全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴展定制晶圓代工能力，推出新的具價格競爭力、符合業(yè)界標準的0.18微米(µm) CMOS工藝技術。
這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺，用于汽車、工業(yè)及醫(yī)療應用。基于ONC18工藝的方案將在安森美半導體位于美國俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠制造，因此，預期對于尋求遵從國際武器貿易規(guī)章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內生產的美國軍事應用設計人
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安森美 CMOS 晶圓制造
1969年，貝爾實驗室(Bell Laboratories)的科學家Willard S. Boyle和George E. Smith發(fā)明了第一個成功的數字影像傳感器技術：電荷耦合組件(CCD)。40年后，隨著影像傳感器逐漸發(fā)展成為一個年出貨量達13億顆的龐大市場，這兩位技術先鋒也在2009年獲頒諾貝爾物理獎，以表揚他們在數字成像領域的貢獻。
“影像傳感器技術對世界和整個社會帶來了巨大且深遠的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說。“影像
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CCD CMOS 影像傳感器
本文采用0.18µm CMOS工藝設計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復用器電路。該電路采用數?；旌系姆椒ㄟM行設計，第一級用數字電路實現16:4的復用，第二級用模擬電路實現4:1的復用，從而實現16:1的復用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進行了仿真。仿真結果表明，當電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。
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micro 0.18 CMOS 2.5
臺積電宣布與AMCC(應用微電路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)結盟，AMCC的Power Architecture嵌入式微處理器將以臺積電90奈米CMOS制程生產，未來將進一步推進到65奈米及40奈米制程。這意味著臺積電在 CPU代工領域再下一城。
AMCC為全球能源及通訊解決方案商，臺積電表示，這次雙方的合作，是AMCC Power Architecture嵌入式微處理器首次采用非SOI制程技術，受惠于臺積電成熟的bulk CMOS技術
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臺積電 CPU代工 CMOS
為了提高CMOS圖像傳感器的圖像質量，通過對圖像主要的噪聲源以及圖像失真的分析，提出一種新型的CMOS有源像素圖像傳感器。該CMOS圖像傳感器使用4T有源像素，大大提高了圖像傳感器的靈敏度。通過在傳感器中集成圖像預處理功能，對改善圖像的質量起到了很好的效果。
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CMOS 圖像傳感器
世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術，已進入量產階段。
華虹NEC和關鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標準0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，3.3V的輸入輸出電路。經過精細調整集成了4個功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質的圖像。而特別處理的后端布線工藝保證了像素區(qū)高敏感性，可
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華虹NEC 晶圓代工 CMOS 圖像傳感器
CMOS技術作為設計射頻接收機電路的一種主要技術，正在得到廣泛研究。本文首先總結了當前射頻接收機的幾種常用結構和主要的工作特性、參數，然后介紹了三種最新的不同結構形式的CMOS射頻前端電路。
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電路 系統(tǒng) 接收機 射頻 CMOS CAN
為滿足納型衛(wèi)星的遙感系統(tǒng)要求, 設計了一套基于互補型金屬氧化物半導體CMOS 圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng), 采用PC 機模擬星上數據處理系統(tǒng)的功能, 通過控制器局域網CAN總線實現了對CMOS 相機的控制和圖像傳輸等功能。通過熱循環(huán)實驗, 得到了該CMOS 相機平均暗輸出和暗不一致性隨溫度的變化曲線, 預測其適于在10～25 ℃的空間溫度環(huán)境中工作, 并可經受- 25～60 ℃的衛(wèi)星艙內溫度變化。
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CMOS 圖像傳感器 納型衛(wèi)星 遙感
日前，由謝布克大學、加拿大魁北克政府以及IBM(加拿大)和DALSA公司攜手成立的新微電子創(chuàng)新中心在加拿大魁北克Bromont高科技園區(qū)正式落成。該研究中心將對下一代硅片集成以及MEMS系統(tǒng)進行深入研究與開發(fā)。
新的微電子創(chuàng)新中心對于DALSA未來的發(fā)展尤為關鍵，尤其是在MEMS與WLP相關設備的安裝和未來操作職責上擔負主要角色。
Dalsa是一家MEMS、高壓CMOS和先進CCD制造代工廠。
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IBM MEMS CMOS
市場研究機構StrategiesUnlimited指出，全球圖像傳感器市場將在09年縮水11%，來到64億美元規(guī)模，不過接下來將逐漸恢復正常成長。該機構預期，未來數年該市場的平均年成長率會維持在個位數;到09年為止，其十年來的復合年成長率高達22%。
圖像傳感器市場在2009年的衰退主要是受到全球經濟景氣循環(huán)影響，而這樣的負面影響恐怕會持續(xù)下去，特別是在該市場因為幾乎所有手機都內建相機而經歷爆炸性成長之后。未來幾年，預計圖像傳感器的銷售量仍將呈現成長，但短期需求波動、供應過?；虺跃o，以及沉重的價
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CCD 傳感器 CMOS
近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術受到廣泛的關注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術上所限難以實現，而多采用中頻采樣的方法。而對
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Telescopic 0.13 CMOS 工藝
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CMOS 性能 集成 電壓比較器
SRC公司與耶魯大學的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內存芯片性能的新技術。這項技術使用鐵電體層來替換傳統(tǒng)內存芯片中的電容結構作為基本的存儲 單元，科學家們將這種內存稱為鐵電體內存(FeDRAM),這種內存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結構，不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質材料制作。
這種技術能使存儲單元的體積更小，信息的保存時間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右，刷新的時間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數據。此外，有關的制
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內存芯片 CMOS FeDRAM
片上集成A/D轉換器是CMOS圖像傳感器的關鍵部件，文章分析和比較了三類不同集成方式：芯片級，列級和象素級的原理，性能和特點。最后，展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉換器的未來發(fā)展趨勢。
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CMOS 圖像傳感器 集成 轉換器
今年國內拉動內需，特別是3G的啟動建設和FTTH進入實質性的發(fā)展階段，使光模塊市場一片紅火，預計今年我們可實現60%的業(yè)務增長。
由于對IC行業(yè)來說光通信市場不大，所以光收發(fā)IC芯片的供應商并不是很多，在國內我們是第一家量產高速收發(fā)芯片的IC公司。
國內芯片企業(yè)的優(yōu)勢主要是在成本上，研發(fā)成本、管理成本、銷售成本都比國外企業(yè)要低。對IC來說，基于同樣的工藝，制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優(yōu)勢必須發(fā)揮技術優(yōu)勢，采用相對低成本的工藝，做出同樣的產品性能。我們采用CMOS工藝的收發(fā)IC芯片
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3G CMOS IC設計 FTTH
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