nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

潘健成：明年3D NAND進(jìn)入96層　群聯(lián)準(zhǔn)備好了

　　今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格，隨著制程轉(zhuǎn)換完成，全球缺貨問(wèn)題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成指出，2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代，帶動(dòng)單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次，群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備好了，呈現(xiàn)蓄勢(shì)待發(fā)的姿態(tài)! 　　今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對(duì)于儲(chǔ)存容量需求快速攀升之故，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡，芯片價(jià)格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制，
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美光任命Derek Dicker為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理

　　美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理。　　在此職位上，Dicker 將負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)和拓展美光的固態(tài)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，包括打造世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案，從而把握云端、企業(yè)級(jí)和客戶(hù)端計(jì)算等大型細(xì)分市場(chǎng)中日漸增多的機(jī)遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 匯報(bào)?！　icker 在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，包括在 Intel、
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旺宏NAND論文獲國(guó)際肯定

　　內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國(guó)際電子組件大會(huì)(IEDM)，被評(píng)選為「亮點(diǎn)論文」，是今年臺(tái)灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進(jìn)內(nèi)存研發(fā)實(shí)力受到國(guó)際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。　　旺宏強(qiáng)調(diào)，獨(dú)立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù)，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達(dá)到二到三倍的內(nèi)存密度。　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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讓汽車(chē)更智能，適用于汽車(chē)遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP

　　被譽(yù)為世界三大車(chē)展之一的東京車(chē)展于近日開(kāi)幕，來(lái)自全世界的主要汽車(chē)生產(chǎn)廠商通過(guò)展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來(lái)描繪下一代汽車(chē)發(fā)展藍(lán)圖，其中 “人工智能”、“自動(dòng)駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的未來(lái)的發(fā)展方向?！　±纾S田展出的“愛(ài)i”系列，能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習(xí)慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛(ài)好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車(chē)，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動(dòng)力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個(gè)高清晰攝像頭，能捕捉到周?chē)男腥?、?chē)輛
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圖解中國(guó)存儲(chǔ)器三大勢(shì)力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

中國(guó)存儲(chǔ)器后進(jìn)廠商 2018 年開(kāi)始產(chǎn)能逐步開(kāi)出，目前狀況到底如何?
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三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過(guò)剩

　　三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，3D NANDFlash恐將供過(guò)于求。　　IC Insights預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達(dá)908億美元，將成長(zhǎng)35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺(tái)積電的總和還多。　　三星今年的資本支出主要投入3D儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)，將達(dá)140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進(jìn)動(dòng)態(tài)
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東芝第二財(cái)季運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)增長(zhǎng)76% 芯片業(yè)務(wù)表現(xiàn)強(qiáng)勁

　　11月9日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本東芝公司今天公布財(cái)報(bào)顯示，由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)強(qiáng)勁業(yè)績(jī)的驅(qū)動(dòng)，該公司本財(cái)年第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)增長(zhǎng)了76%。最近，該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對(duì)外出售。　　處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財(cái)年7至9月份這個(gè)第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)從上年同期的768.8億日元增長(zhǎng)至1250,8億日元(約合12億美元)。　　這個(gè)業(yè)績(jī)好于分析師預(yù)期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預(yù)估，東芝本財(cái)年第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)是1244.7億日
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威搶占邊緣存儲(chǔ)商機(jī)

　　美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開(kāi)始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲(chǔ)存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問(wèn)世，預(yù)計(jì)2018年第1季128GB和256GB版會(huì)開(kāi)始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開(kāi)始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲(chǔ)存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威搶占邊緣存儲(chǔ)商機(jī)

　　美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開(kāi)始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲(chǔ)存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問(wèn)世，預(yù)計(jì)2018年第1季128GB和256GB版會(huì)開(kāi)始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開(kāi)始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲(chǔ)存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
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IC Insights：全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場(chǎng)預(yù)測(cè)提升至22％

　　據(jù)IC Insights預(yù)測(cè)，2017年的IC市場(chǎng)增長(zhǎng)率有望提高到22%，較今年年中預(yù)期的16%再提升6個(gè)百分點(diǎn)，出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場(chǎng)預(yù)測(cè)是由于DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的激增。　　此外，IC Insights同時(shí)調(diào)稿對(duì)O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)?？傮w而言，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計(jì)增長(zhǎng)達(dá)20%，比年中預(yù)期調(diào)高5個(gè)百分點(diǎn)。　　2017年，IC Insights預(yù)測(cè)DRAM的平均售價(jià)將大漲77%，預(yù)計(jì)今年將推動(dòng)DRAM
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DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤(pán)的區(qū)別

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤(pán)的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時(shí)代的輝煌，很多新生代的用戶(hù)都與手機(jī)的存儲(chǔ)就陷入了茫然。
關(guān)鍵字： DRAM NAND 存儲(chǔ)器

東芝受惡意攻擊導(dǎo)致NAND停產(chǎn)：預(yù)估少生產(chǎn)40萬(wàn)TB容量

　　援引DigiTimes報(bào)道，東芝的NAND部門(mén)近日遭受了非常嚴(yán)重的惡意攻擊，被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時(shí)間，這將導(dǎo)致近階段公司NAND閃存的供應(yīng)比較緊張。　　DigiTimes消息稱(chēng)為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時(shí)間才能恢復(fù)正常供應(yīng)，預(yù)估將減少10萬(wàn)個(gè)wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預(yù)估假設(shè)這段停產(chǎn)時(shí)間正常生產(chǎn)，能夠帶來(lái)5000萬(wàn)個(gè)芯片或者40萬(wàn)TB的NAND閃存。　　近年來(lái)由于智能手機(jī)和服務(wù)器的需求不斷增大，NAND的售價(jià)也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
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DRAM漲潮再起誰(shuí)才是真正贏家？

DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價(jià)格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場(chǎng)漲潮不斷的這場(chǎng)角逐中，也許大家都是贏家。
關(guān)鍵字： DRAM NAND

基于magnum 2 測(cè)試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測(cè)試技術(shù)研究

　　摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)壞塊和在使用過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)壞塊增長(zhǎng)的情況，針對(duì)這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測(cè)試機(jī)的速測(cè)試的方法，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測(cè)試效率。另外，針對(duì)NAND FLASH的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如tREA(讀信號(hào)低電平到數(shù)據(jù)輸出時(shí)間)和tBERS(塊擦除時(shí)間)等，使用測(cè)試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì)，完成NAND FLASH的時(shí)序配合，從而達(dá)到器件性
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DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
關(guān)鍵字： DRAM NAND RAM

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)?chǔ)存程序代碼為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]