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nand 文章進入nand技術社區(qū)

中國產(chǎn)能逐漸開出內(nèi)存價格2019將下滑

　　內(nèi)存價格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此資策會MIC預測內(nèi)存價格將于開始下滑?！　≠Y策會MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內(nèi)存價格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。因此，預估2018年全球半導體市場規(guī)模將成長10.1%，其中最大的原因是各應用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應用帶動?！　『榇簳熯M一步指出，內(nèi)存受惠于市場價格上揚，2018年全年臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長25%，產(chǎn)
關鍵字：內(nèi)存 NAND

IHS公布二季度半導體銷售排行榜：三星又當?shù)谝?/a>

　　由于持續(xù)受益于存儲器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩(wěn)坐半導體銷售龍頭地位，再度超越其競爭對手——英特爾(Intel)。　　根據(jù)市場研究機構IHS Markit的統(tǒng)計，三星在今年第二季全球芯片市場占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著NAND快閃存儲器(flash)市場顯著降溫，英特爾已自本季開始縮小與三星的差距，其季成長較三星更高3%?！　∫园雽w銷售額來看，三星在第二季的銷售額為192億美元，較第一季成長3.4%，并較2017年第二季成長了33.7

關鍵字：三星 NAND 英特爾

基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法

　　1. 引言　　NAND FLASH被廣泛應用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法?！　?. VDNF2T16VP193EE4V25簡介　　歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內(nèi)部由8片基片拓撲而成，其拓撲結構如下：　　其主要特性如下：　　? 總容量
關鍵字： NAND NIOS II FPGA

全球前15大半導體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜

　　8月20日，研究機構ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名?！　「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
關鍵字： DRAM NAND

IC Insights預測：全球IC增長和全球GDP增長關聯(lián)日益密切

　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關系數(shù)將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關聯(lián)，以及到2022年的最新預測。　　如圖所示，在2010-2017年的時間段內(nèi)，全球GDP增長與IC市場增長的相關系數(shù)為0.88，這是一個強勁的數(shù)字，因為完全相關為1.0。在此期間之前的3
關鍵字： DRAM NAND

NAND閃存價格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流

　　NAND閃存價格2018年以來一直在降低，大家也應該注意到了今年發(fā)布的智能手機閃存容量也越來越大了，中高端機中64GB是起步，128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價的趨勢在下半年還會繼續(xù)，因為智能手機出貨量增長放緩，而3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選?！　〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關NAND閃存市場下半年趨勢的報告，認為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季，但是N
關鍵字： NAND SSD

中國存儲三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權

　　今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲廠商相繼進入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關鍵階段。業(yè)界認為，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響?！　《S著中美貿(mào)易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關注?！　∧壳?，中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營。　　近期傳出合肥長鑫投產(chǎn)8
關鍵字： NAND DRAM

三星150億美元擴大NAND產(chǎn)能：SSD要繼續(xù)降價

　　據(jù)韓國媒體報道稱，三星已經(jīng)上調了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資，總計高達150億美元，這主要用于擴大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產(chǎn)能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產(chǎn)量，所以未來SSD的繼續(xù)降價是基本沒懸念的事?！　∪騈AND閃存市場份額中，三星排名第一，占有率達到37%，其一舉一動直接影響整個行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領域以擴大產(chǎn)能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略。　　有報道稱，東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能，今年底到明年
關鍵字：三星 NAND

NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元

　　近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。　　其中，3D NAND的市場需求，成為驅動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術采用堆疊的方式處理設備層關系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實現(xiàn)更大的結構和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
關鍵字： NAND CAPEX

美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明

　　美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權訴訟，實為報復此前臺灣檢察機關針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?！　≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃臁N
關鍵字：美光科技 DRAM NAND

2018年Q1全球半導體銷售達1158億美元，無線通訊市場大幅下滑

　　在2018年第一季度，全球半導體產(chǎn)業(yè)銷售額達到了1158億美元。即使該季度半導體產(chǎn)業(yè)總營收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業(yè)和消費性固態(tài)硬盤(SSD)市場的需求最為強勁。　　隨著企業(yè)和儲存市場對于相關零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達到397億美元。事實上，對于服務器用內(nèi)存(Server DRAM)的強勁需求將持續(xù)推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降，IHS Marki內(nèi)存與儲存市場資深總監(jiān)Crai
關鍵字：無線通訊 NAND

紫光對3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

在“2018中國半導體市場年會暨IC中國峰會”上，紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間，紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
關鍵字：存儲器 3D NAND 自主可控 201807

96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準備就緒

　　為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。目前NAND Flash芯片已經(jīng)進入64層TLC時代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進一步推出96層QLC顆粒。為了因應即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應的解決方案?！　∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術不斷推進，目前64層TLC已經(jīng)是相當穩(wěn)定的產(chǎn)品。而為了進一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
關鍵字： NAND，芯片

存儲芯片三巨頭是否合謀操縱市場？

存儲芯片三巨頭此次遭中國反壟斷機構調查，最終結果究竟如何，人們拭目以待。
關鍵字：存儲 NAND

DRAM/NAND存儲器需求持續(xù)增溫南亞科、旺宏業(yè)績看好

　　隨物聯(lián)網(wǎng)時代來臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調單位指出，協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場仍供不應求，帶動存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權證市場同受關注，昨(29)日登上成交金額之首?！　∧蟻喛谱蛉展蓛r雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進逾2,000張，頗有逢低承接意味。　　南亞科今年首季每股盈余(EPS)達2.39元，隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應求，對今年整體營運表
關鍵字： DRAM NAND

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]