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CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

  • Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊(cè)，并配備Nexperia交
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Nexperia推出微型無引腳邏輯IC，助力汽車應(yīng)用節(jié)省空間并增強(qiáng)可靠性

  • Nexperia近日發(fā)布了一系列采用微型車規(guī)級(jí)MicroPak XSON5無引腳封裝的新型邏輯IC。這些微型邏輯IC專為空間受限的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，適用于汽車領(lǐng)域的各種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景，如底盤安全系統(tǒng)、電池監(jiān)控、信息娛樂系統(tǒng)以及高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)。MicroPak XSON5采用熱增強(qiáng)型塑料外殼，相較于傳統(tǒng)的有引腳微型邏輯封裝，PCB面積縮小75%。此外，該封裝還具有側(cè)邊可濕焊盤，支持對(duì)焊點(diǎn)進(jìn)行自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)。此次產(chǎn)品發(fā)布鞏固了Nexperia在邏輯器件行業(yè)中的領(lǐng)先地位，其創(chuàng)新型封裝技術(shù)滿足了汽車
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Nexperia推出新款120V/4A半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步提高工業(yè)和汽車應(yīng)用的魯棒性和效率

  • Nexperia近日宣布推出一系列高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC，可用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器包含車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)版本，性能上兼具高電流輸出和出色的動(dòng)態(tài)性能，可大幅提高應(yīng)用效率和魯棒性。其中，NGD4300-Q100達(dá)到車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，非常適合電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用；NGD4300則設(shè)計(jì)用于消費(fèi)類設(shè)備、服務(wù)器和電信設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器以及各種工業(yè)應(yīng)用中的微型逆變器。這些IC中的高邊驅(qū)動(dòng)器可以在不超過120 V的直流總線電壓下工作，其中集成了二極管的自舉電源有助于縮小P
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Nexperia推出新款120V/4A半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步提高工業(yè)和汽車應(yīng)用的魯棒性和效率

  • Nexperia近日宣布推出一系列高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC，可用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器包含車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)版本，性能上兼具高電流輸出和出色的動(dòng)態(tài)性能，可大幅提高應(yīng)用效率和魯棒性。其中，NGD4300-Q100達(dá)到車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，非常適合電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用；NGD4300則設(shè)計(jì)用于消費(fèi)類設(shè)備、服務(wù)器和電信設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器以及各種工業(yè)應(yīng)用中的微型逆變器。這些IC中的高邊驅(qū)動(dòng)器可以在不超過120 V的直流總線電壓下工作，其中集成了二極管的自舉電源有助于縮小P
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Nexperia與KOSTAL就先進(jìn)車規(guī)級(jí)寬禁帶器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

  • Nexperia近日宣布已與領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商KOSTAL（科世達(dá)）建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在生產(chǎn)更符合汽車應(yīng)用嚴(yán)苛要求的寬禁帶(WBG)器件。根據(jù)合作條款，Nexperia將開發(fā)、制造和供應(yīng)由Kostal設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的寬禁帶功率電子器件。此次合作初期將專注于開發(fā)用于電動(dòng)汽車(EV)車載充電器(OBC)的頂部散熱(TSC) QDPAK封裝的碳化硅(SiC) MOSFET器件。KOSTAL Automobil Elektrik擁有百年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，在全球汽車行業(yè)中有著關(guān)鍵的地位。全球近一半的汽車配備有KOSTAL的
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可實(shí)現(xiàn)更高功率密度的基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器

  • Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進(jìn)一步壯大其不斷擴(kuò)展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設(shè)備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。?NEX806xx/NEX808xx是準(zhǔn)諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應(yīng)同步整流控制器。這些IC可與N
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Nexperia優(yōu)化齊納二極管產(chǎn)品組合，以解決過沖和噪聲現(xiàn)象

  • Nexperia今日宣布對(duì)其豐富的齊納二極管產(chǎn)品組合進(jìn)行兩項(xiàng)優(yōu)化，以消除不良的過沖和噪聲行為，這在齊納技術(shù)領(lǐng)域是重大進(jìn)步。首先，新型50 μA齊納系列二極管推出B-selection (Vz +/-2%)，Vz范圍從1.8 V到51 V，提供標(biāo)準(zhǔn)版和汽車版。這使得它們非常適合汽車應(yīng)用，例如電動(dòng)汽車(EV)的車載充電器，以及廣泛的工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用，例如通用計(jì)算單元、電池管理系統(tǒng)、設(shè)備充電器和智能手表。 Nexperia的全新50 μA器件系列目前即使在高電壓（高達(dá)75 V）下也能提供完整的齊納功能。它們的設(shè)計(jì)
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Nexperia擴(kuò)展功率器件產(chǎn)品組合，新增標(biāo)準(zhǔn)和車規(guī)級(jí)理想二極管

  • Nexperia宣布為其持續(xù)擴(kuò)展的功率器件產(chǎn)品組合新增兩款理想二極管IC。其中，NID5100適用于標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用，而NID5100-Q100已獲得認(rèn)證，可用于汽車應(yīng)用。這兩款理想二極管均以MOSFET為基礎(chǔ)，擁有比傳統(tǒng)二極管更低的正向壓降，非常適合用來替換系統(tǒng)中的標(biāo)準(zhǔn)二極管，進(jìn)而滿足相關(guān)的超高能效要求。NID5100和NID5100-Q100理想二極管采用小型TSSP6/SOT363-2有引腳塑料封裝，尺寸僅為2.1 mm×1.25 mm×0.95 mm。NID5100理想二極管的電氣性能出色，能為
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Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT

  • Nexperia近日宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴(kuò)展，推出采用DFN2020D-3封裝的十款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和十款汽車級(jí)產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50 V和80 V，支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍，進(jìn)一步鞏固了Nexperia作為市場(chǎng)領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。通過此次發(fā)布，Nexperia通過DFN封裝提供了其大部分的功率BJT，可滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)節(jié)省空間和能源的封裝的需求，以此取代舊的SOT223和SOT89封裝。與有引腳的器件相比，DFN2020D-3封裝器件可顯著節(jié)省電路
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Nexperia最新擴(kuò)充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計(jì)靈活性

  • Nexperia近日宣布，公司正在持續(xù)擴(kuò)充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對(duì)低RDS(on)和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機(jī)控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計(jì)人員可以從80 V和100 V器件中進(jìn)行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
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Nexperia的650 V兩種超快速恢復(fù)整流二極管采用D2PAK真雙引腳封裝，具備高效率和高可靠性

  • Nexperia今天推出了采用D2?PAK真雙引腳?(R2P)?封裝的650V兩種超快速恢復(fù)整流二極管，可用于各種工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用，包括充電適配器、光伏?(PV)、逆變器、服務(wù)器和開關(guān)模式電源?(SMPS)。這些整流二極管結(jié)合了平面芯片技術(shù)和最先進(jìn)的結(jié)高壓終端?(JTE)?設(shè)計(jì)，具有高功率密度、快速開關(guān)時(shí)間、軟恢復(fù)能力和出色的可靠性。它們采用D2PAK真雙引腳封裝?(SOT8018)，封裝尺寸與標(biāo)準(zhǔn)D2PAK封裝相同，但只有兩個(gè)
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大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi和Nexperia產(chǎn)品的4.5W非隔離輔助電源方案

  • 致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP10672BD060R2G PWM控制器和安世（Nexperia）PNU65010EP快速恢復(fù)二極管的4.5W非隔離輔助電源方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi和Nexperia產(chǎn)品的4.5W非隔離輔助電源方案的展示板圖隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，小型家電在日常生活中的應(yīng)用場(chǎng)景愈發(fā)多樣化。在這些家電應(yīng)用中，輔助電源的設(shè)計(jì)尤為重要。其既要滿足低功耗、高效率的運(yùn)行需求，以降低能源消耗，又要確保設(shè)備
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Nexperia將在漢堡投資2億美元

  • 半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia近日宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。同時(shí)，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產(chǎn)能將會(huì)增加。此項(xiàng)投資是在該工廠成立100周年之際，與漢堡經(jīng)濟(jì)部長Melanie Leonhard博士共同宣布的。為了滿足對(duì)高效功率半導(dǎo)體日益增長的長期需求，Nexperia將從2024年6月開始在德國研發(fā)和生產(chǎn)SiC、GaN和Si三種技術(shù)。這一舉措充分展現(xiàn)了Nexperia對(duì)電氣化和數(shù)
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Nexperia的650 V SiC二極管產(chǎn)品組合現(xiàn)可滿足汽車和更廣泛的工業(yè)應(yīng)用需求

  • Nexperia近日宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二極管現(xiàn)已符合汽車標(biāo)準(zhǔn)(PSC1065H-Q)，并采用真雙引腳(R2P) DPAK (TO-252-2)封裝，適用于電動(dòng)汽車和其他汽車中的多種應(yīng)用。此外，為了進(jìn)一步擴(kuò)展其SiC二極管產(chǎn)品組合，Nexperia現(xiàn)還提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封裝的額定電流為6 A、16 A和20 A的工業(yè)級(jí)器件，以提高設(shè)計(jì)靈活性。這些二極管解決了要求高電壓和高電流的應(yīng)用的挑戰(zhàn)，包括開關(guān)電源、AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝

  • Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場(chǎng)對(duì)采用D2
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