng)新性強(qiáng)，突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術(shù)瓶頸，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，經(jīng)濟(jì)效益顯著。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導(dǎo)電型SiC晶體生長設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機(jī)型——UKIN
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MOSFET在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

服務(wù)器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場景中，主要應(yīng)用于服務(wù)器、存儲器等設(shè)備。它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源。服務(wù)器電源按照標(biāo)準(zhǔn)可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標(biāo)準(zhǔn)是Intel在1997年推出的一個(gè)規(guī)范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機(jī)、工作站和低端服務(wù)器。SSI（Server System Infrastructure）規(guī)范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構(gòu)服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規(guī)范，SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務(wù)器電源技術(shù)，降低開發(fā)成本，延長服務(wù)器的使用壽命
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PANJIT最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級MOSFET系列

PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規(guī)級?MOSFET，此系列通過先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)達(dá)到優(yōu)異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（FOM），顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
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恩智浦與采埃孚合作開發(fā)基于SiC的牽引逆變器

6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導(dǎo)體）在官網(wǎng)披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動(dòng)汽車（EV）開發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應(yīng)用。據(jù)介紹，GD316x產(chǎn)品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長電動(dòng)汽車的續(xù)航里程、減少充電停車次數(shù)、同時(shí)降低OEM廠商的系統(tǒng)級成本。據(jù)了解，牽引逆變器是電動(dòng)汽車電力傳動(dòng)系統(tǒng)的
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吉利汽車與ST簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議，成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

●? ?意法半導(dǎo)體第三代SiC MOSFET助力吉利相關(guān)品牌純電車型提高電驅(qū)能效●? ?雙方成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，共同推動(dòng)節(jié)能智能化電動(dòng)汽車發(fā)展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)近日與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(tuán)(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個(gè)品牌
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意法半導(dǎo)體與吉利汽車簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議

6月4日，意法半導(dǎo)體（ST）與吉利汽車集團(tuán)宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。據(jù)數(shù)據(jù)顯
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吉利汽車與ST簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型；成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)雙方創(chuàng)新合作

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(tuán)宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、
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構(gòu)建新型能源體系，充電樁市場將迎來高增長

能源是人類生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ)，能源轉(zhuǎn)型則是當(dāng)今國際社會(huì)關(guān)注的焦點(diǎn)問題，隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)意識的增強(qiáng)和能源危機(jī)的擔(dān)憂，新能源市場的需求正在快速增長。　　當(dāng)前全球汽車產(chǎn)業(yè)電動(dòng)化正在深度推進(jìn)，在新能源革命浪潮下，新能源汽車產(chǎn)業(yè)成為各國重點(diǎn)發(fā)力方向。隨著新能源汽車技術(shù)的日趨成熟，充電基礎(chǔ)設(shè)施快速發(fā)展。近年來，我國已建成世界上數(shù)量最多、服務(wù)范圍最廣、品種類型最全的充電基礎(chǔ)設(shè)施體系。目前按照1公樁=3個(gè)私樁的測算，中國2023年增量市場的純電動(dòng)車的車樁比已經(jīng)1：1，領(lǐng)先世界其它國家數(shù)倍
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MOSFET基本原理、參數(shù)及米勒效應(yīng)全解

1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應(yīng)管（FET）是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，由于緊靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵兩種，因?yàn)榻^緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡稱MOS管）的柵源間電阻比結(jié)型大得多且比結(jié)型場效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時(shí)工藝簡單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時(shí)漏極電流也為零的管子均屬于增強(qiáng)型管，只要柵極-源極
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如何增強(qiáng) SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關(guān)鍵！

電動(dòng)汽車 (EV) 市場的快速增長推動(dòng)了對下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。事實(shí)上，至少在本世紀(jì)下半葉之前，SiC功率器件可能會(huì)供不應(yīng)求。而隨著 SiC 襯底應(yīng)用于 SiC 功率器件，襯底質(zhì)量和制造技術(shù)方面取得了哪些進(jìn)步，以提高器件性能、減少缺陷并增強(qiáng)可靠性？為了優(yōu)化未來 SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進(jìn)和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰(zhàn)SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點(diǎn)。SiC 芯片可以在更高溫度下運(yùn)行，并能有效處理更高電壓，從而增強(qiáng)電動(dòng)汽車的功率密度
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功率MOSFET的工作原理

功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理(1)開通和關(guān)斷過程實(shí)驗(yàn)電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開關(guān)過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時(shí)，MOSFET 被驅(qū)動(dòng)開通;-- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時(shí)刻，到達(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開始導(dǎo)電;-- [t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
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第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動(dòng)方案

第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動(dòng)方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性，也意味著它們對柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)方案展開了解，其中包括驅(qū)動(dòng)過電流、過電壓保護(hù)以及如何為SiC MOSFET選擇合
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