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nand 閃存 文章 最新資訊

解讀：上半年中國固態(tài)硬盤市場發(fā)展現(xiàn)狀

  • 　　受NAND Flash供貨緊張影響，以及數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、移動設(shè)備等領(lǐng)域SSD強勁需求，2017年上半年NAND Flash價格持續(xù)走高。根據(jù)ZDC統(tǒng)計，NAND Flash價格累計漲幅達26%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。 　　 ? 　　2017年上半年，中國市場智能手機、平板電腦等移動設(shè)備需求出現(xiàn)下滑，再加上NAND Flash的價格持續(xù)走高，高價壓力下的SSD市場呈現(xiàn)一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來，固態(tài)硬盤的關(guān)注度有所回升。 　　 ? 　
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ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年

  • 　　IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。 　　 不過因為原廠紛紛提出擴產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當(dāng)高。   　　近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
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NAND閃存供應(yīng)短缺，三星斥資186億美元投資芯片

  • 　　韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 　　作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。 　　近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動NAND閃存的
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ICinsights:DRAM、NAND漲勢第四季微幅逆轉(zhuǎn)

  • 　　ICinsights認為，全球內(nèi)存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。 　　盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預(yù)料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價今年預(yù)估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來之最。 　　內(nèi)存價格從去年第三季起漲，ICinsights預(yù)期動能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉(zhuǎn)負，為這波正向循環(huán)劃下休止符。 　　ICinsights指出，隨著價格走揚，內(nèi)存制造商也再次增加資本投
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機械硬盤持續(xù)大幅滑坡 閃存將取代HDD存儲市場？

  • 　　如今，機械硬盤持續(xù)大幅滑坡，這讓西數(shù)、希捷兩大廠商不得不做戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型向SSD市場?！　”娝苤瑱C械硬盤(HDD)曾是電腦不可或缺的部件，行業(yè)競爭也非常激烈。最后，全球的機械硬盤被西部數(shù)據(jù)、希捷與東芝三家巨頭所壟斷，其他品牌都被并購或直接淘汰?！　≡谶@其中，東芝是最先轉(zhuǎn)型到固態(tài)硬盤領(lǐng)域的，今年年初，據(jù)外媒報道，東芝方面吐露將不再考慮生產(chǎn)15KHDD新品。　　再來看看希捷的情況，今年年初關(guān)閉蘇州工廠后，又低調(diào)的關(guān)閉了位于韓國的HDD研發(fā)中心。而該研究中心從成立至今還不到4年，主攻2.5英寸機械硬盤。閃存市
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KBS：聚焦韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  • 　　韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)生水起。世界上最大的內(nèi)存芯片供應(yīng)商三星電子公司宣布，其在韓國平澤的新建半導(dǎo)體生產(chǎn)線已經(jīng)開始量產(chǎn)。NAND閃存技術(shù)開發(fā)商SK海力士公司已經(jīng)加入了一個同盟，將投標(biāo)收購日本東芝的內(nèi)存部門。今天，我們邀請到了韓國真好經(jīng)濟研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產(chǎn)的半導(dǎo)體工廠的意義。 　　根據(jù)IT市場研究公司的數(shù)據(jù)，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。 這個數(shù)字具有絕對優(yōu)勢，但平澤半導(dǎo)體廠
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NOR Flash行業(yè)趨勢解讀：供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃

  • 　　這個時間點我們討論NorFlash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等)，同時我們調(diào)高AMOLED與TDDINor的需求拉動預(yù)期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究; 　　汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn)TDDI+AMOLED新需求錦上添花 　　1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉(zhuǎn) 　　從各方面驗證，2016年是NOR的拐點
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東芝存儲器株式會社開發(fā)出世界首款QLC 3D閃存

  • 　　存儲器解決方案全球領(lǐng)導(dǎo)者東芝存儲器株式會社今日宣布開發(fā)出世界首款[1]采用堆疊式結(jié)構(gòu)的BiCS FLASH?三維(3D)閃存[2]。最新的BiCS FLASH?設(shè)備是首款采用4位元(四階存儲單元，QLC)技術(shù)的閃存設(shè)備，該技術(shù)使閃存設(shè)備的存儲容量較3位元(TLC)設(shè)備進一步提高并推動了閃存技術(shù)創(chuàng)新?！　《辔辉獌?nèi)存通過管理每個獨立存儲單元中的電子數(shù)目來存儲數(shù)據(jù)。實現(xiàn)QLC技術(shù)帶來一系列技術(shù)挑戰(zhàn)，在相同電子數(shù)目下位元數(shù)目每增加一個，需要兩倍于TLC技術(shù)的精度。東芝存儲器株式會社利用其先
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三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線投產(chǎn)

  • 　　據(jù)韓聯(lián)社報道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達20萬片，并計劃持續(xù)擴充生產(chǎn)設(shè)備，解決近年來全球半導(dǎo)體市場上供不應(yīng)求的局面。 　　據(jù)了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設(shè)，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。 　　三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6
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東芝變賣閃存業(yè)務(wù)“跳票” 股東們表示很失望

  • 　　本周，東芝的股東和業(yè)界都在等待一個巨大消息：周二或者周三，東芝將和一個美日韓聯(lián)合體簽約，正式變賣閃存芯片業(yè)務(wù)，獲得急需的180億美元。 　　然而在周三的股東大會上，東芝高管宣布了令人失望的消息。據(jù)法新社報道，東芝的“跳票”讓股東感到十分氣憤。 　　東芝總裁綱川智周三表示，依然無法公布上一財年的財報，另外轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的談判依然沒有結(jié)束。 　　在轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)方面，東芝已經(jīng)花費了太多的時間，效率之低下令股東十分不滿。日本權(quán)威媒體日經(jīng)新聞本周曾報道，東芝已經(jīng)敲定了閃存業(yè)務(wù)的接手方
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東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨投1800億增產(chǎn)3D NAND

  • 　　全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。 　　東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的
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PC內(nèi)存一年價格翻一倍多，二季度還要再漲10-20%

  • 　　2017年JS靠著挖礦顯卡價格大漲賺錢了，只不過這一波顯卡漲價雖然很瘋狂，但是漲幅并不是最高的，內(nèi)存價格上漲的才是驚人，8GB DDR4內(nèi)存條現(xiàn)在普遍在400元以上，去年這時候價格才199元呢，當(dāng)時還覺得貴呢，現(xiàn)在價格翻倍都不止了。目前內(nèi)存漲價的趨勢還沒有得到抑制，Q1季度PC內(nèi)存已經(jīng)大漲36%了，可Q2季度還會繼續(xù)上漲10-20%，因為三星、SK Hynix及美光等廠商現(xiàn)在的產(chǎn)能并沒有增加，市場供需還是不平衡。   　　這一年多了沒升級什么PC硬件了，雖然寫新聞的過程中也知道內(nèi)存、
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64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點」？

  • 　　64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預(yù)計將在未來18個月內(nèi)成為市場主流... 　　Western Digital(WD)內(nèi)存技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。 　　在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術(shù)」(seminal technology)，可望應(yīng)用于WD逾50種產(chǎn)品線。 他預(yù)計今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D
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再延期 東芝傾向于將閃存芯片業(yè)務(wù)賣給美日韓聯(lián)合體

  • 　　6月20日消息，據(jù)國外媒體報道，東芝預(yù)計將在月底決定閃存芯片業(yè)務(wù)的最終買家，而此前出價最高的由富士康和蘋果等企業(yè)組成的競購團，有可能在競購中白忙活一場，因為外媒的消息顯示，東芝更傾向于將閃存芯片業(yè)務(wù)賣給貝恩資本牽頭的由美國、日本和韓國企業(yè)組成的聯(lián)合體。 　　   　　由于美國核電業(yè)務(wù)減記帶來了巨大的虧損，東芝目前面臨資不抵債的困境，急需資金，東芝因此決定剝離閃存芯片業(yè)務(wù)并將其出售以換取資金。 　　目前共有富士康、美國芯片制造商博通、貝恩資本牽頭的三大財團參與東芝閃存芯片業(yè)務(wù)的競購
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三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)

  • 　　三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產(chǎn)，與此同時，三星還將擴展包含服務(wù)器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。 　　64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導(dǎo)指出，三星為穩(wěn)固領(lǐng)先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。 　　其實，三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶，打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動與消費型儲存市場開發(fā)新應(yīng)用，務(wù)求與 I
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nand 閃存介紹

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