nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

旺宏2017NOR市占達(dá)30%，稱霸全球

　　旺宏昨日召開財(cái)報(bào)會(huì)表示，2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營收60%，旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長動(dòng)力將來自于數(shù)據(jù)中心、電信與車用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲(chǔ)器占上季旺宏?duì)I收48%為最大產(chǎn)品線。　　旺宏電子總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，預(yù)期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲(chǔ)器價(jià)格仍穩(wěn)定微揚(yáng)，旺宏不做低階產(chǎn)品，也仍看好SLC NAND市況，因此對(duì)今年?duì)I運(yùn)看法樂觀。　　就短期來看，盧志遠(yuǎn)表示，本季整體需求預(yù)估會(huì)比去年第四季緩和;雖
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3D NAND-microSD 卡為視頻監(jiān)控帶來重大突破

　　由于人們對(duì)周遭環(huán)境(住宅、建筑、工廠、企業(yè)或基礎(chǔ)設(shè)施的內(nèi)外環(huán)境)的視覺感知需求不斷增長，全球范圍的視頻監(jiān)控市場都在飛速發(fā)展。然而，所部署系統(tǒng)的數(shù)量和部署位置更多地受限于視頻攝像頭供應(yīng)方的經(jīng)濟(jì)狀況，以及用于部署、管理和監(jiān)控這些系統(tǒng)的基礎(chǔ)設(shè)施的復(fù)雜性。　　　　上一次視頻監(jiān)控行業(yè)的重大突破得益于圖像傳感器和數(shù)字化技術(shù)的一些重大改進(jìn)，以及互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP) 網(wǎng)絡(luò)的廣泛應(yīng)用。當(dāng)下，一些強(qiáng)大的新技術(shù)趨勢——例如使用諸如美光科技提供的基于 3D
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2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

大廠3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會(huì)太理想。
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美光科技推出業(yè)界首款基于領(lǐng)先的64層3D NAND技術(shù)構(gòu)建的企業(yè)級(jí)SATA固態(tài)硬盤

　　美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)，該產(chǎn)品可提供業(yè)界領(lǐng)先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎(chǔ)設(shè)施價(jià)值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤基于美光科技業(yè)界領(lǐng)先的全新 64 層 3D NAND 技術(shù)構(gòu)建，對(duì)于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對(duì)象和媒體流等在硬盤上無法一展身手的業(yè)務(wù)關(guān)鍵型虛擬化工作負(fù)載，可為其提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的 SATA 平臺(tái)。　　利用廣受好評(píng)的 5100 SATA 固態(tài)硬盤的成熟架構(gòu)和業(yè)界領(lǐng)先的性能及容量，美光 5200 系列提
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2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

　　2017年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個(gè)黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會(huì)那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會(huì)太理想，最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。　　DRAM無新增產(chǎn)能　　首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能，頂多就
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Linux驅(qū)動(dòng)之Nand Flash四問，原理、工作方式都包含了

　　Nand Flash 是一個(gè)存儲(chǔ)芯片。　　那么：這樣的操作很理“讀地址A的數(shù)據(jù)，把數(shù)據(jù)B寫到地址A”　　問1：原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數(shù)據(jù)線，怎么傳輸?shù)刂?　　答：在Data0-Data7上既傳輸數(shù)據(jù)，又傳輸?shù)刂?，?dāng)ALE為高電平時(shí)傳輸?shù)氖堑刂贰　?：從Nand Flash芯片手冊可知，要操作Nand Flash需要先發(fā)出命令，怎么傳入命令?！　〈穑涸贒ata0-Data7既傳輸數(shù)據(jù)，又傳輸?shù)刂?，也傳輸命令　　?dāng)ALE為高
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3D NAND存儲(chǔ)助力智能手機(jī)應(yīng)用進(jìn)入新時(shí)代

　　前言　　全球的智能手機(jī)用戶一直在不斷尋求更好的移動(dòng)體驗(yàn)。他們不僅下載比以往任何時(shí)候都更多的應(yīng)用，而且還使用更為復(fù)雜的應(yīng)用來支持?jǐn)z影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導(dǎo)航、圖像采集以及虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)等方面更大的技術(shù)進(jìn)步?！　≡谀承┑貐^(qū)，智能手機(jī)是唯一與外界聯(lián)系的設(shè)備，因此用戶對(duì)它們的依賴程度非常高，已經(jīng)習(xí)慣于讓手機(jī)不間斷地運(yùn)行并管理他們的日常生活。中國擁有全球最大智能手機(jī)用戶群，這些用戶經(jīng)常使用高級(jí)在線支付服務(wù)(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財(cái)付通
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美光科技和英特爾發(fā)布NAND存儲(chǔ)聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃的最新動(dòng)態(tài)

　　美光科技和英特爾今日發(fā)布了雙方 NAND 存儲(chǔ)聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃的最新動(dòng)態(tài)。這段成功的合作關(guān)系已幫助兩家公司開發(fā)出行業(yè)領(lǐng)先的 NAND 技術(shù)并順利推向市場?！　〈舜伟l(fā)布內(nèi)容包括兩家公司商定將各自獨(dú)立開發(fā)新世代 3D NAND 技術(shù)。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術(shù)的開發(fā)，該技術(shù)將在 2018 年末交付，并持續(xù)到 2019 年初。在此技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后，兩家公司將獨(dú)
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存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升 NAND Flash恐過剩

三星、東芝等存儲(chǔ)器大廠已擬定3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，新產(chǎn)能將在2019年后開出，屆時(shí)NAND Flash市場將供過于求。
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ARM平臺(tái)數(shù)據(jù)為何會(huì)莫名其妙丟失

　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲(chǔ)器，為固態(tài)大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲(chǔ)器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲(chǔ)資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域。　　　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲(chǔ)器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個(gè)讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
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東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠

　　2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價(jià)格的暴漲帶動(dòng)了廠商的營收，同時(shí)還對(duì)獲利有了巨大貢獻(xiàn)。所以，當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進(jìn)行新一波的投資。而根據(jù)外電的報(bào)導(dǎo)，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日?qǐng)A的金額，準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點(diǎn)就在日本的四日市(Yokkaichi)。　　事實(shí)上，目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設(shè)當(dāng)中，預(yù)計(jì)將于 2018 年第 4 季完工
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。　　DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價(jià)格未見松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
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中國反壟斷機(jī)構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個(gè)季度,何處是盡頭?

圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

　　DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來漲勢最久的一次。　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格，防止中國DRAM競爭對(duì)手竄起的流言。　　手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為，有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]