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庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13～18％

市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產情形，故位產出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
關鍵字：集邦 DRAM NAND

拆機證實，國行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長江存儲國產 NAND 閃存

IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋果召開新品發(fā)布會，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機，起價 5999 元。在此之前，韓媒消息稱中國廠商長江存儲已經進入蘋果供應鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認正考慮從長江存儲采購 NAND 芯片，但僅會用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠商。因此，市場觀察人士認為，蘋果與長江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應商進一步
關鍵字： iPhone 14 NAND 長江存儲

NAND半壁江山三星與海力士拿下全球閃存市場52.9%份額

根據市場研究機構TrendForce最近發(fā)布的報告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場份額。根據數據顯示，2022年二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業(yè)務收購的完成，2022年二季度銷售額位36.15億美元，環(huán)比增長12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商，兩家韓國廠商已經那拿下了全球NAND市場52.9%的份額。
關鍵字： NAND 內存

FORESEE中國大陸首發(fā)512Mb SPI NAND Flash

江波龍（股票代碼：301308）近期發(fā)布了中國大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發(fā)，能夠極大地幫助客戶降低整機系統(tǒng)成本，并提升終端的產品競爭力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產，在智能穿戴、物聯(lián)網模塊、安防監(jiān)控、網絡通訊等領域得到廣泛應用。加量減價，降本與增效兼得替換256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳選擇根據系統(tǒng)存儲容量需求的不同，客
關鍵字：江波龍 NAND

三星電子236層NAND閃存預計年內開始生產

據國外媒體報道，當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，預計會在年內開始生產236層NAND閃存。此外，它還計劃在本月開設一個新的研發(fā)中心，負責更先進NAND閃存產品的開發(fā)。韓國媒體在報道中還表示，三星目前量產的NAND閃存，最高是176層，在236層的產品量產之后，三星電子NAND閃存的層數就將創(chuàng)下新高。從韓國媒體的報道來看，三星電子對即將量產的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示，在NAND閃存市場，三星電子的市場份額占了35%，為全球最高。將層數增加60層后，他們計劃憑借生產技術、價格及
關鍵字：三星 NAND 閃存

業(yè)界首發(fā)，不二選擇：美光推出全球首款232層NAND

半導體行業(yè)十分有趣，同時也充滿挑戰(zhàn)。俗話說，“打江山難，守江山更難”，這句話形容半導體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學、制造和創(chuàng)新的極限，以推動邏輯、內存、存儲等計算器件的發(fā)展。如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時容量更大的閃存技術是我們每天都要應對的挑戰(zhàn)。美光憑借3D NAND新技術與率先推出的新產品再攀高峰，借此機會讓我們回顧美光取得的輝煌成就。美光一直以來被公認為3D NAND技術的領導廠商，之前我們推出了業(yè)內首款176層替換柵極NAND技術，再次
關鍵字：美光 232層 NAND

集邦：明年DRAM需求位成長8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價帶動搭載容量成長

根據集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻，價格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費市場需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面，
關鍵字：集邦 DRAM NAND

美光出貨全球首款232層NAND，進一步鞏固技術領先地位

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已量產全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領先的創(chuàng)新技術，從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數據密集型應用提供卓越支持。???美光技術與產品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產中將 3D NAND堆疊層數擴展到超過 200 層，
關鍵字：美光 232層 NAND

SSD價格還將要大降價：NAND供應過剩

芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢表示，需求未見好轉，NAND Flash產出及制程轉進持續(xù)，下半年市場供過于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場共識，物料庫存水位持續(xù)攀升成為供應鏈風險。因渠道庫存去化緩慢，客戶拉貨態(tài)度保守，造成庫存問題漫溢至上游供應端，賣方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢預估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價格跌幅將擴大至8~13%，且跌勢恐將延續(xù)至第四季。按照供應鏈的說法，雖然仍
關鍵字： NAND SSD 存儲

鎧俠為實現超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash

NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個單元存儲的位數來提高其存儲設備的存儲密度，據外媒報導，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個單元中存儲更多比特數的NAND Flash閃存。據報道，近日鎧俠表示，已設法在每個單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實驗室和低溫的條件下。為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態(tài)的數量將隨著每個單元存儲Bits的增加呈指數增長。例如，要存儲4位，單元必須保持16個電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數字會增長到64(2^6)。而鎧俠實現的每個單元
關鍵字： SSD NAND Flash 鎧俠

潛力無限的汽車存儲芯片

　　隨著智能化、電動化浪潮的推進，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價值增量端，2020年汽車芯片價值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點，有望成為引領半導體發(fā)展新驅動力?！　∑囆酒瑥膽铆h(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元，國內汽車存儲芯片市場規(guī)模
關鍵字：北京君正兆易創(chuàng)新 DRAM NAND

盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？

5月30日兆易創(chuàng)新宣布，公司Flash產品累計出貨量已超過190億顆，年出貨量超過28億顆，目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產品市場份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創(chuàng)新業(yè)務還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過去一段時間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng)新的營收與凈利潤均實現大幅增長，2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
關鍵字：兆易創(chuàng)新 NAND Flash

中國DRAM和NAND存儲技術和產業(yè)能趕超韓國嗎?

近日，韓國進出口銀行海外經濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領域的技術差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術差距為2年-2年半，兩國之間的技術差距超過5年。據該研究院推測，在NAND閃存領域，中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
關鍵字： DRAM NAND

長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時代存儲升級

近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數據、AIoT的加速
關鍵字：長江存儲 3D NAND

中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖

全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數據）。另外，根據CFM 閃存市場預計，2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調研機構的數據相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
關鍵字：存儲芯片 DRAM NAND Flash

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]