si cmos 文章最新資訊

瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)

　　瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細(xì)化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時(shí)，以更小的面積實(shí)現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號(hào)：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達(dá)到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認(rèn)了其工作性能。主要用于實(shí)現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。　　在So
關(guān)鍵字：瑞薩電子 SRAM CMOS

Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議共同開拓新技術(shù)

　　全球領(lǐng)先的芯片制造協(xié)會(huì)SEMATECH和先進(jìn)無(wú)線芯片供應(yīng)商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協(xié)議，共同推進(jìn)CMOS技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展。Qualcomm是第一家進(jìn)入SEMATECH的芯片設(shè)計(jì)公司，Qualcomm將深入?yún)⑴c和SEMATECH的研發(fā)項(xiàng)目，共同探索延續(xù)摩爾定律的新技術(shù)。
關(guān)鍵字： Qualcomm CMOS 芯片設(shè)計(jì)

0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設(shè)計(jì)

本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產(chǎn)生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環(huán)增益，62°的相位裕度，高達(dá)138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
關(guān)鍵字： CMOS 0.5 um 電流反饋

光致發(fā)光技術(shù)在檢測(cè)晶體Si太陽(yáng)電池缺陷的應(yīng)用

引言　　近年來(lái)，光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，提高效率和降低成本成為整個(gè)行業(yè)的目標(biāo)。在晶體Si太陽(yáng)電池的薄片化發(fā)展過程中，出現(xiàn)了許多嚴(yán)重的問題，如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等，正是這些缺陷限制了電池的光電
關(guān)鍵字：電池缺陷應(yīng)用太陽(yáng) Si 技術(shù) 檢測(cè) 晶體發(fā)光

TTL或CMOS集電極開路輸出的功耗

用來(lái)計(jì)算TTL集電極開路輸出電路靜態(tài)功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓
R=端接電阻的有效值
VHI=高電平輸出（通常等于VT）
VLO=低電平輸出
VEE=輸出晶體管的射極（或源極
關(guān)鍵字： CMOS TTL 集電極開路功耗

高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

引言
本文采用±5V電源，設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線性度的電路，并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的使用
關(guān)鍵字： CMOS 高線性度調(diào)幅電路技術(shù)

CMOS雙向開關(guān)工作原理

CMOS雙向開關(guān)也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關(guān)在模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開關(guān)產(chǎn)品有CC4066/4051/4052/4053等，性能優(yōu)良，使用方便且成本低。每個(gè)開關(guān)只有一個(gè)控制端和兩互為輸入/輸出信號(hào)端，
關(guān)鍵字： CMOS 開關(guān) 工作原理

CMOS PA陷入成本和性能兩難，“單芯片手機(jī)”夢(mèng)受阻

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： PA 砷化鎵 CMOS 單芯片手機(jī) SiCMOS

imec中國(guó)成立與華力合作項(xiàng)目正式簽約

　　5月25日，imec中國(guó)正式在上海張江高科技園區(qū)成立。同時(shí)，與華力微電子在先進(jìn)芯片制程工藝技術(shù)上的合作開發(fā)項(xiàng)目也正式簽約。　　imec與中國(guó)的合作已有十年的歷史，隨著中國(guó)在先進(jìn)制程上的不斷投入，中國(guó)已經(jīng)成為imec潛在的一個(gè)重要市場(chǎng)。imec中國(guó)今后將會(huì)進(jìn)一步加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)、高校和科研院所在微電子技術(shù)轉(zhuǎn)讓與許可、聯(lián)合研發(fā)以及培訓(xùn)等領(lǐng)域的合作。目前imec中國(guó)只有五名員工，隨著今后越來(lái)越多的合作協(xié)議的簽訂，imec中國(guó)將會(huì)吸引更多的研發(fā)人員與當(dāng)?shù)仄髽I(yè)展開更加緊密地合作。　　imec中國(guó)成立當(dāng)天，
關(guān)鍵字： imec CMOS 65nm

音頻功率放大器的CMOS電路設(shè)計(jì)

完成了一種橋式連接音頻功率放大器的仿真和設(shè)計(jì)。該音頻功率放大器的主體為橋式連接的兩個(gè)運(yùn)算放大器，使用盡可能小的外部組件提供高質(zhì)量的輸出功率，不需要輸出耦合電容、自舉電容和緩沖網(wǎng)絡(luò)。應(yīng)用Cadence的Spectre模擬仿真工具進(jìn)行電路仿真，得到其電路指標(biāo)如頻響特性、電源電壓抑制比、總諧波失真等均達(dá)到要求。該音頻功率放大器具有良好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。
關(guān)鍵字：電路設(shè)計(jì) CMOS 功率放大器音頻

OmniVision推出世上最小高清攝像機(jī)解決方案

　　高端數(shù)字成像解決方案的領(lǐng)先開發(fā)商 OmniVision Technologies, Inc.今日推出了 OV2720，是世界上第一個(gè)1/6-inch，原生1080p/30的高清晰度(HD)的CMOS圖像傳感器。OV2720主要針對(duì)筆記本電腦，上網(wǎng)本，攝像頭和視頻會(huì)議等應(yīng)用而設(shè)計(jì)。OV2720是以該公司1.4微米「OmniBSI」背面照度(Backside Illumination，BSI)技術(shù)為基礎(chǔ)，可提供HD品質(zhì)的影像會(huì)議，同時(shí)還能符合現(xiàn)今薄型筆記本電腦所要求的模組尺寸。　　OV2720已開始
關(guān)鍵字： OmniVision CMOS，圖像傳感器

短話聯(lián)電30年

　　30年前的5月20日，臺(tái)灣第一家半導(dǎo)體公司─聯(lián)電誕生，這是培育半導(dǎo)體界人才的搖籃，由于投身晶圓代工產(chǎn)業(yè)，為臺(tái)灣半導(dǎo)體打造完整上中下游產(chǎn)業(yè)鏈，孕育臺(tái)灣兆元產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。聯(lián)電接著將借由合并和艦，啟動(dòng)下一個(gè)30年的成長(zhǎng)，揭開國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體兩岸產(chǎn)業(yè)分工的新頁(yè)。　　聯(lián)電將在20日于南科12A廠盛大舉辦慶生活動(dòng)，聯(lián)電榮譽(yù)董事長(zhǎng)曹興誠(chéng)表示，當(dāng)天將會(huì)和聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智透過網(wǎng)絡(luò)視訊，為聯(lián)電同仁加油、打氣。　　面對(duì)聯(lián)電下一個(gè)30年，曹興誠(chéng)認(rèn)為，雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)不像當(dāng)年，擁有資本市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)，但聯(lián)電處在一個(gè)對(duì)的經(jīng)營(yíng)模
關(guān)鍵字：聯(lián)電晶圓代工 CMOS

IMEC與臺(tái)積電進(jìn)行后CMOS合作

　　IMEC總裁Luc van den Hove表示為了開發(fā)新型的混合工藝技術(shù)(沿著后摩爾定律), 它的研究所決定與臺(tái)積電進(jìn)行合作。　　盡管IMEC己經(jīng)與諸多先進(jìn)芯片制造廠在CMOS材料與工藝方面進(jìn)行合作, 但是仍需要有大量的創(chuàng)新應(yīng)用來(lái)推動(dòng)CMOS技術(shù)的進(jìn)步。　　IMEC總裁在Dresden的國(guó)際電子學(xué)年會(huì)上認(rèn)為,IMEC欲開發(fā)專業(yè)應(yīng)用的CMORE平臺(tái)。所謂混合工藝是指把邏輯電路與存儲(chǔ)器采用熱，化學(xué)及光學(xué)傳感器混合在一起, 或者采用BiCMOS工藝與生物電子接口, 光電子,MEMS及RF電路結(jié)合在
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 CMOS 芯片制造

Quamtum-SI DDR3仿真解析

Automated DDR3 Analysis

Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam
關(guān)鍵字： Quamtum-SI DDR3 仿真

IR推出汽車用AUIRS2117S和AUIRS2118S 600V IC

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天推出 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC，適用于汽車柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括直噴裝置和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。　　AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)傳輸時(shí)間非常短，可以在更高的頻率下驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT，由此可通過使用更小的濾波元件縮小系統(tǒng)尺寸。　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“AUIRS2117S 和 AUIRS2118S拓展了IR的汽車用I
關(guān)鍵字： IR CMOS IC