nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體人才流失中國(guó)，三星呼吁韓國(guó)政府幫忙

　　根據(jù)韓國(guó)英文媒體《The Korea Times》的報(bào)導(dǎo)，三星副總裁權(quán)五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國(guó)政府喊話，要韓國(guó)政府給予半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多的支持，以解決人才荒的問(wèn)題。　　報(bào)導(dǎo)中指出，目前是三星副總裁，也是領(lǐng)導(dǎo)三星顯示器部門的權(quán)五鉉，日前在一項(xiàng)公開演講中指出，韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自認(rèn)為有其競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)力。不過(guò)，卻面臨當(dāng)當(dāng)前半導(dǎo)體人才不足的問(wèn)題。權(quán)五鉉進(jìn)一步指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎(chǔ)，因此希望韓國(guó)政府能藉由科技培訓(xùn)的管道，持續(xù)為半導(dǎo)體與設(shè)備產(chǎn)業(yè)供應(yīng)需要的人才。
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解讀：上半年中國(guó)固態(tài)硬盤市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

　　受NAND Flash供貨緊張影響，以及數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域SSD強(qiáng)勁需求，2017年上半年NAND Flash價(jià)格持續(xù)走高。根據(jù)ZDC統(tǒng)計(jì)，NAND Flash價(jià)格累計(jì)漲幅達(dá)26%，消費(fèi)類每GB銷售價(jià)格突破了0.3美金。　　 ? 　　2017年上半年，中國(guó)市場(chǎng)智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備需求出現(xiàn)下滑，再加上NAND Flash的價(jià)格持續(xù)走高，高價(jià)壓力下的SSD市場(chǎng)呈現(xiàn)一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來(lái)，固態(tài)硬盤的關(guān)注度有所回升。　　 ? 　
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ICinsights:DRAM、NAND售價(jià)已暴漲一年

　　IC Insights的報(bào)告顯示，DRAM及NAND Flash售價(jià)已經(jīng)連續(xù)四個(gè)季度上漲。　　不過(guò)因?yàn)樵瓘S紛紛提出擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為，未來(lái)幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會(huì)加入戰(zhàn)場(chǎng)，3D NAND Flash產(chǎn)能供過(guò)于求的可能性相當(dāng)高。　　近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
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NAND閃存供應(yīng)短缺，三星斥資186億美元投資芯片

　　韓國(guó)三星電子有限公司本周二表示，計(jì)劃在韓國(guó)投資至少21.4萬(wàn)億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。　　作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對(duì)位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬(wàn)億韓元。此外，位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬(wàn)億韓元的投資。剩下的1萬(wàn)億韓元，將分配給三星位于韓國(guó)的OLED屏幕工廠。同時(shí)，三星還計(jì)劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。　　近年來(lái)，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來(lái)推動(dòng)NAND閃存的
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ICinsights:DRAM、NAND漲勢(shì)第四季微幅逆轉(zhuǎn)

　　ICinsights認(rèn)為，全球內(nèi)存下半年價(jià)格上漲動(dòng)能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。　　盡管漲勢(shì)減緩，但DRAM與NAND今年?duì)I收預(yù)料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價(jià)快速上漲之賜。以DRAM為例，DRAM平均售價(jià)今年預(yù)估年漲幅高達(dá)63%，此為1993年有記錄以來(lái)之最。　　內(nèi)存價(jià)格從去年第三季起漲，ICinsights預(yù)期動(dòng)能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉(zhuǎn)負(fù)，為這波正向循環(huán)劃下休止符。　　ICinsights指出，隨著價(jià)格走揚(yáng)，內(nèi)存制造商也再次增加資本投
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機(jī)械硬盤持續(xù)大幅滑坡閃存將取代HDD存儲(chǔ)市場(chǎng)？

　　如今，機(jī)械硬盤持續(xù)大幅滑坡，這讓西數(shù)、希捷兩大廠商不得不做戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型向SSD市場(chǎng)?！　”娝苤?，機(jī)械硬盤(HDD)曾是電腦不可或缺的部件，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)也非常激烈。最后，全球的機(jī)械硬盤被西部數(shù)據(jù)、希捷與東芝三家巨頭所壟斷，其他品牌都被并購(gòu)或直接淘汰。　　在這其中，東芝是最先轉(zhuǎn)型到固態(tài)硬盤領(lǐng)域的，今年年初，據(jù)外媒報(bào)道，東芝方面吐露將不再考慮生產(chǎn)15KHDD新品?！　≡賮?lái)看看希捷的情況，今年年初關(guān)閉蘇州工廠后，又低調(diào)的關(guān)閉了位于韓國(guó)的HDD研發(fā)中心。而該研究中心從成立至今還不到4年，主攻2.5英寸機(jī)械硬盤。閃存市
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KBS：聚焦韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

　　韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)生水起。世界上最大的內(nèi)存芯片供應(yīng)商三星電子公司宣布，其在韓國(guó)平澤的新建半導(dǎo)體生產(chǎn)線已經(jīng)開始量產(chǎn)。NAND閃存技術(shù)開發(fā)商SK海力士公司已經(jīng)加入了一個(gè)同盟，將投標(biāo)收購(gòu)日本東芝的內(nèi)存部門。今天，我們邀請(qǐng)到了韓國(guó)真好經(jīng)濟(jì)研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產(chǎn)的半導(dǎo)體工廠的意義。　　根據(jù)IT市場(chǎng)研究公司的數(shù)據(jù)，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場(chǎng)上的份額為35.4%。這個(gè)數(shù)字具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，但平澤半導(dǎo)體廠
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NOR Flash行業(yè)趨勢(shì)解讀：供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲(chǔ)雄心勃勃

　　這個(gè)時(shí)間點(diǎn)我們討論NorFlash行業(yè)趨勢(shì)與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績(jī)即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績(jī)沒(méi)有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會(huì)反饋意見(jiàn)等)，同時(shí)我們調(diào)高AMOLED與TDDINor的需求拉動(dòng)預(yù)期，詳細(xì)測(cè)算供需缺口，以求對(duì)未來(lái)趨勢(shì)定性、定量研究; 　　汽車電子與工控拉動(dòng)行業(yè)趨勢(shì)反轉(zhuǎn)TDDI+AMOLED新需求錦上添花　　1、汽車與工控拉動(dòng)2016趨勢(shì)反轉(zhuǎn) 　　從各方面驗(yàn)證，2016年是NOR的拐點(diǎn)
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東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社開發(fā)出世界首款QLC 3D閃存

　　存儲(chǔ)器解決方案全球領(lǐng)導(dǎo)者東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社今日宣布開發(fā)出世界首款[1]采用堆疊式結(jié)構(gòu)的BiCS FLASH?三維(3D)閃存[2]。最新的BiCS FLASH?設(shè)備是首款采用4位元(四階存儲(chǔ)單元，QLC)技術(shù)的閃存設(shè)備，該技術(shù)使閃存設(shè)備的存儲(chǔ)容量較3位元(TLC)設(shè)備進(jìn)一步提高并推動(dòng)了閃存技術(shù)創(chuàng)新。　　多位元內(nèi)存通過(guò)管理每個(gè)獨(dú)立存儲(chǔ)單元中的電子數(shù)目來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。實(shí)現(xiàn)QLC技術(shù)帶來(lái)一系列技術(shù)挑戰(zhàn)，在相同電子數(shù)目下位元數(shù)目每增加一個(gè)，需要兩倍于TLC技術(shù)的精度。東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社利用其先
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三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線投產(chǎn)

　　據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達(dá)20萬(wàn)片，并計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)充生產(chǎn)設(shè)備，解決近年來(lái)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)上供不應(yīng)求的局面。　　據(jù)了解，位于韓國(guó)京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動(dòng)工建設(shè)，日均投入1.2萬(wàn)名施工人員，耗時(shí)兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。　　三星宣布，至2021年為止，要對(duì)位于平澤市的NAND型快閃存儲(chǔ)器廠房投入14.4萬(wàn)億韓圜(約合125.4億美元)，并對(duì)華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6
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東芝變賣閃存業(yè)務(wù)“跳票” 股東們表示很失望

　　本周，東芝的股東和業(yè)界都在等待一個(gè)巨大消息：周二或者周三，東芝將和一個(gè)美日韓聯(lián)合體簽約，正式變賣閃存芯片業(yè)務(wù)，獲得急需的180億美元。　　然而在周三的股東大會(huì)上，東芝高管宣布了令人失望的消息。據(jù)法新社報(bào)道，東芝的“跳票”讓股東感到十分氣憤。　　東芝總裁綱川智周三表示，依然無(wú)法公布上一財(cái)年的財(cái)報(bào)，另外轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的談判依然沒(méi)有結(jié)束。　　在轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)方面，東芝已經(jīng)花費(fèi)了太多的時(shí)間，效率之低下令股東十分不滿。日本權(quán)威媒體日經(jīng)新聞本周曾報(bào)道，東芝已經(jīng)敲定了閃存業(yè)務(wù)的接手方
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東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨(dú)投1800億增產(chǎn)3D NAND

　　全球第 2 大 NAND 型快閃存儲(chǔ)器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于 2017 年下半送樣、2018 年開始進(jìn)行量產(chǎn)，主要用來(lái)?yè)尮?shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機(jī)、平板電腦和存儲(chǔ)卡等市場(chǎng)。　　東芝今后也計(jì)劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的
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PC內(nèi)存一年價(jià)格翻一倍多，二季度還要再漲10-20%

　　2017年JS靠著挖礦顯卡價(jià)格大漲賺錢了，只不過(guò)這一波顯卡漲價(jià)雖然很瘋狂，但是漲幅并不是最高的，內(nèi)存價(jià)格上漲的才是驚人，8GB DDR4內(nèi)存條現(xiàn)在普遍在400元以上，去年這時(shí)候價(jià)格才199元呢，當(dāng)時(shí)還覺(jué)得貴呢，現(xiàn)在價(jià)格翻倍都不止了。目前內(nèi)存漲價(jià)的趨勢(shì)還沒(méi)有得到抑制，Q1季度PC內(nèi)存已經(jīng)大漲36%了，可Q2季度還會(huì)繼續(xù)上漲10-20%，因?yàn)槿?、SK Hynix及美光等廠商現(xiàn)在的產(chǎn)能并沒(méi)有增加，市場(chǎng)供需還是不平衡。　　這一年多了沒(méi)升級(jí)什么PC硬件了，雖然寫新聞的過(guò)程中也知道內(nèi)存、
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64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點(diǎn)」？

　　64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預(yù)計(jì)將在未來(lái)18個(gè)月內(nèi)成為市場(chǎng)主流... 　　Western Digital(WD)內(nèi)存技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。　　在最近接受《EE Times》的訪問(wèn)中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術(shù)」(seminal technology)，可望應(yīng)用于WD逾50種產(chǎn)品線。他預(yù)計(jì)今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D
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再延期東芝傾向于將閃存芯片業(yè)務(wù)賣給美日韓聯(lián)合體

　　6月20日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，東芝預(yù)計(jì)將在月底決定閃存芯片業(yè)務(wù)的最終買家，而此前出價(jià)最高的由富士康和蘋果等企業(yè)組成的競(jìng)購(gòu)團(tuán)，有可能在競(jìng)購(gòu)中白忙活一場(chǎng)，因?yàn)橥饷降南@示，東芝更傾向于將閃存芯片業(yè)務(wù)賣給貝恩資本牽頭的由美國(guó)、日本和韓國(guó)企業(yè)組成的聯(lián)合體。　　　　由于美國(guó)核電業(yè)務(wù)減記帶來(lái)了巨大的虧損，東芝目前面臨資不抵債的困境，急需資金，東芝因此決定剝離閃存芯片業(yè)務(wù)并將其出售以換取資金。　　目前共有富士康、美國(guó)芯片制造商博通、貝恩資本牽頭的三大財(cái)團(tuán)參與東芝閃存芯片業(yè)務(wù)的競(jìng)購(gòu)
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