首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

nand 閃存 文章 最新資訊

DIGITIMES：聲光暫掩的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況

  • 　　開年以來大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進入沉潛期。首先是年初長江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來是中芯國際董事長周子學表達的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時間，大陸才能發(fā)展出比較有市場競爭力的企業(yè)主體。再來是最近紫光集團表示，由于長江存儲的存儲器芯片工廠專案投資規(guī)模過大，目前尚處于建設(shè)初期，短期無法產(chǎn)生銷售收入，時機不成熟，停止收購長江存儲的股份。雖然似乎大陸整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動能，但
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  NAND  

銀行債權(quán)人向東芝施壓：八月必須賣掉閃存業(yè)務(wù)

  • 　　日本東芝公司已經(jīng)資不抵債，但是轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的交易，卻陷入了泥潭，讓債權(quán)人、日本政府等頗為著急。據(jù)外媒最新消息，東芝的主要債權(quán)人已經(jīng)向該公司施壓：必須在八月份完成閃存業(yè)務(wù)的轉(zhuǎn)讓。 　　據(jù)日經(jīng)新聞等媒體報道，東芝目前已經(jīng)是資不抵債的負資產(chǎn)企業(yè)，之前已經(jīng)從東京股票交易所主板摘牌，降級到了二板，如果明年財年結(jié)束時繼續(xù)資不抵債，東芝將徹底從股市上消失。 　　據(jù)報道，東芝多家債權(quán)人銀行(也是長期合作的銀行伙伴)已經(jīng)要求該公司在八月份完成轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的交易，只有這樣才能夠確保在明年三月底財年結(jié)束之前，完成全部交
  • 關(guān)鍵字： 東芝  閃存  

三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀錄，手機品牌包產(chǎn)能

  • 　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時程。 　　集邦、IC Insight等研究機構(gòu)最近紛紛出具報告，強調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴重。 　　業(yè)界表示，三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價遠比DRAM
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

閃存持續(xù)缺貨到明年底！SSD、手機、電腦齊悲催

  • SSD還會持續(xù)漲價嗎?答案真的不讓消費者省心。
  • 關(guān)鍵字： SSD  閃存  

各家爭鳴存儲器技術(shù)標準 儲存技術(shù)之爭再掀戰(zhàn)火

  • 　　在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應(yīng)商持續(xù)推出更新式存儲器芯片以期能主導(dǎo)競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應(yīng)商也都在談?wù)摵喕疐lash儲存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性，以減少應(yīng)用在資料中心時出現(xiàn)的延遲問題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標準，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢。 　　根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報導(dǎo)，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electr
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  NAND  

3D NAND究竟出了什么問題？

  • 3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  存儲器  

具有劃時代意義的芯片匯總，賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列

  • 　　對大多數(shù)人來說，微芯片是一些長著小小的金屬針，標著看似隨機的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來說，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對整個計算環(huán)境造成了長期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事?！　榱思o念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
  • 關(guān)鍵字： FPGA  NAND  

東芝公布2016財年財報：全年凈虧損88億美元 低于分析師預(yù)期

  • 　　據(jù)國外媒體報道，原本在6月底就應(yīng)該公布的東芝2016財年財報，因東芝陷入困境而未能如期發(fā)布，在推遲了一個多月之后，東芝終于公布了2016財年的財報。 　　在得到審計機構(gòu)的批準之后，東芝在周四公布了2016財年的財報，財報顯示，在截至今年3月31日的2016財年，東芝的營收為4.8萬億日元(約合436億美元)，較2015財年降低了5.5%。 　　由于美國核電業(yè)務(wù)減記，東芝2016財年虧損已是無法避免的事，而事實也的確如此。 　　在近日公布的財報中，東芝2016財年的凈虧損為9657億日元(約合88
  • 關(guān)鍵字： 東芝  閃存  

1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世

  • 　　三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。 　　三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。 　　三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
  • 關(guān)鍵字： V-NAND  NVMe  

打破壟斷 國產(chǎn)閃存芯片之路有多遠？

  • 文章云里霧里的，但是一點沒錯：國產(chǎn)化閃存顆粒，已刻不容緩。
  • 關(guān)鍵字： 閃存  芯片  

三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達1Tb

  • 　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。 　　在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產(chǎn)品。 　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。 　　如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。 　　其
  • 關(guān)鍵字： 三星  V-NAND  

東芝傳計劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND

  • 　　日刊工業(yè)新聞7日報導(dǎo) ，為了提高3D架構(gòu)的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應(yīng)三星電子等競爭對手加快擴產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產(chǎn)投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預(yù)計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。 　　該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

存儲器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

  • 　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別。　　SRAM：靜態(tài)隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態(tài)隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND   

東芝轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)進展不順 日政府看不下去全面介入

  • 　　由于財務(wù)狀況惡化，日本東芝公司已經(jīng)被東京股票交易所從主板摘牌，距離退市已經(jīng)越來越近，但是時至今日，轉(zhuǎn)讓閃存芯片業(yè)務(wù)的進展卻并不順利。據(jù)外媒最新消息，面對東芝高管所表現(xiàn)出的領(lǐng)導(dǎo)無方，日本政府已經(jīng)全面介入到這一轉(zhuǎn)讓交易中。 　　按照原定計劃，東芝準備把閃存芯片業(yè)務(wù)以大約180億美元的價格，轉(zhuǎn)讓給一個美日韓聯(lián)合體，其中包括日本開發(fā)銀行、日本產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)、美國貝恩資本、韓國海力士半導(dǎo)體，不過東芝的芯片業(yè)務(wù)合資伙伴西部數(shù)據(jù)，卻以海力士的涉足為由，提出了反對意見，并已經(jīng)述諸法律手段。 　　有消息稱，由于和西部
  • 關(guān)鍵字： 東芝  閃存  

半導(dǎo)體人才流失中國，三星呼吁韓國政府幫忙

  • 　　根據(jù)韓國英文媒體 《The Korea Times》 的報導(dǎo)，三星副總裁權(quán)五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話，要韓國政府給予半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多的支持，以解決人才荒的問題。 　　報導(dǎo)中指出，目前是三星副總裁，也是領(lǐng)導(dǎo)三星顯示器部門的權(quán)五鉉，日前在一項公開演講中指出，韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自認為有其競爭的實力。 不過，卻面臨當當前半導(dǎo)體人才不足的問題。 權(quán)五鉉進一步指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎(chǔ)，因此希望韓國政府能藉由科技培訓(xùn)的管道，持續(xù)為半導(dǎo)體與設(shè)備產(chǎn)業(yè)供應(yīng)需要的人才。
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND   
共1595條 29/107 |‹ « 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 » ›|

nand 閃存介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473