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lpddr5x dram 文章 最新資訊

2010年半導體產(chǎn)業(yè)資本支出預計猛增51% 大型芯片廠商領跑

  • 　　市場研究公司IC Insights預計，今年半導體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預計增長67%，而產(chǎn)業(yè)整體支出增長額預計為51%。 　　“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而，盡管許多公司計劃在今年將產(chǎn)能翻倍，但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應短缺的局面發(fā)生，尤其是下半年。 　　大
  • 關鍵字： Samsung  DRAM  芯片  半導體  

Gartner：今年全球半導體銷售額將增長20%

  • 　　市場研究公司Gartner預計，2010年全球半導體營收將增長20%，達到2760億美元。 　　2009年，全球半導體營收下滑了10%。但Gartner周三指出，今年全球半導體銷售額有望達到2760億美元，與去年的2310億美元相比將增長19.5%。 　　Gartner表示，處理器和內存是推動2010年半導體營收增長的主要動力。其中，DRAM芯片漲幅將達到55%。 　　Gartner預計，至少在2014年之前，半導體市場將持續(xù)增長。到2012年，全球半導體市場規(guī)模將達到3040億美元。
  • 關鍵字： 半導體  處理器  DRAM  內存  

iSuppli預計今年全球DRAM內存芯片市場將增40%

  • 　　2月24日消息，市場研究公司iSuppli預計，今年全球DRAM內存芯片市場增幅將超過40%，也是3年來的首次增長。 　　據(jù)國外媒體報道稱，iSuppli表示，今年全球DRAM內存芯片銷售額將增長至319億美元，2009年、2008年和2007年DRAM內存芯片銷售額分別下滑了3.7%、25.1%和7.5%。 　　iSuppli分析師邁克·霍華德當?shù)貢r間上周四說，“今年DRAM內存市場將繼續(xù)去年第四季度的增長趨勢，增長40%。” 　　推動去年第四季度DRAM
  • 關鍵字： DRAM  內存芯片  

英飛凌向爾必達提出專利侵權訴訟

  • 　　英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美國國際貿易委員會(ITC)遞交起訴書，稱爾必達(Elpida Memory Inc.)制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導體制程和元件制造方面四項重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿易。 　　英飛凌公司管理委員會成員兼銷售、營銷、技術與研發(fā)負責人Hermann Eul博士指出：“英飛凌在業(yè)界一直處于先進半導體制程的領先地位。我們將盡力保護我們通過持續(xù)研發(fā)所獲得的知識產(chǎn)權。&rdqu
  • 關鍵字： 英飛凌  DRAM  

iSuppli：2010年DRAM內存市場將增長40%

  • 　　據(jù)市場研究公司iSuppli稱，經(jīng)過連續(xù)三年的下降之后，DRAM內存市場2010年的銷售收入將達到319億美元，增長40%。 　　iSuppli負責DRAM內存業(yè)務的高級分析師Mike Howard在聲明中說，2010年將在2009年第四季度增長的基礎上繼續(xù)增長。2009年第四季度整個DRAM內存行業(yè)的銷售收入環(huán)比增長了40%。 Howard指出出貨量的增長和平均銷售價格的提高是這種增長的主要原因。 　　2009年第四季度是DRAM內存行業(yè)在最近的記憶中表現(xiàn)最好的一個季度。據(jù)iSuppli稱，20
  • 關鍵字： Elpida  DRAM  內存  

海力士：DRAM恐供給過剩

  • 　　DRAM廠普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM廠海力士(Hynix)卻發(fā)出警語，認為今年DRAM恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 　　全球DRAM龍頭三星上周才公開表示，看好整體內存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警語，看法與三星大為迥異。 　　外電報導，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪時透露，由于各大芯片廠都大舉擴大資本支出，擔心DRAM會供給過剩;不過，他認為儲存型閃存(NAND Flash)需求仍會不錯。
  • 關鍵字： Hynix  DRAM  

美光、南亞科攜手42納米　加入DRAM新技術戰(zhàn)局

  • 　　美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰(zhàn)，今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產(chǎn)品正式問世，同時也全面導入銅制程技術，與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(Elpida)45納米相比，美光陣營的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產(chǎn)出數(shù)量最多，預計在2010年第2季試產(chǎn)，而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導入42納米制程，與爾必達旗下力晶和瑞晶導入45納米的時間點相仿。 　　2010 年DRAM市場50
  • 關鍵字： Micron  40納米  DRAM  

海力士反行業(yè)主流看法：今年DRAM芯片恐將過剩

  • 　　2月9日消息，據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，在DRAM芯片行業(yè)多數(shù)企業(yè)普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發(fā)出警告，認為今年DRAM芯片恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 　　全球DRAM芯片龍頭三星上周才公開表示，看好整體內存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警告，看法與三星大為迥異。海力士發(fā)警告，將牽動南科、華亞科、力晶以及創(chuàng)見、威剛等臺灣內存企業(yè)發(fā)展計劃。 　　外電報道，海力士執(zhí)行長金鐘甲在接受媒體採訪時透露，由于各大晶片廠都大舉擴大資本支出，擔心DRAM芯片會供給過剩
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  

應用材料兩名高管因竊取三星技術機密被捕

  • 　　據(jù)報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導體設備供應商應用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術等機密并出售給了競爭對手海力士。 　　美國證券交易委員會的報告顯示，Applied已經(jīng)確認此事，并透露說其中一人是前應用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應用材料副總裁，另一名則是應用材料韓國子工廠的高管。 　　應用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
  • 關鍵字： 應用材料  DRAM  NAND  

DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3

  • 　　報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。 　　Simon Chen認為，DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元，那么它需求將會出現(xiàn)大幅度增長。 　　Simon Chen還表示，上游芯片供應商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過這種升級或許會因為其它設備的供應短缺而延緩。 　　根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測，1Gb DDR2
  • 關鍵字： DRAM  DDR3  DDR2  

美國09年專利前25名出爐 三星電子緊隨IBM

  • 　　湯森路透知識產(chǎn)權解決方案事業(yè)部今日發(fā)布了《2009年頂級專利權人》(2009 Top Patentees) 的分析結果，對過去一年在美國獲得專利最多的前25家公司進行排名。這項研究發(fā)現(xiàn)，在這25家頂級公司中，無一家中國大陸企業(yè)上榜。老牌科技廠商美國IBM公司以4843項專利位列第一， 韓國三星電子和美國微軟公司分別位列第二和第三，這份25大專利權名單還包括11家日本公司，中國臺灣、芬蘭和德國各一家公司。 　　2009年美國專利權人 TOP25 　　亞洲公司目前已經(jīng)占據(jù)了專利權名單的56%，而日
  • 關鍵字： 三星電子  芯片  LCD  DRAM  

三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內存芯片

  • 　　三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內存芯片已經(jīng)通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。 　　三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內存(Gree
  • 關鍵字： 三星電子  DRAM  30nm  DDR3   

三星的“致命傷”——過渡依賴芯片產(chǎn)品

  • 　　導讀：《朝鮮日報》今日撰文稱，三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列，但公司銷售業(yè)績在很大程度上依賴于芯片產(chǎn)品，而芯片的營業(yè)利潤容易根據(jù)市場環(huán)境起伏不定，這也被認為是三星的“致命弱點”。如果現(xiàn)在放松警惕，今后可能會面臨更大的危機。 　　以下為全文： 　　三星電子在韓國企業(yè)史上第一個實現(xiàn)“銷售額100萬億韓元、營業(yè)利潤10萬億韓元”的業(yè)績，成為世界最大的電子企業(yè)。但英國《金融時報》29日報道稱：“從長遠來看，三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
  • 關鍵字： 三星電子  芯片  LCD  DRAM  

40納米成DRAM廠流行口號

  • 　　近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(Elpida)說起。因為爾必達2009年沒錢轉進50納米技術制程后，最后決定跳過50納米，直接轉進45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導入，讓整個DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米都還沒看到影子時，又冒出一堆40納米的話題，但40納米能為DRAM產(chǎn)業(yè)貢獻多少? 真的有待商榷，只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后，有機會大量生產(chǎn)，其它陣營的40納米技術，都是口頭說說成分居多。
  • 關鍵字： DRAM  40納米  

LSI 針對企業(yè)網(wǎng)絡和存儲應用擴展定制 IP 產(chǎn)品系列

  • 　　LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內核和高速嵌入式 DRAM 內存模塊，進一步豐富了其業(yè)界領先的定制芯片 IP 產(chǎn)品系列。該新型處理器內核和內存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級交換機、路由器、RAID 存儲器、服務器以及基站等高性能應用中的高級網(wǎng)絡和存儲SoC 的開發(fā)。 　　定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對計算密集型應用開發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成，能
  • 關鍵字： LSI  DRAM  內存模塊  PowerPC476   
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