nand 閃存 文章 進入nand 閃存技術社區(qū)
6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚

- 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后,已見到部分供應商開始調(diào)高wafer報價,對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此,TrendForce集邦咨詢預估6月在模組廠啟動備貨下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈,結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢,預期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲,漲幅約0~5%,第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化,現(xiàn)階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至,盡管今
- 關鍵字: NAND Flash Wafer TrendForce
傳鎧俠/西數(shù)合并進入最終階段 NAND Flash營收或超三星?

- 近日,據(jù)日本共同社消息,日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進入最終收尾調(diào)整階段。目前,作為全球知名的存儲器廠商,鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴,目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關人士消息稱,鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設立新公司、統(tǒng)一開展半導體生產(chǎn)及營銷的方案等,未來雙方將進行經(jīng)營合并,擬由鎧俠掌握主導權,關于出資比率等將繼續(xù)探討。報道稱,由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業(yè)績低迷,鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示,鎧俠
- 關鍵字: 鎧俠 西數(shù) NAND Flash 三星
鎧俠宣布運營兩個新研發(fā)設施,加強閃存和SSD研發(fā)能力
- 6月1日,鎧俠宣布開始運營兩個新的研發(fā)設施——位于橫濱技術園區(qū)的旗艦大樓和Shin Koyasu技術前沿——以加強公司在閃存和固態(tài)硬盤(SSD)方面的研發(fā)能力。未來,神奈川縣的其他研發(fā)職能將轉(zhuǎn)移到這些新的研發(fā)中心,以提高研究效率。隨著新旗艦大樓的加入,橫濱科技園區(qū)的規(guī)模將幾乎翻一番,使鎧俠能夠擴大其評估閃存和SSD產(chǎn)品的能力,從而提高整體產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量。Shin Koyasu技術前沿將成為半導體領域尖端基礎研究的中心,包括新材料、工藝和器件,此處配備一間最先進的潔凈室。除了下一代存儲技術,鎧俠還從事其
- 關鍵字: 鎧俠 閃存 SSD
需求持續(xù)下修,第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第一季NAND Flash買方采購動能保守,供應商持續(xù)透過降價求售,但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%,平均銷售(ASP)單價季減15%,合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元,環(huán)比減少16.1%。SK集團(SK hynix & Solidigm)及西部數(shù)據(jù)(WDC)量價齊跌,沖擊營收表現(xiàn),環(huán)比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價競爭影響,第一季NAND Flash營收僅13.2億美元,環(huán)比減少24.8%
- 關鍵字: 集邦 NAND Flash
NAND閃存主控芯片供應商2023年第1季財報出爐
- 據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道,全球NAND閃存主控芯片供應商慧榮科技(SIMO)公布2023年第1季財報,營收1億2407萬美元,季減38%,年減49%,第1季毛利率42.3%,稅后凈利1116萬美元。報道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示,包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶,目前一致認為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機終端市場持續(xù)呈現(xiàn)疲弱,上下游供應鏈皆將重心放在去化庫存,包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設備供應商,因此影響相關控制芯片的營收。茍嘉章認為,見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善,再加
- 關鍵字: NAND 閃存 主控芯片
3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術
- 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側(cè)向
- 關鍵字: 3D NAND
復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

- 4月27日,上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會,推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關領域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進EEPROM工藝,具備低功耗、
- 關鍵字: 復旦微電 NAND Flash EEPROM 存儲器
英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

- 【2023 年 4 月 25日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存,助力打造下一代汽車電子電氣(E/E)架構(gòu)。英飛凌 SEMPER? X1 LPDDR 閃存為汽車域和區(qū)域控制器提供至關重要的安全、可靠和實時的代碼執(zhí)行。該器件的性能是當前NOR 閃存的8 倍,實時應用程序的隨機讀取事務速度提高了 20 倍。這使得軟件定義的車輛具有增強安全性和架構(gòu)靈活性的高級功能。 下一代汽車更智能、更網(wǎng)聯(lián)、更復雜,并
- 關鍵字: 英飛凌 LPDDR 閃存 汽車電子
以汽車為目標,英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

- IT之家 4 月 23 日消息,隨著各大車企都轉(zhuǎn)向軟件定義的汽車架構(gòu),下一代車型的設計卻在內(nèi)存方面面臨著問題。由于許多原因,傳統(tǒng)的 xSPI NOR 閃存已逐漸無法滿足用戶的需求。為了滿足汽車區(qū)域架構(gòu)的新需求,英飛凌科技宣布推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存。該公司將閃存與 LPDDR 接口結(jié)合在一起,從而實現(xiàn)了比 xSPI NOR 閃存更高的性能和可擴展性。據(jù)介紹,這款名為 SEMPER X1 的新型閃存設備借鑒了已有 10 年歷史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案,并將其應用于
- 關鍵字: 英飛凌 LPDDR 閃存
英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品

- 【2023 年 04 月 10日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲器經(jīng)過專門優(yōu)化,適合在電池供電的小型電子設備中使用。健身追蹤器、智能耳機、健康監(jiān)測儀、無人機和 GPS 導航等新型可穿戴應用及工業(yè)應用不斷涌現(xiàn),有助于實現(xiàn)精準跟蹤、記錄關鍵信息、增強安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進的功能和使用場景要求在體積更小的電子設備中配備更大容量的存儲器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示,藍牙耳
- 關鍵字: 英飛凌 SEMPER Nano NOR Flash 閃存
nand 閃存介紹
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