K Hynix出樣96層堆棧QLC閃存 16TB硬盤不是夢(mèng)
NAND閃存價(jià)格從2018年初到現(xiàn)在已經(jīng)連跌6個(gè)季度了,廠商一方面在削減產(chǎn)能以控制供需情況,另一方面也在加強(qiáng)低成本的NAND閃存開發(fā),今年就會(huì)開始從TLC閃存向QLC閃存轉(zhuǎn)變。SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存,號(hào)稱是首個(gè)4D NAND閃存,今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存,核心容量1Tbit。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/201905/400433.htm對(duì)于NAND閃存,大家都知道有SLC、MLC、TLC及QLC之分,每種類型的閃存中存儲(chǔ)的電荷位數(shù)分別是1、2、3、4,所以QLC閃存的容量更高,成本更低,不過QLC閃存的電壓控制也更復(fù)雜,導(dǎo)致寫入速度變差,可靠性也會(huì)降低。
盡管如此,由于QLC閃存在容量、成本上的優(yōu)勢(shì),三星、美光、東芝、西數(shù)、SK Hynix、Intel等公司還是要力推QLC閃存,而且普遍會(huì)用于90+堆棧的新一代NAND閃存中。
SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存,并取名為4D NAND閃存,相比通常的3D NAND閃存聽上去更先進(jìn),主要原因就是SK Hynix首次實(shí)現(xiàn)了4D平面,每個(gè)NAND核心中的平面數(shù)量從2個(gè)增加到4個(gè),數(shù)據(jù)帶寬也從32KB翻倍到了64KB,核心容量達(dá)到了1Tbit,比目前MLC/TLC主流的256Gbit、512Gbi至少翻倍,可以輕松制造出16TB的硬盤。
SK Hynix今天宣布正式出樣96層堆棧的QLC閃存給客戶,SM慧榮等公司已經(jīng)拿到了QLC閃存樣品,并表示SK Hynix的QLC閃存整體性能令人印象深刻。
除了QLC閃存之外,SK Hynix還會(huì)開發(fā)自己的QLC軟件算法及主控芯片,并及時(shí)推出解決方案以滿足客戶需求。
評(píng)論