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東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型S06L封裝的新款光伏輸出光耦（“光伏耦合器”）---“TLP3910”，適用于驅動高壓功率MOSFET的柵極，這類MOSFET用于實現(xiàn)隔離式固態(tài)繼電器（SSR）[1]功能。今日開始批量出貨。SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導體繼電器，它適用于對大電流執(zhí)行開／關控制的應用。光伏耦合器是一種內置光學器件但不具有用于執(zhí)行開關功能的MOSFET的光繼電器。在配置隔離式SSR設計時，通過將光伏耦合器與MOSFET結合使用，便
  • 關鍵字： MOSFET  SSR  

Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應用實現(xiàn)更高功率密度

  •  基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil M
  • 關鍵字： Nexperia  低RDS(on)  MOSFET  

電子工程師必備！40個模擬電路小常識

  • 隨著半導體技術和工藝的飛速發(fā)展，電子設備得到了廣泛應用，而作為一名電力工程師，模擬電路是一門很基礎的課，對于學生來說，獲得電子線路基本知識、基本理論和基本技能,能為深入學習電子技術打下基礎。1. 電接口設計中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因為帶損耗的傳輸線反射同頻率相關，這種情況下，盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。2. 穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內部結構特點，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。3. PN結具有
  • 關鍵字： 模電  三極管  MOSFET  

晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！

  • 本文來自公眾號：8號線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
  • 關鍵字： 晶體管  NPN  PNP  MOSFET  JFET  

IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

  • 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導體硅PTC熱敏電阻可以很好進行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點，采用模擬電路仿真的方法說明功率模
  • 關鍵字： IGBT  MOSFET  

集中供電電源的設計與實現(xiàn)*

  • 用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應具備不間斷供電的特性，能夠進行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓撲設計主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機，使用繼電器控制電路實現(xiàn)主備電無縫切換，使用電池充電電路對蓄電池進行智能充電管理，最后搭建實際電路進行驗證。驗證結果表明：設計的集中供電電源輸出性能指標較高，且能夠實現(xiàn)不間斷供電及電池充電功能，滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
  • 關鍵字： 集中供電電源  半橋拓撲  充電管理  智能  202104  MOSFET  IGBT  

通過節(jié)省時間和成本的創(chuàng)新技術降低電源中的EMI

  • 隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集并且互連程度越來越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個關鍵的系統(tǒng)設計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進度，浪費大量時間和資金，因此必須在設計之初就考慮 EMI 問題。開關模式電源 (SMPS) 是現(xiàn)代技術中普遍使用的電路之一，在大多數(shù)應用中，該電路可提供比線性穩(wěn)壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價的，因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 的開關會產(chǎn)生大量 EMI，進而影響電路可靠性。EMI 主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關節(jié)
  • 關鍵字： MOSFET  

Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  GaN  

安森美半導體高能效方案賦能機器人創(chuàng)新，助力工業(yè)自動化升級

  • 工業(yè)自動化簡單說來指從人力制造轉向機器人制造，涉及信息物理系統(tǒng)(CPS)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)/工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)、云計算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術，可實現(xiàn)經(jīng)濟增長和利潤最大化，提高生產(chǎn)效率，并避免人力在執(zhí)行某些任務時的安全隱患。安森美半導體為工業(yè)自動化提供全面的高能效創(chuàng)新的半導體方案。其中，機器人半導體方案構建框圖如圖1所示。圖1?工業(yè)自動化-機器人半導體方案構建框圖電機控制設計人員可采用安森美半導體的無刷直流電機(BLDC)控制器實現(xiàn)BLDC電機控制，如高
  • 關鍵字： MOSFET  BLDC  IoT  IIoT  

功率半導體－馬達變頻器內的關鍵組件

  • 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅動工業(yè)應用中的馬達，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
  • 關鍵字： IGBT7  SiC MOSFET  馬達變頻器  功率半導體  英飛凌  

功率器件和被動元件點亮第97屆中國電子展，CEF下半年成都上海再相見

  • 2021年4月11日，為期三天的第97屆中國電子展在深圳會展中心圓滿落幕，展會與第九屆中國電子信息博覽會（CITE2021）同期舉辦，現(xiàn)場有超1500家參展商參展，共發(fā)布近萬件新產(chǎn)品、新技術，全方位、多角度展示我國電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果。同時，博覽會期間還舉辦了近100場同期活動，吸引了超過10萬名專業(yè)觀眾到場參觀，500余萬觀眾線上觀展。據(jù)主辦方介紹，展會以“創(chuàng)新驅動 高質量發(fā)展”為主題，展覽展示、論壇會議和現(xiàn)場活動三大板塊聯(lián)動，三位一體，亮點紛呈。亮點一展覽：展示最新產(chǎn)品?9號館——基礎
  • 關鍵字： MOSFET  

碳化硅技術如何變革汽車車載充電

  • 日趨嚴格的CO2排放標準以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間，根據(jù)最近的趨勢，到2024年的復合年增長率(CAGR(TAM))估計將達到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設計中的汽車，提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓撲結構已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡單功率因數(shù)校正(PFC)拓撲結構(圖1)是個傳統(tǒng)的單通道升壓轉換器。該方案包含一個用于輸入交流整流的二極管全橋和一個PFC控制器，以增加負載的功率因數(shù)，從
  • 關鍵字： MOSFET  PFC  

Vishay推出全球領先的汽車級80 V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發(fā)布的汽車級M
  • 關鍵字： MOSFET  

72V 混合式 DC/DC 方案使中間總線轉換器尺寸銳減 50%

  • 背景資訊大多數(shù)中間總線轉換器 (IBC) 使用一個體積龐大的電源變壓器來提供從輸入至輸出的隔離。另外，它們一般還需要一個用于輸出濾波的電感器。此類轉換器常用于數(shù)據(jù)通信、電信和醫(yī)療分布式電源架構。這些 IBC 可由眾多供應商提供，而且通?？煞胖糜跇I(yè)界標準的 1/16、1/8 和 1/4 磚占板面積之內。典型的 IBC 具有一個 48V 或 54V 的標稱輸入電壓，并產(chǎn)生一個介于 5V 至 12V 之間的較低中間電壓以及從幾百 W 至幾 kW 的輸出功率級別。中間總線電壓用作負載點穩(wěn)壓器的輸入，將負責給 FP
  • 關鍵字： MOSFET  IBC  

意法半導體發(fā)布隔離式柵極驅動器，可安全控制碳化硅MOSFET

  • STGAP2SiCS能夠產(chǎn)生高達26V的柵極驅動電壓，將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提高到15.5V，滿足SiC MOSFET開關管正常導通要求。如果電源電壓低引起驅動電壓太低，UVLO保護機制將確保MOSFET處于關斷狀態(tài)，以免產(chǎn)生過多的耗散功率。這款驅動器有雙兩個輸入引腳，讓設計人員可以定義柵極驅動信號的極性。STGAP2SiCS在輸入部分和柵極驅動輸出之間設計6kV電氣隔離，電隔離有助于確保消費電子和工業(yè)設備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅動能力使其適用于高端家用電器、工業(yè)驅動裝置、風扇、電磁爐、電焊機
  • 關鍵字： MOSFET  UVLO  
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