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Vishay攜最新MOSFET、IC、無源器件和二極管技術亮相APEC 2019

　　2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(APEC)上展示其強大產品陣容。Vishay展位設在411展臺，將展示適用于廣泛應用領域的最新業(yè)內領先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術。　　在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
關鍵字： Vishay MOSFET

滿足新能源汽車應用的SiC MOSFET系列產品

　　世紀金光是國內首家貫通碳化硅全產業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)。產品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導體材料全產業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應用，形成了較為完整的產業(yè)鏈體系，正在大力進行垂直整合，全面推進從產業(yè)源頭到末端的全鏈貫通?！　≈饕獞谩　高效服務器電源 w新能源汽車 w充電樁充電模組　　w光伏逆變器 w工業(yè)電機 w智能電網 w航空航天　　SiC MOSFET系列　　產品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿足多
關鍵字：新能源汽車 MOSFET

碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
關鍵字：碳化硅(SiC)MOSFET 短路熱模型

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅動器，可最大程度提高效率及安全性

　　深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅動器、電焊機和電源。　　SIC1182K可在125°C結溫下提供8
關鍵字： Power Integrations SiC-MOSFET

貿澤開售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結MOSFET

　　專注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列超結晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅動器、電信和服務器電源以及太陽能微型逆變器等設備的功率密度?！　≠Q澤電子供應的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
關鍵字：貿澤 STMicroelectronics MOSFET

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅動器，提高逆變器級工作效率

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動器---VOD3120A，擴展其光電產品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率。　　日前發(fā)布的光耦采用CMOS技術，含有集成電路與軌到軌輸出級光學耦合的AIGaAs LED，為門控設備提供所需驅動電壓。VOD3120電壓和電流使
關鍵字： Vishay MOSFET

Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內最佳水平

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉換應用中的關鍵指標 (FOM)?！　ishay
關鍵字： Vishay MOSFET

穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性

　　Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。這些機電系統(tǒng)
關鍵字：意法半導體 MOSFET

Vishay業(yè)界領先車規(guī)產品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相

　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規(guī)產品。Vishay展位設在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車規(guī)產品，包括符合并優(yōu)于AECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產品。　　Vishay亞
關鍵字： Vishay 轉換器 MOSFET

意法半導體高效超結MOSFET瞄準節(jié)能型功率轉換拓撲

　　意法半導體推出MDmesh?系列600V超結晶體管，該產品針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計。　　針對軟開關技術優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實現(xiàn)高開關頻率，這兩個優(yōu)點讓MDmesh M6器件在硬開關拓撲結構中也有良好的能效表現(xiàn)?！　〈送?，意法半導體最先進的M6超結技術將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅
關鍵字：意法半導體 MOSFET

高功率單片式 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間

　　隨著汽車中電子系統(tǒng)數(shù)量的成倍增加，車內產生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此，新式車輛中的電子產品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴格的限制。由于其本身的性質，開關電源充斥著 EMI，并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求，同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
關鍵字： MOSFET，LT8650S

Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質量消費電子產品的電源設計?！　?00V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
關鍵字： Power Integrations MOSFET

Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質量消費電子產品的電源設計?！　?00V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
關鍵字： Power Integrations MOSFET

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品的重要補充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本?！　√蓟鐼OSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
關鍵字： Littelfuse MOSFET

宜特FSM化學鍍服務本月上線，無縫接軌BGBM晶圓減薄工藝

　　隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應求，為填補供應鏈中此一環(huán)節(jié)的不足，在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數(shù)家客戶穩(wěn)定投片進行量產，在線生產良率連續(xù)兩月高于99.5%?！　⊥瑫r為了協(xié)助客戶一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
關鍵字：宜特 MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]