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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

第二季NAND Flash品牌廠營收季成長8%，第三季價格續(xù)揚(yáng)

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線合約價平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)內(nèi)的eMMC/UFS以及SSD合約價仍持續(xù)小漲，2017年將是NAND Flash廠商營收表現(xiàn)成果豐碩的一年。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧
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DIGITIMES：聲光暫掩的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況

  • 　　開年以來大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來是中芯國際董事長周子學(xué)表達(dá)的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時間，大陸才能發(fā)展出比較有市場競爭力的企業(yè)主體。再來是最近紫光集團(tuán)表示，由于長江存儲的存儲器芯片工廠專案投資規(guī)模過大，目前尚處于建設(shè)初期，短期無法產(chǎn)生銷售收入，時機(jī)不成熟，停止收購長江存儲的股份。雖然似乎大陸整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動能，但
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銀行債權(quán)人向東芝施壓：八月必須賣掉閃存業(yè)務(wù)

  • 　　日本東芝公司已經(jīng)資不抵債，但是轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的交易，卻陷入了泥潭，讓債權(quán)人、日本政府等頗為著急。據(jù)外媒最新消息，東芝的主要債權(quán)人已經(jīng)向該公司施壓：必須在八月份完成閃存業(yè)務(wù)的轉(zhuǎn)讓。 　　據(jù)日經(jīng)新聞等媒體報道，東芝目前已經(jīng)是資不抵債的負(fù)資產(chǎn)企業(yè)，之前已經(jīng)從東京股票交易所主板摘牌，降級到了二板，如果明年財年結(jié)束時繼續(xù)資不抵債，東芝將徹底從股市上消失。 　　據(jù)報道，東芝多家債權(quán)人銀行(也是長期合作的銀行伙伴)已經(jīng)要求該公司在八月份完成轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的交易，只有這樣才能夠確保在明年三月底財年結(jié)束之前，完成全部交
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三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀(jì)錄，手機(jī)品牌包產(chǎn)能

  • 　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時程。 　　集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報告，強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴(yán)重。 　　業(yè)界表示，三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價遠(yuǎn)比DRAM
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閃存持續(xù)缺貨到明年底！SSD、手機(jī)、電腦齊悲催

  • SSD還會持續(xù)漲價嗎?答案真的不讓消費(fèi)者省心。
  • 關(guān)鍵字： SSD  閃存  

各家爭鳴存儲器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 儲存技術(shù)之爭再掀戰(zhàn)火

  • 　　在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應(yīng)商持續(xù)推出更新式存儲器芯片以期能主導(dǎo)競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應(yīng)商也都在談?wù)摵喕疐lash儲存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性，以減少應(yīng)用在資料中心時出現(xiàn)的延遲問題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標(biāo)準(zhǔn)，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢。 　　根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報導(dǎo)，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electr
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3D NAND究竟出了什么問題？

  • 3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  存儲器  

具有劃時代意義的芯片匯總，賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列

  • 　　對大多數(shù)人來說，微芯片是一些長著小小的金屬針，標(biāo)著看似隨機(jī)的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來說，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對整個計(jì)算環(huán)境造成了長期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事。　　為了紀(jì)念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
  • 關(guān)鍵字： FPGA  NAND  

東芝公布2016財年財報：全年凈虧損88億美元 低于分析師預(yù)期

  • 　　據(jù)國外媒體報道，原本在6月底就應(yīng)該公布的東芝2016財年財報，因東芝陷入困境而未能如期發(fā)布，在推遲了一個多月之后，東芝終于公布了2016財年的財報。 　　在得到審計(jì)機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)之后，東芝在周四公布了2016財年的財報，財報顯示，在截至今年3月31日的2016財年，東芝的營收為4.8萬億日元(約合436億美元)，較2015財年降低了5.5%。 　　由于美國核電業(yè)務(wù)減記，東芝2016財年虧損已是無法避免的事，而事實(shí)也的確如此。 　　在近日公布的財報中，東芝2016財年的凈虧損為9657億日元(約合88
  • 關(guān)鍵字： 東芝  閃存  

1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世

  • 　　三星計(jì)劃在明年推出容量達(dá)1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。 　　三星(Samsung)計(jì)劃明年推出容量達(dá)1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達(dá)到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。 　　三星的Tbit NAND可支持高達(dá)每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達(dá)4
  • 關(guān)鍵字： V-NAND  NVMe  

打破壟斷 國產(chǎn)閃存芯片之路有多遠(yuǎn)？

  • 文章云里霧里的，但是一點(diǎn)沒錯：國產(chǎn)化閃存顆粒，已刻不容緩。
  • 關(guān)鍵字： 閃存  芯片  

三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達(dá)1Tb

  • 　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。 　　在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達(dá)1Tb，用于消費(fèi)級產(chǎn)品。 　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。 　　如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。 　　其
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東芝傳計(jì)劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND

  • 　　日刊工業(yè)新聞7日報導(dǎo) ，為了提高3D架構(gòu)的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應(yīng)三星電子等競爭對手加快擴(kuò)產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進(jìn)一步祭出增產(chǎn)投資，計(jì)劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預(yù)計(jì)于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達(dá)1兆日圓的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。 　　該座3D NAND新工廠興建計(jì)劃由東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負(fù)責(zé)
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存儲器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

  • 　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機(jī)存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別?！　RAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態(tài)隨機(jī)存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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東芝轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)進(jìn)展不順 日政府看不下去全面介入

  • 　　由于財務(wù)狀況惡化，日本東芝公司已經(jīng)被東京股票交易所從主板摘牌，距離退市已經(jīng)越來越近，但是時至今日，轉(zhuǎn)讓閃存芯片業(yè)務(wù)的進(jìn)展卻并不順利。據(jù)外媒最新消息，面對東芝高管所表現(xiàn)出的領(lǐng)導(dǎo)無方，日本政府已經(jīng)全面介入到這一轉(zhuǎn)讓交易中。 　　按照原定計(jì)劃，東芝準(zhǔn)備把閃存芯片業(yè)務(wù)以大約180億美元的價格，轉(zhuǎn)讓給一個美日韓聯(lián)合體，其中包括日本開發(fā)銀行、日本產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)、美國貝恩資本、韓國海力士半導(dǎo)體，不過東芝的芯片業(yè)務(wù)合資伙伴西部數(shù)據(jù)，卻以海力士的涉足為由，提出了反對意見，并已經(jīng)述諸法律手段。 　　有消息稱，由于和西部
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nand 閃存介紹

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