hyper-na euv 文章進(jìn)入hyper-na euv技術(shù)社區(qū)

臺(tái)積電不用當(dāng)盤子了？日本開(kāi)發(fā)出更便宜EUV 撼動(dòng)芯片業(yè)

荷商艾司摩爾（ASML）是半導(dǎo)體設(shè)備巨頭，臺(tái)積電等龍頭公司制造先進(jìn)芯片，都需采用ASML制造商生產(chǎn)的昂貴極紫外光曝光機(jī)（EUV），根據(jù)《Tom's Hardware》報(bào)導(dǎo)，日本科學(xué)家已開(kāi)發(fā)出簡(jiǎn)化的EUV掃描儀，可以大幅降低芯片的生產(chǎn)成本。報(bào)導(dǎo)指出，沖繩科學(xué)技術(shù)學(xué)院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡(jiǎn)化的EUV曝光機(jī)，相比ASML開(kāi)發(fā)和制造的工具更便宜，如果該種設(shè)備大規(guī)模量產(chǎn)，可能重塑芯片制造設(shè)備產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況。值得關(guān)注的是，新系統(tǒng)在光學(xué)投影設(shè)定中只使用兩面鏡子，與傳統(tǒng)的
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價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)

8月6日消息，在近日的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺(tái)價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國(guó)俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計(jì)將支持公司新一代更強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺(tái)High NA EUV光刻
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ASML第二臺(tái)High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠

英特爾正接收ASML第二臺(tái)耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話會(huì)議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開(kāi)始接收第一臺(tái)大型設(shè)備，安裝時(shí)間需要數(shù)月，預(yù)計(jì)可帶來(lái)新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財(cái)報(bào)會(huì)議后股價(jià)表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開(kāi)始出貨第二臺(tái)High NA設(shè)備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺(tái)的收入。不過(guò)
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臺(tái)積電：仍在評(píng)估 High NA EUV 光刻機(jī)，采用時(shí)間未定

IT之家 7 月 30 日消息，《電子時(shí)報(bào)》昨日?qǐng)?bào)道稱，臺(tái)積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對(duì)此，臺(tái)積電海外營(yíng)運(yùn)資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)表示，仍在評(píng)估 High NA EUV 應(yīng)用于未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)的成本效益與可擴(kuò)展性，目前采用時(shí)間未定?！?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機(jī)，圖源：ASML上個(gè)月，ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺(tái)積電交付首臺(tái) High NA EUV 光刻機(jī)，價(jià)值達(dá) 3.8
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臺(tái)積電大舉拉貨EUV光刻機(jī)

臺(tái)積電依然是 EUV 設(shè)備的最大買家。臺(tái)積電 2nm 先進(jìn)制程產(chǎn)能將于 2025 年量產(chǎn)，設(shè)備廠正如火如荼交機(jī)，尤以先進(jìn)制程所用之 EUV（極紫外光刻機(jī)）至為關(guān)鍵，今明兩年共將交付超過(guò) 60 臺(tái) EUV，總投資金額上看超過(guò) 4000 億元新臺(tái)幣。在產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充之下，ASML 2025 年交付數(shù)量增長(zhǎng)將超過(guò) 3 成，臺(tái)廠供應(yīng)鏈沾光，其中家登積極與 ASML 攜手投入下一代 High-NA EUV 研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準(zhǔn)、京鼎及翔名等有望同步受惠。設(shè)備廠商透露，EUV 設(shè)備供應(yīng)吃緊，交期長(zhǎng)達(dá) 16~20
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EUV 的單次曝光與多次曝光的進(jìn)步

在過(guò)去的五年中，EUV 模式設(shè)計(jì)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，但高 NA EUV 又重現(xiàn)了舊的挑戰(zhàn)。
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價(jià)翻倍，讓臺(tái)積電、三星和英特爾猶豫不決

ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對(duì)下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計(jì)劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。據(jù)Trendforce報(bào)道，Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格預(yù)計(jì)達(dá)到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì)更高。目前每臺(tái)EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機(jī)的兩倍多
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獨(dú)擁四大連續(xù)制程設(shè)備 TEL成EUV出貨大贏家

國(guó)際設(shè)備大廠東京威力科創(chuàng)（TEL）為全球唯一擁有沉積、涂布／顯影、蝕刻、清洗四大連續(xù)制程設(shè)備之公司，是晶圓片進(jìn)入EUV曝光前重要步驟。TEL宮城總裁神原弘光指出，隨著芯片設(shè)計(jì)演進(jìn)，蝕刻技術(shù)不斷朝著3D化方向演進(jìn)，垂直堆棧發(fā)展、更有效利用空間，然而堆棧層數(shù)的增加，在成膜次數(shù)跟蝕刻時(shí)間、次數(shù)也會(huì)隨之增加，所需的機(jī)臺(tái)數(shù)量同步成長(zhǎng)。 EUV大廠擁有近乎100％市占率，TEL在涂布／顯影與之緊密配合，同樣近乎獨(dú)占；換言之，只要EUV出貨，TEL亦將同步受惠。TEL更透露，早已在臺(tái)設(shè)置研發(fā)中心，近期更會(huì)擴(kuò)增潔凈室規(guī)模
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臺(tái)積電EUV大舉拉貨供應(yīng)鏈集體狂歡

臺(tái)積電2納米先進(jìn)制程產(chǎn)能將于2025年量產(chǎn)，設(shè)備廠正如火如荼交機(jī)，尤以先進(jìn)制程所用之EUV（極紫外光曝光機(jī)）至為關(guān)鍵，今明兩年共將交付超過(guò)60臺(tái)EUV，總投資金額上看超過(guò)4,000億元。在產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充之下，ASML2025年交付數(shù)量成長(zhǎng)將超過(guò)3成，臺(tái)廠供應(yīng)鏈沾光，其中家登積極與ASML攜手投入次世代High-NA EUV研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準(zhǔn)、京鼎及翔名等有望同步受惠。設(shè)備業(yè)者透露，EUV機(jī)臺(tái)供應(yīng)吃緊，交期長(zhǎng)達(dá)16至20個(gè)月，因此2024年訂單大部分會(huì)于后年開(kāi)始交付；據(jù)法人估計(jì)，今年臺(tái)積電EUV訂
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改變?摩爾定律的未來(lái)是粒子加速器嗎？

位于日本筑波的高能加速器研究組織（KEK）的一組研究人員認(rèn)為，如果利用粒子加速器的力量，EUV光刻技術(shù)可能會(huì)更便宜、更快、更高效。
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ASML市值超車LVMH，成為歐洲第二大上市公司

最新 EUV 設(shè)備的銷售情況對(duì) ASML 的市值產(chǎn)生了明顯影響。
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可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī)：死胡同不遠(yuǎn)了

6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺(tái)High NA EUV極紫外光刻機(jī)，同時(shí)正在研究更強(qiáng)大的Hyper NA EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機(jī)孔徑數(shù)值只有0.33，對(duì)應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來(lái)的4000F、4200G、4X00。該系列預(yù)計(jì)到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預(yù)計(jì)到2027年能實(shí)現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機(jī)升級(jí)到了
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ASML：EUV光刻機(jī)已近極限追趕技術(shù)還是另辟蹊徑？

ASML首席財(cái)務(wù)官達(dá)森（Roger Dassen）表示，EUV技術(shù)路線發(fā)展受歐美限制，且光刻機(jī)已接近技術(shù)極限，此一技術(shù)路線前景不明。積極尋求突破的中國(guó)廠商是持續(xù)投入資源突破現(xiàn)有限制進(jìn)行技術(shù)跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？將面臨艱難的抉擇。據(jù)《芯智訊》報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電已經(jīng)訂購(gòu)了High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻機(jī)，ASML與臺(tái)積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計(jì)在第2季度或第3季度開(kāi)始獲得大量 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。ASML預(yù)測(cè)其設(shè)備的市場(chǎng)需求有望一路走強(qiáng)至2026年，這主要是受益于各國(guó)
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臺(tái)積電今年將拿到最新款光刻機(jī)

6月6日消息，據(jù)外媒報(bào)道稱，ASML將在今年向臺(tái)積電交付旗下最先進(jìn)的光刻機(jī)，單臺(tái)造價(jià)達(dá)3.8億美元。報(bào)道中提到，ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話會(huì)議上告訴分析師，公司兩大客戶臺(tái)積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。英特爾此前已經(jīng)訂購(gòu)了最新的高NA EUV設(shè)備，第一臺(tái)設(shè)備已于12月底運(yùn)往俄勒岡州的一家工廠。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺(tái)積電何時(shí)會(huì)收到設(shè)備。據(jù)悉，這些機(jī)器每臺(tái)造價(jià)3.5億歐元（3.8億美元），重量相當(dāng)于兩架空中客車A
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EUV光刻機(jī)“忙瘋了”

據(jù)市場(chǎng)消息，目前，ASML High NA EUV光刻機(jī)僅有兩臺(tái)，如此限量版的EUV關(guān)鍵設(shè)備必然無(wú)法滿足市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月3日，全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時(shí)微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費(fèi)爾德霍芬（Veldhoven）開(kāi)設(shè)聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運(yùn)營(yíng)。推動(dòng)摩爾定律關(guān)鍵因素：High NA EUV技術(shù)據(jù)業(yè)界信息，High NA EUV技術(shù)是
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