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電機驅(qū)動系統(tǒng)：新一代功率解決方案提升能效和可靠性

  • 1? ?電機驅(qū)動系統(tǒng)的關鍵是可靠性和能效電機在現(xiàn)代生活中無處不在， 從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎設施。根據(jù)國際能源署 (International Energy Agency) 的數(shù)據(jù)，電機占全球總電力消耗的45％，因此電機驅(qū)動電子設備的可靠性和能效會對世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應用產(chǎn)生影響。工業(yè)自動化和機器人是電機最重要的應用之一，隨著傳統(tǒng)機器人、協(xié)作機器人和自主移動機器人的采用，我們看到工廠和其他設施變得更加自動化。一種提高電機驅(qū)動系統(tǒng)能效的方法是，以基于三相
  • 關鍵字： MOSFET  IPM  202103  

基于LCC拓撲的2相輸入300W AC-DC LED電源

  • 近年來，諧振變換器的熱度越來越高，被廣泛用于計算機服務器、電信設備、燈具和消費電子等各種應用場景。諧振變換器可以很容易地實現(xiàn)高能效，其固有的較寬的軟開關范圍很容易實現(xiàn)高頻開關，這是一個關鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個以半橋LCC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個數(shù)控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器)，副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
  • 關鍵字： MOSFET  IC  

開關模式電源電流檢測

  • 開關模式電源有三種常用電流檢測方法是：使用檢測電阻，使用MOSFET RDS(ON)，以及使用電感的直流電阻(DCR)。每種方法都有優(yōu)點和缺點，選擇檢測方法時應予以考慮。檢測電阻電流作為電流檢測元件的檢測電阻，產(chǎn)生的檢測誤差最低（通常在1%和5%之間），溫度系數(shù)也非常低，約為100 ppm/°C (0.01%)。在性能方面，它提供精度最高的電源，有助于實現(xiàn)極為精確的電源限流功能，并且在多個電源并聯(lián)時，還有利于實現(xiàn)精密均流。圖1.RSENSE電流檢測另一方面，因為電源設計中增加了電流檢測電阻，所以電阻也會產(chǎn)
  • 關鍵字： MOSFET  DCR  

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設備效率和小型化

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，面向工業(yè)應用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。為達到175℃的通道溫度，該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應用對高效緊湊設備的需求。◆? ?應用●? ?用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換
  • 關鍵字： MOSFET  

開關模式電源電流檢測——第二部分

  • 電流檢測電阻的位置連同開關穩(wěn)壓器架構(gòu)決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流（連續(xù)導通模式下電感電流的最小值）和平均輸出電流。檢測電阻的位置會影響功率損耗、噪聲計算以及檢測電阻監(jiān)控電路看到的共模電壓。放置在降壓調(diào)節(jié)器高端對于降壓調(diào)節(jié)器，電流檢測電阻有多個位置可以放置。當放置在頂部MOSFET的高端時（如圖1所示），它會在頂部MOSFET導通時檢測峰值電感電流，從而可用于峰值電流模式控制電源。但是，當頂部MOSFET關斷且底部MOSFET導通時，它不測量電感電流。圖1 帶高端RSENSE
  • 關鍵字： MOSFET  

Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產(chǎn)品

  • 關鍵半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布推出一系列采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝技術的半橋（高端和低端）汽車MOSFET。采用兩個MOSFET的半橋配置是許多汽車應用（包括電機驅(qū)動器和DC/DC轉(zhuǎn)換器）的標準構(gòu)建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機控制拓撲的雙通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線路，其占用的PCB面積減少了30%，同時支持在生產(chǎn)過程中進行簡單的自動光學檢測(AOI)。LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用現(xiàn)有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車級
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  AEC-Q101  

采用 23mm x 16.5mm 封裝的 170W 倍壓器

  • 設計要點 DN571 - 引言對于高電壓輸入/輸出應用，無電感型開關電容器轉(zhuǎn)換器 (充電泵) 相比基于電感器的傳統(tǒng)降壓或升壓拓撲可顯著地改善效率和縮減解決方案尺寸。通過采用充電泵取代電感器，一個 “跨接電容器” 可用于存儲能量和把能量從輸入傳遞至輸出。電容器的能量密度遠高于電感器，因而采用充電泵可使功率密度提高 10 倍。但是，由于在啟動、保護、柵極驅(qū)動和穩(wěn)壓方面面臨挑戰(zhàn)，所以充電泵傳統(tǒng)上一直局限于低功率應用。ADI公司的LTC7820 克服了這些問題，可實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案
  • 關鍵字： MOSFET  

在可再生能源應用的逆變器設計中使用SPWM發(fā)生器

  • 可再生能源仍然是世界范圍內(nèi)的大趨勢。隨著捕獲風能、太陽能和其他形式的可再生能源的方法不斷發(fā)展，可再生能源系統(tǒng)的成本和效率對公司和消費者都越來越有吸引力。實際上，2016年，全球?qū)稍偕茉吹馁Y本投資跌到了多年來最低水平，但是卻創(chuàng)下了一年內(nèi)可再生能源設備安裝數(shù)量最多的記錄。在用于可再生能源系統(tǒng)的組件中，逆變器是一項尤其關鍵的系統(tǒng)組件。由于大多數(shù)可再生能源都是通過直流電（DC）產(chǎn)生的，因此逆變器在將直流電（DC）轉(zhuǎn)換為交流電（AC）以有效整合到現(xiàn)有電網(wǎng)中起著關鍵作用。在混合了不同可再生能源的混合動力系統(tǒng)和微電
  • 關鍵字： PWM  AC  DC  MOSFET  SPWM  

采用具有驅(qū)動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET

  • 引言人們普遍認為，SiC MOSFET可以實現(xiàn)非?？斓拈_關速度，有助于顯著降低電力電子領域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導體封裝的限制，在實際應用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展示對使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓撲的3.7kW單相PFC進行封裝改進后獲得的改善效果。功率元器件傳統(tǒng)封裝形式帶來的開關性能限制TO-247N（圖1）是應用最廣泛的功率晶體管傳統(tǒng)封裝形式之一。如圖1左側(cè)所示，
  • 關鍵字： MOSFET  

Vishay贊助的同濟大學電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設計師

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學大學生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車隊設計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內(nèi)的國際大學生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設計報告和直線加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績獲得本屆比
  • 關鍵字： MOSFET  

Vishay贊助的同濟大學電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設計師

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學大學生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車隊設計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內(nèi)的國際大學生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設計報告和直線加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績獲得本屆比
  • 關鍵字： MOSFET  

GD32創(chuàng)新反電動勢采樣方案，助力高效控制BLDC電機

  • 0? ?引言電機（Electric machinery，俗稱“馬達”）是指依據(jù)電磁感應定律實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換或傳遞的一種電磁裝置，用來產(chǎn)生驅(qū)動轉(zhuǎn)矩作為電器或各種機械的動力源。目前通常使用微控制器（MCU）對電機的啟停及轉(zhuǎn)速進行控制。本文介紹了基于兆易創(chuàng)新（GigaDevice）公司GD32 MCU 的一種創(chuàng)新型高精度反電動勢電壓采樣方案，廣泛應用于工業(yè)控制、智能制造、消費電子、家用電器、交通運輸?shù)阮I域?qū)崿F(xiàn)高效電機控制。圖1 有刷直流電機1? ?電機控制概況按照工作電源的不
  • 關鍵字： MOSFET  BLDC  

哪些應用和技術會成為2021的熱點

  • 全球都在共同積極應對新冠肺炎病毒(COVID-19)這個充滿挑戰(zhàn)的新環(huán)境，疫情加速了許多本來就在進行的趨勢，所有趨勢都潛藏著一個一致的主題，那就是彈性?；ヂ?lián)網(wǎng)的應用比以前有了更大的發(fā)展和進步。有很多人在網(wǎng)上訂購生活必需品送貨上門，以盡可能保持社交距離。人們的工作、社交、教育、娛樂幾乎超出了預期，被迫學習和適應相關的工具。幸運的是，通信和信息網(wǎng)絡的基礎設施已做出了令人難以置信的反應，在增加的流量和負荷下保持了良好的狀態(tài)。網(wǎng)絡使用量的增長刺激了對這一關鍵基礎設施的投資力度，5G基礎設施加速部署，云計算數(shù)據(jù)中心
  • 關鍵字： MOSFET  Wi-Fi 6  202101  

ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導通電阻的第五代Pch MOSFET

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機器人等工業(yè)設備以及空調(diào)等消費電子產(chǎn)品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓單極型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列產(chǎn)品作為ROHM擁有豐碩市場業(yè)績的Pch MOSFET產(chǎn)品，采用了第五代新微米工藝，實現(xiàn)了業(yè)界超低的單位面積導通電阻*3。－40
  • 關鍵字： MOSFET  

Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個周期測試的 可靠重復雪崩性能

  • 半導體基礎元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點關注動力系統(tǒng)應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關斷時間（高達4倍）外，該技術還能通過減少BOM數(shù)量簡化設計。  在汽車動力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動鉗位拓撲結(jié)構(gòu)進行構(gòu)建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關
  • 關鍵字： Nexperia  AEC-Q101  MOSFET  
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