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DRAM臺(tái)日5家聯(lián)手抗韓 隱見(jiàn)TIMC身影
- 盡管臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司TIMC在立院緊急喊卡,但最近與TIMC洽談合作的日商爾必達(dá),仍是與臺(tái)灣的茂德、華邦電進(jìn)行業(yè)務(wù)合作,如果加上力晶和瑞晶,也形成臺(tái)日5家DRAM廠,聯(lián)手抗韓的局面,爾必達(dá)系統(tǒng)廠商,未來(lái)的市占率和排名第二的韓國(guó)海力士,也只有百分之零點(diǎn)三的差距。至于爾必達(dá)與茂德、華邦電的合作,是否由宣明智穿針引線(xiàn),他則是強(qiáng)調(diào)對(duì)方相當(dāng)重視臺(tái)灣業(yè)界。 全球DRAM大廠日商爾必達(dá),連日來(lái)動(dòng)作頻頻,接連與茂德和華邦電進(jìn)行合作計(jì)畫(huà),加上力晶本來(lái)就是爾必達(dá)的合作廠商,又握有瑞晶六成四的股份,以爾必達(dá)為首的臺(tái)
- 關(guān)鍵字: TIMC 存儲(chǔ)器 DRAM
臺(tái)“立法院”要求“經(jīng)濟(jì)部”停止推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃
- 臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”力推「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案計(jì)畫(huà)」,在宣布臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)已獲審查通過(guò)后,“立法院”經(jīng)濟(jì)委員會(huì)11日提出重要決議,要求“經(jīng)濟(jì)部”停止推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫(huà),等同禁止“經(jīng)濟(jì)部”協(xié)助TIMC獲得國(guó)發(fā)基金投資。 值得注意的是,目前TIMC浮上臺(tái)面投資金主包括矽品、京元電、兆豐金等,潛在投資者更囊括半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和創(chuàng)投資金,但前提必須是TIMC要明確獲得國(guó)發(fā)基金資金挹注,原本投資TIMC
- 關(guān)鍵字: TIMC DRAM
DDR內(nèi)存合約價(jià)格大漲 南科華亞科受惠
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,11月上旬動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)合約價(jià)出爐,DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價(jià)皆大漲超過(guò)15%,DDR2 2Gb合約均價(jià)漲幅也達(dá)13.9%,預(yù)估11月下旬DDR2合約價(jià)可望持續(xù)攀高,以合約市場(chǎng)為主的南科、華亞科預(yù)估受惠較大。 集邦科技昨最新報(bào)價(jià),11月上旬DDR2 1Gb顆粒合約均價(jià)達(dá)2.38美元,比10月下旬大漲15.53%;DDR3 1Gb顆粒合約均價(jià)達(dá)2.25美元,大漲15.98%。 另DDR2 2Gb合約均價(jià)從36美元上漲到41美元,漲幅達(dá)13.9
- 關(guān)鍵字: 南科 DRAM DDR2 DDR3
DRAM合約價(jià)大漲,今年沒(méi)淡季
- 2009年DRAM產(chǎn)業(yè)沒(méi)有淡季,11月上旬DDR2和DDR3合約價(jià)持續(xù)大漲近20%,2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價(jià),足見(jiàn)PC OEM廠拉貨力道沒(méi)有休息跡象,DRAM廠為確保DDR2和DDR3買(mǎi)氣同步增溫,趁機(jī)向下游廠祭出搭售方式。DRAM廠認(rèn)為,隨著PC OEM廠第4季大量轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3平臺(tái),未來(lái)DDR3現(xiàn)貨及合約價(jià)將同步凌駕DDR2,而現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR3報(bào)價(jià)亦展開(kāi)攻勢(shì),一舉站上3美元大關(guān)。 DRAM價(jià)格11月上旬漲幅超乎預(yù)期,2GB DDR2模塊漲勢(shì)尤其猛烈,大漲19~21%,平均價(jià)
- 關(guān)鍵字: DRAM DDR2 DDR3
第三季度全球PC微處理器出貨量環(huán)比上升23%
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,根據(jù)IDC的新數(shù)據(jù),全球范圍內(nèi),第三季度個(gè)人電腦微處理器出貨量環(huán)比上升了23%。 從營(yíng)收角度來(lái)說(shuō),第三季度個(gè)人電腦處理器市場(chǎng)規(guī)模比第二季度增長(zhǎng)了14%以上,達(dá)到74億美元。 2009年第三季度,從出貨量來(lái)看,英特爾占有全球個(gè)人電腦處理器市場(chǎng)81.1%的市場(chǎng)份額,比第二季度增加2.2個(gè)百分點(diǎn);AMD的市場(chǎng)份額為18.7%,比第二季度減少2.0個(gè)百分點(diǎn);VIA的市場(chǎng)份額為0.2%。
- 關(guān)鍵字: AMD 微處理器 PC
爾必達(dá)和茂德簽署DRAM代工協(xié)議
- 茂德(ProMos)已和爾必達(dá)(Elpida)簽署DRAM代工合約,爾必達(dá)將提供先進(jìn)的制程技術(shù)與產(chǎn)品技術(shù)給茂德,茂德將以中科12寸晶圓廠提供爾必達(dá)DRAM代工服務(wù)。 茂德表示,代工服務(wù)以爾必達(dá)最先進(jìn)的1G DDR3產(chǎn)品為主,預(yù)計(jì)2010年上半完成試產(chǎn),2010年下半大量生產(chǎn)。此外,爾必達(dá)發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示,茂德每月將使用多達(dá)3.5萬(wàn)片12寸晶圓為爾必達(dá)制造芯片,同時(shí),采用65奈米制程技術(shù)。 茂德董事長(zhǎng)暨總經(jīng)理陳民良表示,爾必達(dá)在全球DRAM產(chǎn)業(yè)中以尖端制程技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM 晶圓 DDR3
集邦:全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收季增率高達(dá)40.7%
- 根據(jù)調(diào)查,今年第三季,DDR3在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下,需求量激增,DDR3合約價(jià)在第三季大漲36%,現(xiàn)貨價(jià)也在合約價(jià)的帶動(dòng)下上漲24%。DDR2方面,由于DDR3合約價(jià)格大漲,亦帶動(dòng)DDR2合約價(jià)格的漲勢(shì),且在第三季國(guó)際DRAM大廠轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3相當(dāng)積極,導(dǎo)致DDR2出貨量減少效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵,部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫(kù)存水位,使得本季DDR2合約價(jià)漲幅高達(dá)31%、現(xiàn)貨價(jià)格漲幅亦高達(dá)30%,漲幅與DDR3不惶多讓。 第三季各DRAM廠商營(yíng)收在DDR3合約價(jià)
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM DDR3 DDR2
TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃
- 2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底,臺(tái)灣DRAM廠開(kāi)門(mén)做生意平均每天虧新臺(tái)幣1億元,且龐大的負(fù)債成為臺(tái)灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問(wèn)題,因此經(jīng)濟(jì)部為挽救臺(tái)灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè),宣布要進(jìn)行產(chǎn)業(yè)再造,成立臺(tái)灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TMC),之后因?yàn)榇嗣忠驯黄渌咀?cè),因此改名為T(mén)aiwan Innovation Memory Company,簡(jiǎn)稱(chēng)為T(mén)IMC。 TIMC正式于2009年7月31日登記成立,董事長(zhǎng)為聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智,帶領(lǐng)臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)再造的任務(wù),目的在于協(xié)助臺(tái)灣DRAM產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: TIMC DRAM NAND Flash
產(chǎn)業(yè)明顯好轉(zhuǎn)但是前景仍不明朗

- 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受金融危機(jī)的沖擊已經(jīng)一年過(guò)去。此次危機(jī)是歷史上最嚴(yán)重的一次,所以盡管各國(guó)政府都奮力相救,但是由于受損太嚴(yán)重,產(chǎn)業(yè)的完全康復(fù)仍需要過(guò)程與時(shí)間。 至此,產(chǎn)業(yè)鏈中各類(lèi)公司今年前三個(gè)季度的財(cái)報(bào)都已紛紛出籠,正如ICInsight公司所言,如果依季度比較,工業(yè)恢復(fù)的過(guò)程十分明顯。今年的Q1是慘不成睹,仍在下降軌跡,半導(dǎo)體的產(chǎn)能利用率在50%以下,各類(lèi)投資幾乎為零。到Q2時(shí)已經(jīng)看到回升的跡象,但是大部分公司仍陷赤字之中。至Q3結(jié)束時(shí),部分公司已經(jīng)扭虧為盈,工業(yè)已經(jīng)明顯看到好轉(zhuǎn)的局面,但是與去年
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM
對(duì)DRAM價(jià)格樂(lè)觀 力晶停止紓困
- 力晶在DRAM價(jià)格強(qiáng)勁回文件下,將恢復(fù)財(cái)務(wù)自主能力,力晶董事會(huì)2日通過(guò),從明年開(kāi)始停止紓困,全力正常恢復(fù)營(yíng)運(yùn),可望從明年起針對(duì)銀行正常還款。力晶對(duì)第四季價(jià)格仍保持每顆2美元至2.5美元的樂(lè)觀預(yù)期,今年第四季將有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈。 力晶昨日領(lǐng)先各大DRAM廠,率先公布10月?tīng)I(yíng)收,由于產(chǎn)能滿(mǎn)載,加上DRAM價(jià)格回文件,該公司10月?tīng)I(yíng)收達(dá)42.39億元(新臺(tái)幣,以下同)、較9月大增28%,創(chuàng)下今年以來(lái)新高,預(yù)估11月、12月?tīng)I(yíng)收將會(huì)維持持續(xù)成長(zhǎng)的動(dòng)能。 力晶指出,在政府政策與銀行團(tuán)大力支持之下,透過(guò)
- 關(guān)鍵字: 力晶 DRAM 封測(cè)
SIA:Q3全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)619億美元
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SIA”)周一公布的數(shù)據(jù)顯示,今年第三季度,全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)到619億美元。 SIA數(shù)據(jù)顯示,在截至9月30日的第三季度,全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)到619億美元,與第二季度的517億美元相比增長(zhǎng)19.7%。 PC和手機(jī)仍是主要推動(dòng)力,且市場(chǎng)需求超過(guò)預(yù)期。SIA表示:“半導(dǎo)體需求超出我們年初預(yù)期,預(yù)計(jì)去年銷(xiāo)售額也會(huì)超過(guò)年中時(shí)的預(yù)期。”
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 PC 手機(jī)
臺(tái)系DRAM廠3Q虧損175億元 4Q可望飛越損平點(diǎn)
- 受惠DRAM價(jià)格谷底翻身,臺(tái)系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小,合計(jì)力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺(tái)幣175億元,累計(jì)前3季虧損731億元,其中茂德虧損最多,華亞科虧損金額最小,展望第4季,DRAM價(jià)格持續(xù)走強(qiáng)越過(guò)2.5美元后,頗有朝3美元的實(shí)力,各廠全產(chǎn)能投片后,可望力拼單月?lián)p益兩平,其中力晶旗下瑞晶第3季已轉(zhuǎn)虧為盈,力晶董事長(zhǎng)黃崇仁也表示,若報(bào)價(jià)維持在2.5美元水平,第4季也有機(jī)會(huì)擠身獲利之林。 DRAM 產(chǎn)業(yè)在2008年此時(shí)受到供過(guò)于求嚴(yán)重失衡的影響,虧損嚴(yán)重到一度將存儲(chǔ)器
- 關(guān)鍵字: 力晶 DRAM 晶圓
Gartner:PC廠商在手機(jī)市場(chǎng)不會(huì)有太大作為
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,Gartner近日指出,PC市場(chǎng)的低迷和智能手機(jī)市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展將推動(dòng)PC廠商紛紛進(jìn)軍手機(jī)市場(chǎng)。 當(dāng)前,戴爾、宏碁和聯(lián)想等PC廠商均已涉足智能手機(jī)市場(chǎng)。但Gartner認(rèn)為,由于不了解手機(jī)用戶(hù)消費(fèi)習(xí)慣等諸多因素,PC廠商短期內(nèi)不可能在手機(jī)市場(chǎng)獲得太多份額。 Gartner分析師羅伯塔·科扎(RobertaCozza)稱(chēng):“手機(jī)用戶(hù)的消費(fèi)習(xí)慣,競(jìng)爭(zhēng)力,產(chǎn)品定位,與運(yùn)營(yíng)商關(guān)系等,都是PC廠商短期內(nèi)需要克服的問(wèn)題。” 而且,由于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日
- 關(guān)鍵字: PC 智能手機(jī)
Intel宣布一項(xiàng)技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米

- 英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù).這兩家公司稱(chēng),這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說(shuō),這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲(chǔ)屬性縮小到一個(gè)內(nèi)存類(lèi). This image shows phase-change memory bu
- 關(guān)鍵字: Intel 5納米 DRAM NAND
2009 年外置硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器出貨量預(yù)計(jì)增長(zhǎng) 20%
- 2009 年對(duì)于存儲(chǔ)市場(chǎng)來(lái)說(shuō)沒(méi)有太多的利好消息。因此,如果聽(tīng)說(shuō)今年外部硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)的單位出貨量預(yù)計(jì)將比 2008 年長(zhǎng) 20%,你是否會(huì)感到驚訝? 這與 PC 出貨量形成鮮明對(duì)比。iSuppli 公司預(yù)測(cè),2009 年 PC 出貨量將下降 3.5%。更有趣的是,盡管已經(jīng)顯露飽和跡象,但 iSuppli 公司預(yù)計(jì)外部 HDD 領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)穩(wěn)步增長(zhǎng)。 適合上網(wǎng)本 外部硬盤(pán)銷(xiāo)量在 2009 年劇增,原因之一是上網(wǎng)本市場(chǎng)獲得成功。外部硬盤(pán)是上網(wǎng)本的自然之選,因?yàn)檫@些小型便攜式電腦的存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字: HDD PC 上網(wǎng)本
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