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英飛凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA

  • 英飛凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個(gè)配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其適用于混合動(dòng)力汽車和純電動(dòng)汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強(qiáng)度放電)照明等諧振拓?fù)洹?/li>
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電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

  • DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種
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Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能

  • 引言對(duì)于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn)，因?yàn)樾⌒透咝У碾娫聪到y(tǒng)意味著...
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飛兆與英飛凌簽署汽車級(jí)封裝工藝許可協(xié)議

  • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級(jí)MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
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可編程大電流熱插拔控制

  • 電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板，不會(huì)中斷原電路板正在進(jìn)行的工作狀態(tài)，并且同時(shí)啟動(dòng)添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當(dāng)電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時(shí)，保護(hù)MOSFET器件。
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MOSFET門極驅(qū)動(dòng)電壓的優(yōu)化

  • 在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對(duì)同步整流器而言十分關(guān)鍵,因?yàn)槎鄶?shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電...
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電源測(cè)試之-MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

  • MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評(píng)估指標(biāo)，MOSFET的軟硬程度對(duì)于開關(guān)電源的性能、...
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2016年LED照明領(lǐng)域大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將達(dá)30億美元

  • 　　據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMS Research的最新報(bào)告顯示，2016年，LED照明應(yīng)用領(lǐng)域的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將超過30億美元。 　　報(bào)告認(rèn)為，隨著更高效照明需求的增長(zhǎng)以及淘汰白熾燈的法令的頒布，LED照明市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，這將催生一個(gè)巨大的大功率LED潛在市場(chǎng)，到2016年，大功率LED出貨量將達(dá)190億個(gè)，總值超過30億美元。 　　LED照明是大功率LED市場(chǎng)發(fā)展的最大機(jī)遇，到2016年將可帶動(dòng)20億美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。市面上具有各種不同的電子設(shè)計(jì)、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來越廣，這也給大
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集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(四)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個(gè)PIN腳功能(上接第1
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IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)

Alpha MOS在PFC應(yīng)用中的注意事項(xiàng)與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

  • Super-junction類型的高壓功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，因此在通信電源，服務(wù)器電源，電源適配器以及臺(tái)式電腦電...
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[組圖]800瓦M(jìn)OSFET功放

  • 800瓦M(jìn)OSFET功放功放適合大功率的AV場(chǎng)合，看看參數(shù)吧：頻響寬度：10HZ--100KHZ失真度（8歐姆100W輸出時(shí)）：0 ...
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Diodes MOSFET使電源供應(yīng)器超越“能源之星”效率目標(biāo)

  • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設(shè)計(jì)師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動(dòng)二極管。同時(shí)，ZXGD3105N8還能使機(jī)頂盒取得少于100mW的待機(jī)功耗，以及逾87%的滿載效率。
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功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

  • 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機(jī)制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上，研究了無緩沖層MOSFET準(zhǔn)靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負(fù)
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智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性同時(shí)提升性能

  • 智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性同時(shí)提升性能,所有的醫(yī)療應(yīng)用在要求高可靠性的同時(shí)仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進(jìn)步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競(jìng)爭(zhēng)激烈，他們的最終應(yīng)用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個(gè)可能的失效點(diǎn)的影響。在所有這些點(diǎn)都需要電源，并且
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