nand 文章最新資訊

群聯(lián)潘健成：未來五年 NAND供不應求

　　內存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時會補選一席董事，由日商東芝內存株式會社(TMC)當選。在市場供需方面，群聯(lián)董事長潘健成樂觀表示，未來五年，儲存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應求。　　臺灣東芝先進半導體因集團組織調整，今年8月1日辭去群聯(lián)董事，群聯(lián)昨日召開股東臨時會補選，并順利由東芝內存株式會社當選。　　潘健成表示，東芝內存主導負責東芝的全球半導體事業(yè)，東芝已將群聯(lián)股權移轉給東芝內存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資，也透過合作互補，強化技術，雙方關系將比過去15年更加緊密，在產業(yè)的競
關鍵字： NAND

2018年NAND Flash供給年增42.9%，全年度供需由緊俏轉為平衡

　　根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務器需求的帶動，加上供給面受到制程轉進進度不如預期的影響下，供不應求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個季度;展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長37.7%，明年整體供需狀況將轉為供需平衡。　　DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來看，因為NAND制程從2D轉進3D不如預期，導致2017年非三星陣營的新
關鍵字： NAND 西數(shù)

NAND閃存市場持續(xù)高漲，NAND閃存市場持續(xù)高漲，2020年將超DRAM

9月6日，深圳市閃存市場資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國存儲·全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)，本文根據部分會議內容整理了國內外NAND閃存及部分非易失存儲器市場信息。
關鍵字：閃存 NAND 3D Xpoint 201710

2017年全球存儲市場規(guī)模將達950億美元

　　日前，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲全球格局”為主題的中國閃存市場峰會在深圳圓滿落幕。本次峰會齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、?？荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓，一起探討存儲產業(yè)未來發(fā)展和企業(yè)市場發(fā)展機會。峰會吸引全球近700家企業(yè)參會，其中包括東芝、西部數(shù)據、SK海力士、長江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會，涵蓋領域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據應用等，參會觀眾超
關鍵字： NAND 閃存

東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產能追趕三星

　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預期延宕，對于NAND Flash市場的產能影響，預期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產能與技術上力拼三星。　　DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產業(yè)革新機構(INCJ)財團、
關鍵字： 3D NAND 東芝

東芝半導體如此多嬌，引無數(shù)科技大佬競折腰

到底為什么東芝半導體可以引起如此大的波瀾?產品和技術有什么過人之處?鴻海為首的“不差錢”軍團又希望從東芝半導體得到什么?小編給你一一說明。
關鍵字：東芝 NAND

CFM：原廠加碼投資擴產64層3D NAND，然部分市場仍缺貨到年底

　　9月6日，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會除了齊聚國內外產業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領導。　　當天吸引全球近700家企業(yè)參會，其中包括西部數(shù)據、SK海力士、長江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會，涵蓋領域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、
關鍵字： NAND 閃存

莫大康：中國半導體業(yè)要奮力突圍

　　與美國在半導體先進工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進步。　　01引言　　近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實。　　此次中國半導體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義：　　一個是差距大，希望迅速的成長，至多是擴大芯片的自給率。　　另一個是西方千方百計的阻礙中國半導體業(yè)的進步
關鍵字： NAND DRAM

狂掃全球硅晶圓產能三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴產

　　2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動DRAM、3DNAND及晶圓代工擴產計劃，預計資本支出上看150億~220億美元，遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模，三星為確保新產能如期開出，近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長約，狂掃全球硅晶圓產能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應量將減少30%，主要便是為支持三星產能需求做準備。　　三星為因應DRAM和3DNAND市場強勁需求，加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程，企圖與臺積電一較長短，搶
關鍵字：三星 NAND

三星電子波瀾再起 NAND芯片市場風云變幻

　　8月28日，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎? 　　波瀾的背后　　據2017年第二季度財報顯示，三星電子營收額高達554.1億美元，同比增長19%，并且，三星電子以銷售額14億美元的成績拿下45.9%的NAND Flash市占有率。　　有業(yè)者分析稱，三星第二季度如此強勁的主要原因是蘋果等其他電子類產品生產需求旺盛，同時其
關鍵字：三星 NAND

第二季NAND Flash品牌廠營收季成長8%，第三季價格續(xù)揚

　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產品線合約價平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機與平板計算機內的eMMC/UFS以及SSD合約價仍持續(xù)小漲，2017年將是NAND Flash廠商營收表現(xiàn)成果豐碩的一年。　　DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉進垂直堆棧
關鍵字： NAND 東芝

DIGITIMES：聲光暫掩的大陸半導體產業(yè)發(fā)展近況

　　開年以來大陸半導體產業(yè)發(fā)展似乎進入沉潛期。首先是年初長江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過32層3DNANDFlash今年量產的消息。接下來是中芯國際董事長周子學表達的大陸半導體產業(yè)發(fā)展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時間，大陸才能發(fā)展出比較有市場競爭力的企業(yè)主體。再來是最近紫光集團表示，由于長江存儲的存儲器芯片工廠專案投資規(guī)模過大，目前尚處于建設初期，短期無法產生銷售收入，時機不成熟，停止收購長江存儲的股份。雖然似乎大陸整個半導體產業(yè)持續(xù)其發(fā)展動能，但
關鍵字：摩爾定律 NAND

三大內存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀錄，手機品牌包產能

　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產能。業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內存供貨將短缺，沖擊產品上市或出貨時程。　　集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告，強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴重。　　業(yè)界表示，三大內存應用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產品儲存程序代碼關鍵組件，雖然單價遠比DRAM
關鍵字： NAND DRAM

各家爭鳴存儲器技術標準儲存技術之爭再掀戰(zhàn)火

　　在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應商持續(xù)推出更新式存儲器芯片以期能主導競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應商也都在談論簡化Flash儲存系統(tǒng)內建軟件的必要性，以減少應用在資料中心時出現(xiàn)的延遲問題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標準，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關技術資訊或發(fā)展趨勢。　　根據科技網站EE Times報導，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electr
關鍵字：存儲器 NAND

3D NAND究竟出了什么問題？

3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
關鍵字： 3D NAND 存儲器

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]