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MOSFET柵漏電流噪聲分析

  • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢，導致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄，柵漏電流越 ...
  • 關鍵字： MOSFET  柵漏電流  噪聲分析  

瑞薩電子推出工業(yè)用首個微控制器

  • 高級半導體解決方案的領軍廠商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)，于日前發(fā)布了最新的用于個人計算機CPU、服務器和儲存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測電路的智能脈寬調制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
  • 關鍵字： 瑞薩  MCU  MOSFET  

安森美推出采用極緊湊、低厚度封裝的最小MOSFET

  • 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充公司寬廣的接口及電源管理產品陣容，推出一對優(yōu)化的超小超薄小信號MOSFET，用于空間受限的便攜消費電子產品，如平板電腦、智能手機、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機。
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  

Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導通電阻擴展到39m?～600m?，將最高電流等級擴展至7A～73A。
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

Intersil擴展業(yè)內領先的“HIP”橋式驅動器產品系列

  • 全球高性能模擬混合信號半導體設計和制造領導廠商Intersil公司(納斯達克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，推出面向電源和電機驅動應用的業(yè)內領先“HIP”系列MOSFET橋式驅動器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅動器產品家族提供最短的上升/下降時間，可調節(jié)死區(qū)時間控制和靈活的控制輸出。
  • 關鍵字： Intersil  MOSFET  驅動器  

功率MOSFET管驅動變壓器設計

  • 摘要： 對具有驅動變壓器的功率MOSFET管驅動電路的動態(tài)過程進行了分析，推導了驅動變壓器設計參數(shù)（繞組電流有效值，變壓器功率）的計算方法，定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對開通過程的影響，并通過仿真和試
  • 關鍵字： MOSFET  驅動  變壓器設計    

Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

Intersil推出業(yè)內最堅固ORing控制器

  • 全球高性能模擬混合信號半導體設計和制造領導廠商Intersil公司(納斯達克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護的堅固、緊湊型ORing FET控制器。
  • 關鍵字： Intersil  MOSFET  ISL6146  

同步降壓MOSFET電阻比的選擇

  • 在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組
  • 關鍵字： MOSFET  同步降壓  電阻比    

恩智浦提供汽車認證雙通道Power-SO8 MOSFET

  • 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼：NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應用而設計。恩智浦LFPAK56D系列產品完全符合AEC-Q101標準，具有一流的性能和可靠性;同時，與通常需要使用兩個器件的DPAK解決方案相比，節(jié)省了77%的占位面積。
  • 關鍵字： 恩智浦  LFPAK56D  MOSFET  

意法半導體發(fā)布先進功率MOSFET系列產品

  • 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術型企業(yè)滿足日益嚴格的生態(tài)設計標準對功率和能效的要求，瞄準太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應用。
  • 關鍵字： 意法  晶體管  MOSFET  LED  

挑戰(zhàn)毫微安小電流測量技術

  • 幾千種應用都需要測試小電流的電路，最常見的是測量二極管受光照射所產生的光電電流。一些科學應用（如CT...
  • 關鍵字： 毫微安電流  電流測量  JFET  CMOS  

如何為具體應用選擇恰當?shù)腗OSFET

  • 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應用的不同規(guī)格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務器電源中的負載開關這類應用，由于MOSFET基本上
  • 關鍵字： MOSFET    

估算熱插拔MOSFET溫升的簡易方法

  • 本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通
  • 關鍵字： MOSFET  熱插拔  方法    

功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

  • 本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計?！　?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
  • 關鍵字： MOSFET  數(shù)據(jù)表  分析    
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