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jfet-mosfet 文章 最新資訊

瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

  • 瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管(超級(jí)結(jié)MOSFET)，具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

  • 我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
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確定JFET特性的簡(jiǎn)單電路

  • 當(dāng)使用分立的JFET時(shí)，設(shè)計(jì)者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個(gè)給定的晶體管型號(hào)相適應(yīng)。一般會(huì)使用平方律方程，作為JFET漏極電流特性的一個(gè)近似模型：ID=beta;(VGS-VP)2，其中，ID是漏極電流，VGS是柵源電壓，be
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Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  SiA436DJ  

JFET級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)恒定精確電流源的方法

  • 很多工藝控制傳感器（如熱敏電阻器和應(yīng)變橋）都需要精確的偏置電流。增加一只電流設(shè)置電阻器R1后，電壓基準(zhǔn)電路IC ...
  • 關(guān)鍵字： JFET  恒定  精確電流源  

高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應(yīng)用

  • 前言近年來(lái)，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴(yán)重的地球暖化現(xiàn)象，促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視，更造...
  • 關(guān)鍵字： 高效能  Power  MOSFET  

MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用

  • 鋰離子電池的先進(jìn)技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動(dòng)工具、電...
  • 關(guān)鍵字： MHP技術(shù)  鋰電池  電路保護(hù)  MOSFET  

理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

  • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  開(kāi)關(guān)損耗  主導(dǎo)參數(shù)  

羅姆開(kāi)發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出了功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  MOSFET  DC/DC  

恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET

  • 恩智浦半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼：NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤(pán)的超薄DFN (分立式扁平無(wú)引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤(pán)提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無(wú)引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

  • 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國(guó)際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這個(gè)革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開(kāi)發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)。
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IR推出車(chē)用功率MOSFET

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用堅(jiān)固耐用TO-220 fullpak封裝的車(chē)用功率MOSFET系列，適合包括無(wú)刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類(lèi)汽車(chē)應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案

  • 工程師在為汽車(chē)電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
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開(kāi)關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析

  • 開(kāi)關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用已越來(lái)越普及。MOSFET由于開(kāi)關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開(kāi)關(guān)電源最常用的功率開(kāi)關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開(kāi)關(guān)電源工作的可靠性及性能
  • 關(guān)鍵字： 介紹  分析  電路  驅(qū)動(dòng)  MOSFET  開(kāi)關(guān)電源  

MOSFET雙芯片功率封裝簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

  • 目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來(lái)越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過(guò)在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
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