新聞中心

EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 恩智浦與日立能源合作開(kāi)發(fā)電源模塊,加快碳化硅在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用

恩智浦與日立能源合作開(kāi)發(fā)電源模塊,加快碳化硅在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用

—— 在此次合作中,恩智浦GD3160隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器與日立能源RoadPak SiC電源模塊相結(jié)合,將高效、可靠且功能安全的電子動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)更快地推向市場(chǎng)
作者: 時(shí)間:2022-03-31 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏


本文引用地址:http://2s4d.com/article/202203/432648.htm

1648707295122398.jpg

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布與日立能源合作,加快碳化硅(SiC)電源半導(dǎo)體模塊在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用。此次合作項(xiàng)目為動(dòng)力逆變器提供基于SiC 的解決方案,更高效可靠且功能安全,該解決方案由恩智浦先進(jìn)的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅(qū)動(dòng)器和日立能源RoadPak汽車(chē)SiC 功率模塊組成。

產(chǎn)品重要性

電動(dòng)汽車(chē)廠商采用SiC 動(dòng)力器件,可比采用傳統(tǒng)硅IGBT獲得更高的續(xù)航里程,提高系統(tǒng)整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率半導(dǎo)體模塊和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度及更低的導(dǎo)通電阻和熱損耗,還可縮小電動(dòng)汽車(chē)(xEV)動(dòng)力驅(qū)動(dòng)逆變器的尺寸,降低其成本,并減少電池組所需的容量,延長(zhǎng)車(chē)輛的續(xù)航里程。

更多詳情

日立能源的高性能汽車(chē)功率半導(dǎo)體模塊RoadPak提供出色的散熱和低雜散電感,經(jīng)久耐用,適應(yīng)惡劣的汽車(chē)應(yīng)用環(huán)境,這些因素在充分發(fā)揮SiC MOSFET全部功能和優(yōu)勢(shì)中不可或缺。為獲得出色性能,該電源模塊與恩智浦GD3160高電壓隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器相結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)快速、可靠的開(kāi)關(guān)與故障保護(hù)。

恩智浦副總裁兼驅(qū)動(dòng)器和能源系統(tǒng)產(chǎn)品線(xiàn)總經(jīng)理Robert Li說(shuō):“通過(guò)與日立能源合作,我們能夠突出SiC MOSFET在電動(dòng)交通領(lǐng)域的效率和續(xù)航里程優(yōu)勢(shì)。我們的解決方案結(jié)合了恩智浦GD3160與日立能源RoadPak SiC模塊,能縮短SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電機(jī)逆變器從評(píng)估到性能優(yōu)化的過(guò)渡時(shí)間?!?/p>

日立能源利用其在工業(yè)和運(yùn)輸領(lǐng)域的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn),開(kāi)發(fā)適合電動(dòng)交通應(yīng)用的高密度RoadPak汽車(chē)SiC功率模塊。RoadPak半橋功率模塊在小巧的外形尺寸中集成了1200V SiC MOSFET、一體化冷卻針翅式散熱片和低電感連接。該模塊支持電動(dòng)公交車(chē)、電動(dòng)乘用車(chē)、高性能電動(dòng)方程式賽車(chē)等廣泛應(yīng)用。

日立能源半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總經(jīng)理Rainer Kaesmaier表示:“我們很高興與恩智浦半導(dǎo)體合作,以更快的低損耗開(kāi)關(guān)提高電動(dòng)交通的性能。我們的聯(lián)合解決方案基于恩智浦的柵極單元和日立能源的SiC RoadPak,以我們行業(yè)領(lǐng)先的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新技術(shù)為構(gòu)建基礎(chǔ),幫助延長(zhǎng)電動(dòng)汽車(chē)的行駛里程,減少全球碳排放,在世界各地推動(dòng)可持續(xù)交通?!?/p>

供貨情況

●   FRDMGD31RPEVM,為RoadPak SiC模塊定制的GD3160半橋EVB現(xiàn)已上市。

●   日立能源的1200V RoadPak半橋SiC模塊現(xiàn)已上市,可選580A、780A或980A容量。

關(guān)于恩智浦GD3160

●   先進(jìn)的單通道高壓隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有增強(qiáng)的功能,可用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)1700 V的碳化硅(SiC)MOSFET器件

●    ±15 A的柵極電流驅(qū)動(dòng)能力

●   快速DeSat模塊能夠在1 μs內(nèi)檢測(cè)SiC MOSFET中的短路(SC)事件,并做出反應(yīng)

●    實(shí)施分段驅(qū)動(dòng),與其他傳統(tǒng)方法相比,能以更低的BOM成本提供更高的效率和更好的VDS過(guò)沖保護(hù)

●   SPI可編程驅(qū)動(dòng)、保護(hù)和故障報(bào)告功能,如2LTO、軟關(guān)斷(SSD)、DeSat閾值和OTW

●    提供額外保護(hù),如集成功率器件溫度感測(cè)和功能安全特性,比如模擬BIST、通信看門(mén)狗、帶有CRC的SPI,從而促進(jìn)驅(qū)動(dòng)逆變器系統(tǒng)的實(shí)施,滿(mǎn)足ASIL-C或ASIL-D功能安全的要求。



關(guān)鍵詞: MOSFET

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區(qū)

關(guān)閉