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狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴(kuò)產(chǎn)

作者: 時(shí)間:2017-08-31 來(lái)源:DIGITIMES 收藏

  2017年電子(SamsungElectronics)同步啟動(dòng)DRAM、3D及晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)資本支出上看150億~220億美元,遠(yuǎn)超過(guò)臺(tái)積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模,為確保新產(chǎn)能如期開(kāi)出,近期傳出已與多家硅晶圓供應(yīng)商洽談簽長(zhǎng)約,狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能,并傳出環(huán)球晶已通知客戶(hù)自2018年起硅晶圓供應(yīng)量將減少30%,主要便是為支持產(chǎn)能需求做準(zhǔn)備。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201708/363773.htm

  三星為因應(yīng)DRAM和3D市場(chǎng)強(qiáng)勁需求,加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程,企圖與臺(tái)積電一較長(zhǎng)短,搶回蘋(píng)果(Apple)處理器芯片訂單,三星2017年資本支出估計(jì)將高達(dá)150億~220億美元,且上半年資本支出已達(dá)110億美元,較2016年同期成長(zhǎng)3倍。

  不過(guò),全球硅晶圓產(chǎn)業(yè)卻面臨10年以來(lái)的最大缺口,全球半導(dǎo)體廠(chǎng)陷入搶貨狂潮,無(wú)論是臺(tái)積電、三星、英特爾之間的7納米制程戰(zhàn)火,或是2017年躍升主流且由三星、美光(Micron)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SKHynix)聯(lián)手啟動(dòng)的3D大戰(zhàn),甚至是大陸蓄勢(shì)待發(fā)將有超過(guò)20座的半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng),都苦陷硅晶圓缺貨潮。

  近期業(yè)界傳出三星為確保新增的邏輯芯片、3DNAND及DRAM等產(chǎn)能擁有充足的硅晶圓貨源,讓2018年下半及2019年新產(chǎn)能如期開(kāi)出,三星開(kāi)始與環(huán)球晶、信越、SUMCO、Siltronic等硅晶圓供應(yīng)商洽談長(zhǎng)約,有意包下硅晶圓產(chǎn)能。

  硅晶圓業(yè)者表示,未來(lái)兩年三星在邏輯芯片、3DNAND、DRAM等芯片新增產(chǎn)能,預(yù)計(jì)每月可達(dá)20萬(wàn)片12吋晶圓,合計(jì)現(xiàn)有的12吋晶圓產(chǎn)能需求,估計(jì)到2019年三星每月需要的12吋晶圓將高達(dá)100萬(wàn)片,因此,三星對(duì)于鞏固硅晶圓產(chǎn)能相當(dāng)重視。

  近期環(huán)球晶開(kāi)始通知半導(dǎo)體客戶(hù),2018年硅晶圓供貨量將減少30%,讓客戶(hù)十分恐慌,并開(kāi)始向信越、SUMCO、Siltronic等其他供應(yīng)商求助,更加重市場(chǎng)缺貨氛圍,業(yè)界猜測(cè)環(huán)球晶應(yīng)是獲得重要客戶(hù)的大訂單,才會(huì)減少現(xiàn)有客戶(hù)的配貨量,并推測(cè)該客戶(hù)便是三星。

  環(huán)球晶借由購(gòu)并Sunedison在半導(dǎo)體硅晶圓領(lǐng)域獲得充分產(chǎn)能,而Sunedison原本就是三星主要的硅晶圓供應(yīng)商,環(huán)球晶借此購(gòu)并案順利打入韓系客戶(hù)供應(yīng)鏈。不過(guò),之前Sunedison與三星簽長(zhǎng)約的價(jià)格十分低,預(yù)計(jì)該合約出貨已近尾聲,適逢這波史上最劇烈的硅晶圓缺貨潮,環(huán)球晶可望趁此和三星重談價(jià)格漂亮的新約,而三星為包下足夠產(chǎn)能將不惜一切代價(jià)。

  近期三星擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃包括擴(kuò)大投資華城廠(chǎng)17號(hào)生產(chǎn)線(xiàn)的DRAM、3DNAND產(chǎn)能,以及加碼平澤廠(chǎng)3DNAND產(chǎn)能、大陸西安3DNAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃等,原本預(yù)計(jì)2018年動(dòng)工的韓國(guó)18號(hào)生產(chǎn)線(xiàn),也提前到2017年第4季動(dòng)工,并早一步搶下洛陽(yáng)紙貴的ASML極紫外光(EUV)機(jī)臺(tái),該廠(chǎng)可望成為三星生產(chǎn)7納米邏輯芯片的主要基地。



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