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MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時電流分配不均問題探究

1 引言
MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題，關(guān)于此問題，
關(guān)鍵字： MOSFET 并聯(lián) 電流分配

應(yīng)用角：汽車 - 電動汽車電池斷開系統(tǒng)

　　在電動和混合動力汽車中，需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分?jǐn)嚅_連接。專門設(shè)計的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設(shè)計必須支持在負(fù)載下斷開連接，而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點(diǎn)的繼電器來實現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體，包圍觸點(diǎn)以消除空氣。通常，在高壓電池系統(tǒng)中，需要三個接觸器：一個用于兩個主要電池導(dǎo)體，另一個更小的版本用于預(yù)充電功能。傳統(tǒng)的電池斷開電路圖如圖1所示?！　‰妱悠囍圃焐涕L期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池斷開問題。功率半導(dǎo)
關(guān)鍵字： MOSFET，混合動力

開關(guān)電源設(shè)計：何時使用BJT而非MOSFET？

MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 BJT MOSFET

教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表

在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù) 電感器連續(xù)電流

大功率電源MOSMOSFET問題的分析

本文主要介紹三極管原理最通俗的表達(dá)理解，希望對您的學(xué)習(xí)有所幫助。對三極管放大作用的理解，切記一點(diǎn)：能量不會無緣無故的產(chǎn)生，所以，三極管一定不
關(guān)鍵字： MOSFET 電源

大功率電源MOS工作溫度確定之計算功率耗散

在電子電路設(shè)計中，散熱設(shè)計是非常重要的一項指標(biāo)。但在很多設(shè)計環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤
關(guān)鍵字：大功率電 MOSFET 功率耗散

功率MOSFET在集成驅(qū)動電路中的設(shè)計應(yīng)用簡析

功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動電路中得到了廣泛的應(yīng)用，此前我們曾經(jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動電路中的常見應(yīng)用方式，在今天的文章中
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動電路電源

干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅(qū)動電路設(shè)計分享

功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅(qū)動電路的設(shè)計不僅省時省力，還具有
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動電路設(shè)計

同步整流降壓式DC-DC變換器應(yīng)怎樣選擇MOSFET?

功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設(shè)計中都得到了廣泛的應(yīng)用，而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說，怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán)，需要研
關(guān)鍵字： MOSFET 同步整流 DC-DC

6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動入門

由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動進(jìn)行輔助
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動

MOSFET開關(guān)損耗分析

摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間
關(guān)鍵字： MOSFET 帶電插拔緩啟動開關(guān)損耗

基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

1.MOSFET柵極驅(qū)動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies，S
關(guān)鍵字： MOSFET 筆記本電源降壓變換器

大國器重功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會

在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變，實現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 MOSFET

功率MOSFET關(guān)斷損耗計算攻略

本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計算方式，供大家參考。
關(guān)鍵字： MOSFET 關(guān)斷損耗

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分―UIS/雪崩額定值

在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模
關(guān)鍵字： MOSFET 雪崩

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]