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2021基本創(chuàng)新日盛大開啟碳化硅系列新品重磅發(fā)布

新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標推動下，第三代半導體產業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經濟的中流砥柱，引領新一輪產業(yè)革命。“創(chuàng)新為基，創(chuàng)芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕。基本半導體總經理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導體產品布局進一步完善，產品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產業(yè)進一步發(fā)展，受到了現(xiàn)場來自汽車、工業(yè)、消費等領域以及第三代半導體產業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內人士的高度關注。汽車級全碳化硅功
關鍵字：第三代半導體碳化硅 MOSFET

東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅動IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設備，現(xiàn)在可直接通過該光耦驅動其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實現(xiàn)設計小型
關鍵字： MOSFET

非常見問題第191期：負載點DC-DC轉換器解決電壓精度、效率和延遲問題

問題：為什么使用DC-DC轉換器應盡可能靠近負載的負載點(POL)電源？答案：效率和精度是兩大優(yōu)勢，但實現(xiàn)POL轉換需要特別注意穩(wěn)壓器設計。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動態(tài)響應的最佳方法之一。負載點轉換器是一種電源DC-DC轉換器，放置在盡可能靠近負載的位置，以接近電源。因POL轉換器受益的應用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對功率級的要求都越來越高。例如，在汽車應用中，高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)——例如雷達、激光雷達和視覺系統(tǒng)——中使用的傳感器數(shù)量在穩(wěn)步倍增，導致需要更快的數(shù)
關鍵字： MOSFET

多通道電流傳感器自動測試系統(tǒng)

多通道電流傳感器自動測試系統(tǒng)可以根據(jù)測試需求，實現(xiàn)電流傳感器的比例誤差、上升時間、零點偏置、零點漂移、線性度等參數(shù)的自動測試。其中精密恒流源輸出可至200 A，準確度優(yōu)于0.01%，多臺并聯(lián)可達到2 kA。覆蓋了大多數(shù)中低準確度的測試需求，同時可配合準確度高達10-6的標準電流傳感器解決更高準確度的測試需求。
關鍵字：電流傳感器自動測試精密恒流源比例誤差 202111 MOSFET

Diodes Incorporated 目標電動汽車產品應用推出高電流 TOLL MOSFETs

Diodes 公司為金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 近日推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作，另外，80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產品成為高可靠性電力產品應用的最佳選擇，像是能量熱回
關鍵字： MOSFET

意法半導體端口保護IC為STM32 USB-C雙角色輸電量身定制

意法半導體TCPP03-M20 USB Type-C端口保護 IC為雙角色輸電(DRP)應用量身定制，針對能給相連設備充電又能接受其他 USB-C電源的雙向充放電產品，可以簡化其設計。作為有ST UCPD (USB Type-C 和Power Delivery)接口IP模塊的 STM32G0*、STM32G4、STM32L5 和 STM32U5 微控制器的配套芯片，TCPP03-M20讓設計者以經濟劃算的方式進行USB Type-C 接口硬件分區(qū)，實現(xiàn)以 STM32 為主微控制器的雙芯片解決方案，從而節(jié)省
關鍵字： MOSFET STM32

SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產業(yè)

功率器件作為半導體產業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產品經過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關注。如今，在生產工藝不斷優(yōu)化、成本持續(xù)降低的情況下，老牌大廠與初創(chuàng)企業(yè)紛紛加碼第三代半導體，SiC和GaN功率器件開始投入批量應用，并迎來了關鍵的產能爬坡階段。作為半
關鍵字： MOSFET

提高遲滯，實現(xiàn)平穩(wěn)的欠壓和過壓閉鎖

電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平，且低壓電路不會出現(xiàn)過載或損壞。在功率路徑控制電路中，電阻分壓器有助于設置電源欠壓和過壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗證電路常見于汽車系統(tǒng)、便攜式電池供電儀器儀表以及數(shù)據(jù)處理和通信板中。欠壓閉鎖(UVLO)可防止下游電子系統(tǒng)在異常低的電源電壓下工作，避免導致系統(tǒng)故障。例如，當電源電壓低于規(guī)格要求時，數(shù)字系統(tǒng)可能性能不穩(wěn)定，甚至死機。當電源為可充電電池時，欠壓閉鎖可防止電池因深度放電而受損。過壓閉鎖(OVLO)可保護系統(tǒng)免受破壞性地高電源電壓的影響。由于欠壓和過壓閾
關鍵字： MOSFET

基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉換器演示板，讓設計師實現(xiàn)用于輕度混合動力汽車的更高效、更小、更快的雙向轉換器

EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉換器，可提供2 kW的功率和實現(xiàn)96.5%的效率，是適用于輕度混合動力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9163，這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉換器演示板，可在非常小的占板面積上實現(xiàn) 96.5%的效率。該演示板的設計具有可擴展性 - 并聯(lián)兩個轉換器可以實現(xiàn)4 kW的功率，或者并聯(lián)三個轉換器以實現(xiàn)6 kW。該板采用8個100 V 的eGaN?FET（EPC2218），并由模塊控制，該模塊采用Mic
關鍵字： MOSFET

添加靈活的限流功能

問題：我可以根據(jù)負載輕松而精確地進行限流嗎？答案：可以使用限流IC進行限流。在一些電源管理應用中，需要精確地限制電流。無論是要保護電源（例如，中間電路電壓需要過載保護以便能夠可靠地為其他系統(tǒng)部件提供電能），還是在故障情況下保護可能由于過流而造成損壞的負載，都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負載點穩(wěn)壓器來滿足此要求時，我們發(fā)現(xiàn)市面上具有可調限流功能的電壓轉換器很少見?？烧{限流功能在采用外部電源開關的控制器設計中更加常見，而所有的集成解決方案很少提供此類功能。而且，可調限流功能的精度通常不是很高。以
關鍵字： MOSFET

使用無損耗過零點檢測功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應用中的AC輸入開關效率和可靠性

在越來越多的應用中，對導通和關斷AC輸入電源的器件的性能進行優(yōu)化是一個重要考慮因素，這些應用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯(lián)網(IoT)的家電、智能開關和插頭、調光器和人體感應傳感器，特別適用于采用繼電器或可控硅進行功率控制的設計。當AC電源異步導通或關斷而不考慮其所處的電壓時，效率和可靠性會受到不利影響，必須添加電路以保護開關免受高瞬態(tài)電流的影響。當AC電源異步導通時，浪涌電流可能超過100A。反復暴露于高浪涌電流會對繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產生負面影響。電觸點的預期壽命因浪涌電流需求
關鍵字： MOSFET

在單個封裝中提供完整的有源功率因數(shù)校正解決方案

源設計者如今面臨兩個主要問題：消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數(shù)盡可能地接近于1。有害的諧波電流會導致傳輸設備過熱，并帶來后續(xù)必須解決的干擾難題；這兩者也會對電路的尺寸和/或效率產生不利影響。如果施加在線路上的負載不是純電阻性的，輸入電壓和電流波形之間將產生相移，從而增加視在功率并降低傳輸效率。如果非線性負載使輸入電流波形失真，則會引起電流諧波，從而進一步降低傳輸效率并將干擾引入市電電網。如果要解決這些問題，需要了解功率變換的基本原理。電源當中通常將來自墻上插座的交流電壓連接至整流電路，整流管將交流電壓
關鍵字： MOSFET

利用氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源

目前市面上出現(xiàn)了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側開關的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations，包含內部集成PowiGaN?開關的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產品系列。這些新IC可用于設計效率高達95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。這種InnoSwitch
關鍵字： MOSFET

如何選擇合適的電路保護

問題：有什么有源電路保護方案可以取代TVS二極管和保險絲？答案：可以試試浪涌抑制器。摘要所有行業(yè)的制造商都在不斷推動提升高端性能，同時試圖在此類創(chuàng)新與成熟可靠的解決方案之間達成平衡。設計人員面臨著平衡設計復雜性、可靠性和成本這一困難任務。以一個電子保護子系統(tǒng)為例，受其特性限制，無法進行創(chuàng)新。這些系統(tǒng)保護敏感且成本高昂的下游電子器件（FPGA、ASIC和微處理器），這些器件都要求保證零故障。許多傳統(tǒng)的可靠保護解決方案（例如二極管、保險絲和TVS器件）能夠保持待保護狀態(tài)，但它們通常低效、體積龐大且需要維護。為
關鍵字： MOSFET

碳化硅在新能源汽車中的應用現(xiàn)狀與導入路徑

碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發(fā)展趨勢，引領和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產業(yè)成長期過渡的關鍵階段，汽車產銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動了碳化硅產業(yè)發(fā)展與技術創(chuàng)新，為碳化硅產品的技術驗證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
關鍵字：碳化硅新能源汽車功率半導體 202110 MOSFET SiC

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　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]