nand 閃存 文章 進入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻,Entegris用了哪些方法?

- 當前,我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進程,在這里催生了很多新技術(shù)和新市場,比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵、互相融合,共同推動半導體行業(yè)不斷發(fā)展,從而改變?nèi)祟惖纳罘绞健?/li>
- 關鍵字: 物聯(lián)網(wǎng) Entegris 3D NAND
NAND價格走跌,2019年PCIe SSD市場發(fā)展?jié)摿薮?/a>

- Admin 固態(tài)硬盤 今天由于NVMe的價格溢價下降,預計今年PCIe連接驅(qū)動器的銷售量將與SATA固態(tài)硬盤達到同等水平?! ?jù)報道,固態(tài)硬盤(SSD)和閃存卡中使用的NAND閃存大幅降價正在推動市場兩端的銷售。制造商正在為相對有利可圖的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心用例定制新的解決方案,而客戶端SSD的低成本正在推動OEM廠商的采用率,以包含在PC中?! 「鶕?jù)該報告,最引人注目的是,512 GB固態(tài)硬盤的單價與2018年同期的256 GB固態(tài)硬盤相匹配,預計到2019年剩余時間內(nèi)固態(tài)硬盤的價格將從512 GB降
- 關鍵字: NAND SSD
東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存:最早2020年上市

- 根據(jù)外媒的報道,東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中,該芯片將命名為BiCS-5?! ?jù)介紹,芯片將實現(xiàn)TLC,而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb,新的128層芯片的容量比96層芯片多33%,可以在2020到2021年實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。 據(jù)報道,新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報道,該芯片還采用了CuA(陣列電路),這是一
- 關鍵字: 東芝 西數(shù) NAND
中國將增加在美半導體采購量?韓媒:不太容易
- 據(jù)businesskorea報道,中國計劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元),大約是目前水平的五倍?! ∪欢S多專家表示,美國急于遏制中國的半導體野心,不太可能接受中國的提議,因為它將增加對中國的半導體依賴?! №n國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度,主要有兩個原因。 首先,中國沒有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片,無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導體芯片。在這種情況下,很難預測對韓國企業(yè)的影響。
- 關鍵字: NAND DRAM
韓媒:存儲器產(chǎn)業(yè)陷入低迷,中國企業(yè)或放緩前進步伐
- 根據(jù)韓國媒體Business Korea報道,由于存儲器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來低迷,存儲器產(chǎn)品價格下跌,各大存儲器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來,雖然三星仍然穩(wěn)坐半導體產(chǎn)業(yè)頭把交椅,但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑?! o獨有偶,SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此,那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢?
- 關鍵字: 存儲器,NAND
集邦咨詢:供需失衡態(tài)勢難止,NAND Flash供應商2019年資本支出年減2%
- 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年NAND Flash市場經(jīng)歷全年供過于求,且2019年筆記本電腦、智能手機、服務器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色,預計產(chǎn)能過剩難解。在此情況下,供應商將進一步降低資本支出以放緩擴產(chǎn)進程,避免位元成長過多導致過剩狀況加劇?! RAMeXchange調(diào)查指出,2018年因供過于求難以遏制,韓系供應商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%,但供需失衡的情形仍無法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出,使得NAND
- 關鍵字: NAND 東芝
中天弘宇:攻克核心設計缺陷 重建NOR閃存新生
- 閃存是當今數(shù)據(jù)存儲的重要介質(zhì)之一,主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發(fā)展,相比于NAND技術(shù)的快速演進,NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前,因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應用的關鍵。不過,因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究,NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累,完成了對原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新,也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構(gòu),但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
- 關鍵字: NOR NAND 存儲器
突破瓶頸,英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)

- 2018年12月11日,以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺,本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學術(shù)界的專家,就數(shù)據(jù)洪流時代下,企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值,變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
- 關鍵字: 數(shù)據(jù) 存儲 傲騰 QLC 3D NAND
nand 閃存介紹
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