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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

未來企業(yè)級閃存市場發(fā)展前景依然強勁

  • 　　近日，根據(jù)一份來自IDC最新的有關(guān)企業(yè)級SSD閃存市場的報告顯示，SSD企業(yè)級市場未來前景依然強勁，2016年到2021年期間，出貨量、收入和總出貨容量預(yù)計都會呈現(xiàn)顯著增長。IDC預(yù)計全球SSD出貨量的5年復(fù)合年增長率將達(dá)到15.1%。SSD行業(yè)收入預(yù)計到2021年達(dá)到336億美元，復(fù)合年增長率為14.8%。 　　SSD市場前景改善的關(guān)鍵因素是產(chǎn)品可用性的提升，以及更好的定價動態(tài)，因為整個行業(yè)都在向3D NAND閃存過渡。IDC認(rèn)為，目前NAND閃存供應(yīng)的限制將在2018年開始減少，并進(jìn)一步推動整個
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東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠

  • 　　2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻(xiàn)。 所以，當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進(jìn)行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報導(dǎo)，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。 　　事實上，目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設(shè)當(dāng)中，預(yù)計將于 2018 年第 4 季完工
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • 　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。 　　DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。 　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
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投資機構(gòu)稱2018年半導(dǎo)體需求將放緩 良好業(yè)績難再重現(xiàn)

  • 　　半導(dǎo)體指數(shù)在兩年的上漲中上漲了92%。 　　投資者應(yīng)該有選擇性地選擇證券，并關(guān)注需求放緩。 　　   　　分析人士認(rèn)為，不要指望今年半導(dǎo)體類股的領(lǐng)先市場表現(xiàn)會在2018年重演。 　　盡管近期出現(xiàn)拋售，費城半導(dǎo)體指數(shù)自2016年初以來已經(jīng)上漲了92%，并有望連續(xù)第二年超過所有11個標(biāo)準(zhǔn)普爾板塊，這是由于獲利增加和前所未有的整合期。 　　盡管這一趨勢并沒有令分析師們感到悲觀，但一些分析師建議投資者要謹(jǐn)慎選擇，并警惕需求放緩和庫存水平上升的跡象。 　　以下是分析師對2018年的看
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中國反壟斷機構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個季度,何處是盡頭?

  • 圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

  • 　　DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。 　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 　　手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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紫光集團(tuán)：32層64G三維閃存芯片明年將實現(xiàn)量產(chǎn)

  • 　　紫光集團(tuán)董事長趙偉國近日在第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會表示，近年來，紫光集團(tuán)把企業(yè)發(fā)展的重點聚焦在了集成電路上。在移動領(lǐng)域，紫光現(xiàn)在每年向全球提供的手機芯片超過7億部套片;在存儲領(lǐng)域，紫光已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識產(chǎn)權(quán)的三維閃存芯片，明年將實現(xiàn)量產(chǎn)。
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三星量產(chǎn)512GB閃存，Galaxy S9容量有望翻倍

  • 　　三星宣布512GB閃存已進(jìn)入量產(chǎn)，意謂著明年Galaxy S9與Galaxy Note 9等新旗艦機儲存容量有望從當(dāng)前最大256GB翻倍成長。 　　512GB閃存主要因應(yīng)4K超高分辨率影片的錄制需求增加，據(jù)三星表示，新內(nèi)存芯片可容納130個10分鐘4K短片。 (日經(jīng)新聞) 　　三星從2015年開發(fā)出128GB內(nèi)存以來，已連續(xù)三年將內(nèi)存逐年倍增，成功將3D 64層閃存商業(yè)化。 展望未來，三星將再推出96層3D堆棧閃存。 　　目前iPad Pro、微軟Surface平板均有提供512GB機種，不過三
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潘健成：明年3D NAND進(jìn)入96層　群聯(lián)準(zhǔn)備好了

  • 　　今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格，隨著制程轉(zhuǎn)換完成，全球缺貨問題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長潘健成指出，2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代，帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次，群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備好了，呈現(xiàn)蓄勢待發(fā)的姿態(tài)! 　　今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡，芯片價格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制，
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美光任命Derek Dicker為存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理

  • 　　美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理?！　≡诖寺毼簧?，Dicker 將負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)和拓展美光的固態(tài)存儲業(yè)務(wù)，包括打造世界領(lǐng)先的存儲解決方案，從而把握云端、企業(yè)級和客戶端計算等大型細(xì)分市場中日漸增多的機遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 匯報?！　icker 在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗，包括在 Intel、
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旺宏NAND論文 獲國際肯定

  • 　　內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進(jìn)內(nèi)存研發(fā)實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。 　　旺宏強調(diào)，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù)，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達(dá)到二到三倍的內(nèi)存密度。 　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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內(nèi)存/閃存行業(yè)周期即將逆轉(zhuǎn)，存儲器芯片景氣或觸頂

  • 自2016年一季度以來半導(dǎo)體行業(yè)所享受的強勁市場需求和史無前例的定價權(quán)難以為繼，NAND閃存超級周期料將發(fā)生逆轉(zhuǎn)。
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c行業(yè)周期即將逆轉(zhuǎn)，存儲器芯片景氣或觸頂

  • 　　摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲器芯片獲利恐難顯著成長為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評等自“加碼”降至“中性權(quán)重”，目標(biāo)價下修3.4%至280萬韓元。大摩指出，隨著NAND型快閃存儲器報價在2017年第四季開始反轉(zhuǎn)，下行風(fēng)險隨之升高;在此同時，2018年第一季以后的DRAM供需能見度也已降低。自2016年一季度以來半導(dǎo)體行業(yè)所享受的強勁市場需求和史無前例的定價權(quán)難以為繼，N
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讓汽車更智能，適用于汽車遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP

  • 　　被譽為世界三大車展之一的東京車展于近日開幕，來自全世界的主要汽車生產(chǎn)廠商通過展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來描繪下一代汽車發(fā)展藍(lán)圖，其中 “人工智能”、“自動駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的未來的發(fā)展方向。　　例如，豐田展出的“愛i”系列，能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習(xí)慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個高清晰攝像頭，能捕捉到周圍的行人、車輛
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nand 閃存介紹

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