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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

英特爾最新發(fā)展藍(lán)圖：明年或全面轉(zhuǎn)向144層堆疊NAND

  • 處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步，開始有了新的進(jìn)度。根據(jù)外媒報導(dǎo)，英特爾的快閃存儲器部門最近公布了發(fā)展藍(lán)圖，在目前其他各家NAND快閃存儲器供應(yīng)商都已經(jīng)開始向1xx層堆疊的發(fā)展當(dāng)下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預(yù)計在2021年全面轉(zhuǎn)向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

  • 電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

  • 電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
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128層閃存：中國剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)

  • 長江存儲近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術(shù),單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個世界第一,首次躋身全球第一隊列水平。當(dāng)前,整個閃存行業(yè)都在全面轉(zhuǎn)向100+層堆疊,其中東芝、西部數(shù)據(jù)是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。在今天的第一季度財務(wù)會議期間,同樣來自韓國的SK海
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長江存儲128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價

  • 從去年下半年到現(xiàn)在,內(nèi)存閃存的漲價讓存儲廠商重新過上了好日子,想降價只能靠中國廠商了。上周國內(nèi)的長江存儲宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項世界第一,預(yù)計今年底量產(chǎn)。據(jù)介紹,長江存儲的128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
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長江存儲：128層3D NAND技術(shù)會按計劃在今年推出

  • 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。今年早些時候，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總
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瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU， 可同時實現(xiàn)設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接，適用于工業(yè)自動化設(shè)備

  • 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社近日宣布推出RX產(chǎn)品家族新成員——32位RX72N產(chǎn)品組和RX66N產(chǎn)品組，其單個芯片集成了設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內(nèi)核，具備240MHz最大工作頻率及雙以太網(wǎng)通道；RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個以太網(wǎng)通道。在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，性能與功能的不斷升級導(dǎo)致程序代碼愈加龐大。因此，存儲容量和讀取速度是決定實時性能的關(guān)鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達(dá)4MB片上閃存，可達(dá)到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時具備1
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國產(chǎn)38nm SLC閃存已量產(chǎn) 兆易創(chuàng)新：推進(jìn)24nm閃存研發(fā)

  • 在NAND閃存市場,三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布了2019年報,去年營收32億元,同比增長42%,凈利潤6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng)新的主要有三大業(yè)務(wù),最主要的是NOR閃存,全球市場份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產(chǎn)工藝為65nm節(jié)點,另有部分55nm工藝產(chǎn)品。兆易創(chuàng)新的NOR閃存累計出貨量超過100億顆,目前依然供不應(yīng)求
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集邦咨詢：受新冠肺炎疫情擴大沖擊，NAND Flash均價可能提前于下半年反轉(zhuǎn)向下

  • 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，雖然新冠肺炎疫情延燒，使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動能格外疲弱，但在NAND Flash領(lǐng)域，因為2020年全年供給位元產(chǎn)出年成長收斂至三成，加上各大供應(yīng)商資本支出保守，第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。
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紫光存儲解散？國產(chǎn)閃存、內(nèi)存市場人事地震：長江存儲、紫光存儲發(fā)聲

  • 今天國產(chǎn)的存儲芯片行業(yè)發(fā)生異動,傳聞紫光旗下的紫光存儲解散,相關(guān)人員要合并到長江存儲中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明,辟謠相關(guān)報道。存儲芯片是近年來國產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展的重中之重,畢竟一年進(jìn)口的內(nèi)存及閃存芯片超過1000億美元,份量極大,而紫光主導(dǎo)的幾家存儲公司是重點,尤其是長江存儲,去年首發(fā)量產(chǎn)了國產(chǎn)3D閃存。最新的爆料稱,紫光存儲公司解散,未來重點轉(zhuǎn)向DRAM內(nèi)存,大部分員工正等著長江存儲挑選,沒有挑中的就要自謀生路。針對這一消息,紫光存儲方面已經(jīng)發(fā)表了聲明,否認(rèn)公司解散,但承認(rèn)公司業(yè)務(wù)有所調(diào)整。紫光存儲表示
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三星量產(chǎn)512GB UFS 3.1手機閃存

  • 三星近日宣布開始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，其連續(xù)寫入速度超過1.2GB/s，是其前代產(chǎn)品寫入速度的3倍。
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2000億大基金二期3月底開始投資 國產(chǎn)3D閃存仍是重點

  • 為了扶植半導(dǎo)體發(fā)展,多部門推動成立了“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”,也就是大基金,一期已經(jīng)完成,二期大基金規(guī)模高達(dá)2041億元,今年3月份將開始實質(zhì)投資。此前,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(2014.09-2018.05)已經(jīng)投資完畢,共募得普通股987.2億元,同時發(fā)行優(yōu)先股400億元,總投資額為1387億元(相比于原先計劃的1200億元超募15.6%),公開投資公司為23家,累計有效投資項目達(dá)到70個左右。據(jù)報道,大基金一期投資范圍涵蓋集成電路產(chǎn)業(yè)上、中、下游各個環(huán)節(jié),其中67%的投資投向了半導(dǎo)體制造,包括
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華邦電進(jìn)軍車用、工業(yè)領(lǐng)域

  • 存儲器大廠華邦電近日宣布，開發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當(dāng)前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別，提供車用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域穩(wěn)健可靠的儲存存儲器。
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存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束 ？

  • 據(jù)IDC預(yù)測，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲器將具有極大的市場。半導(dǎo)體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模比2016年成長22.2%，達(dá)4197.2億美元，存儲器的
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美光3D XPoint存儲芯片量產(chǎn) 分析師：不影響Intel

  • 3D閃存在2020年將全面升級到100+層堆棧,128層會是很多廠商的選擇,再加上QLC閃存的普及,閃存及SSD硬盤的容量會進(jìn)一步增加,同時降低成本。不過新一代閃存的問題在于性能及可靠性都在下降了,以至于很多玩家都在反感QLC閃存,就像當(dāng)年反感TLC閃存一樣。有沒有性能更強、可靠性更高的存儲芯片?這也是有的,美光、Intel在2015年聯(lián)合宣布的3D XPoint就是一種革命性的存儲芯片,基于PCM相變存儲技術(shù),原理跟NAND閃存就不同,所以當(dāng)時Intel、美光宣稱它具備1000倍于閃存的性能、1000倍
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nand 閃存介紹

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