首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> jfet-mosfet

jfet-mosfet 文章 最新資訊

簡述功率MOSFET電流額定值和熱設計

  • 電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。1、什么是電流額定值？?電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。這就帶來了兩種后果：?? 每個電流
  • 關鍵字： MOSFET  

小而薄的MOSFET柵極驅動IC更適合小型化應用

  • 電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉換都需要負載開關，它可以減小待機模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實現(xiàn)斷電控制。負載開關的作用是開啟和關閉電源軌，大部分負載開關包含四個引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當通過ON引腳使能器件時，導通FET接通，從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳，將電能傳遞到下游電路。東芝面向20V電源線路推出的MOSFET柵極驅動IC（集成電路）TCK421G就是一款負載開關，它是TCK42xG系列中的首款產品。該系列器件專門用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓（基于輸
  • 關鍵字： TOSHIBA  MOSFET  

羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。在全球實現(xiàn)無碳社會的努力中，汽車的電動化進程加速，在這種背景下，開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)已經成為必經之路。尤其是在EV領域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業(yè)內對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
  • 關鍵字： 羅姆  SiC MOSFET  日立安斯泰莫  純電動汽車逆變器  

一文讀懂功率半導體

  • 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
  • 關鍵字： 功率半導體  MOSFET  IGBT  

國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線：可用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、充電樁等

  • IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領域。面向儲能逆變器市場，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關頻率，降低了開關損耗和導通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲
  • 關鍵字： 國星光電  碳化硅  NS62m  MOSFET  

OBC DC/DC SiC MOSFET驅動選型及供電設計要點

  • 新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場景高頻驅動和高壓化的技術發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動芯片方案。最后，本文根
  • 關鍵字： TI  MOSFET  OBC  

Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法

  • 相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現(xiàn)更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。超過 1000 V 電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但現(xiàn)在的SiC 器件性能卓越，能夠實現(xiàn)快速開關的單極組件，可替代雙極 IGBT。這些SiC器件可以在較高的電壓下實施先前僅僅在較低電壓 (<600 V) 下才可行的應用。與雙極 IGBT 相比，這些基于 SiC 的 MOSFET 可將功率損耗降低多達 80%。英飛凌進一步優(yōu)化了
  • 關鍵字： 儒卓力  MOSFET  

專為工業(yè)應用而設計的MOSFET—TOLT封裝

  • 近年來，工業(yè)應用對MOSFET 的需求越來越高。從機械解決方案和更苛刻的應用條件都要求半導體制造商開發(fā)出新的封裝方案和實施技術改進。從最初的通孔封裝（插件）到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD)，再到最新的無引腳封裝，以及內部硅技術的顯著改進，MOSFET 解決方案正在不斷發(fā)展，以更好地滿足工業(yè)市場新的要求。本文介紹了 TOLT 的封裝方案、熱性能和電路板的可靠性。關鍵特性，主要優(yōu)勢和應用目標應用市場英飛凌公司的 TOLT（JEDEC：HDSOP-16)，封裝OptiMOS? 5 功率
  • 關鍵字： Arrow  MOSFET  

ROHM開發(fā)出具有絕緣構造、小尺寸、超低功耗的MOSFET

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產品非常適用于可穿戴設備、無線耳機等可聽戴設備、智能手機等輕薄小型設備的開關應用。近年來，隨著小型設備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設備內部所需的電量也呈增長趨勢，電池尺寸的增加，導致元器件的安裝空間越來越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求，開發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
  • 關鍵字： ROHM  MOSFET  

SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

  • 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅動電壓，以及SiC器件驅動設計中的寄生導通問題。本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設計工程師在選擇功率開關器件時
  • 關鍵字： 富昌電子  MOSFET  

通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題

  • 高壓功率系統(tǒng)設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
  • 關鍵字： SiC MOSFET  功率轉換  

RS瑞森半導體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內市場空白

  • 現(xiàn)階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內該項系列產品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設計，研發(fā)出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進口品牌壟斷的局面 。一、破局進口品牌壟斷現(xiàn)階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內該項系列產品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設
  • 關鍵字： RS瑞森半導體  MOSFET  

單芯片驅動器+ MOSFET技術 改善電源系統(tǒng)設計

  • 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術及其在穩(wěn)壓器模塊（VRM）應用中的優(yōu)勢。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊（VRM）提供。在該領域，推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉換效率，高
  • 關鍵字： 單芯片  驅動器  MOSFET  DrMOS  電源系統(tǒng)設計  

安森美：聚焦SiC產能擴建，推出最新MOSFET產品

  • 近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績，其三季度業(yè)績直線上揚，總營收21.93億美元，同比增長25.86%；毛利10.58億美元，同比增長46.82%。財報數(shù)據(jù)顯示，其三大業(yè)務中，智能電源組營收為11.16億美元，同比增長25.1%；高級解決方案組營收7.34億美元，同比增長19.7%；智能感知組營收為3.42億美元，同比增長44.7%，三大業(yè)務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領域，從傳統(tǒng)的I
  • 關鍵字： 安森美  SiC  MOSFET  

Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內領先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數(shù)據(jù)中心服務器和通信設備。  多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應用經驗結合起來，增強器件中關鍵MOSFET的性能，滿足特定應用的要求，以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來，針對電池隔離(BMS)、直流
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  ASFET  SOA  
共1315條 13/88 |‹ « 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 » ›|

jfet-mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條jfet-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對jfet-mosfet的理解，并與今后在此搜索jfet-mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

JFET-MOSFET    樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473