hyper-na euv 文章 進入hyper-na euv技術(shù)社區(qū)
ASML凈銷售額75億歐元,凈利潤為21億歐元,預(yù)計2024年全年凈銷售額約為280億歐元
- 阿斯麥(ASML)近日發(fā)布2024年第三季度財報。2024年第三季度,ASML實現(xiàn)凈銷售額75億歐元,毛利率為50.8%,凈利潤達21億歐元。今年第三季度的新增訂單金額為26億歐元2,其中14億歐元為EUV光刻機訂單。ASML預(yù)計2024年第四季度的凈銷售額在88億至92億歐元之間,毛利率介于49%到50%,2024年全年的凈銷售額約為280歐元。ASML還預(yù)計,2025年的凈銷售額在300億至350億歐元之間,毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度財報一覽(除非特別說明,數(shù)字均以百萬歐元
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安霸與路特斯合作開發(fā)人工智能4D成像雷達,以支持純電Hyper SUV中搭載的L2級+高級自動駕駛系統(tǒng)
- 此次合作旨在利用安霸先進的Oculii人工智能4D成像雷達技術(shù),提高路特斯電動汽車的安全性Source:Getty Images在9月24日發(fā)布的一篇新聞稿中,安霸宣布將與路特斯科技公司合作,展示了其Oculii人工智能4D成像雷達技術(shù)的安全性。該技術(shù)現(xiàn)已集成至2023款和2024款路特斯Eletre電動超跑SUV以及2024款路特斯Emeya純電超跑GT車型中。此次合作旨在通過利用超過300米的超長探測距離,提升包括高速公路和城市自主領(lǐng)航(NOA)及自動緊急制動(AEB)等半自動駕駛系統(tǒng)的能力。該系統(tǒng)在
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英特爾計劃與日本 AIST 合作建立芯片研究中心
- IT之家 9 月 3 日消息,日經(jīng)報道稱,英特爾將與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(AIST)在日本建立芯片研發(fā)基地,新設(shè)施將在三到五年內(nèi)建成,配備極紫外線光刻(EUV)設(shè)備。▲ 圖源:英特爾設(shè)備制造商和材料公司將付費使用該設(shè)施進行原型設(shè)計和測試。據(jù)介紹,這將是日本第一個行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設(shè)備的中心。IT之家查詢獲悉,產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所隸屬經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省,是日本一家設(shè)法使用集成科學和工程知識來解決日本社會和經(jīng)濟發(fā)展需要的研究機構(gòu),總部位于東京,2001 年成為獨立行政機構(gòu)的一個新設(shè)計的法律機構(gòu)。
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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
- 比利時微電子研究中心(imec),在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾(ASML)合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實驗室中,利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機,發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后,9納米和5納米(間距19納米)的隨機邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征,以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)專用布局全部成功成形,采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果,imec證實該微影技術(shù)的生態(tài)系
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極紫外光刻新技術(shù)問世,大幅降本增效
- 日本沖繩科學技術(shù)大學院大學設(shè)計了一種極紫外(EUV)光刻技術(shù),超越了半導(dǎo)體制造業(yè)的標準界限。
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臺積電不用當盤子了?日本開發(fā)出更便宜EUV 撼動芯片業(yè)
- 荷商艾司摩爾(ASML)是半導(dǎo)體設(shè)備巨頭,臺積電等龍頭公司制造先進芯片,都需采用ASML制造商生產(chǎn)的昂貴極紫外光曝光機(EUV),根據(jù)《Tom's Hardware》報導(dǎo),日本科學家已開發(fā)出簡化的EUV掃描儀,可以大幅降低芯片的生產(chǎn)成本。報導(dǎo)指出,沖繩科學技術(shù)學院(OIST)Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡化的EUV曝光機,相比ASML開發(fā)和制造的工具更便宜,如果該種設(shè)備大規(guī)模量產(chǎn),可能重塑芯片制造設(shè)備產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況。值得關(guān)注的是,新系統(tǒng)在光學投影設(shè)定中只使用兩面鏡子,與傳統(tǒng)的
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價值3.83億美元!Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息,在近日的財報電話會議上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV(極紫外光刻機)。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設(shè)備之一,其分辨率達到8納米,能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能,是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示,第二臺High NA設(shè)備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠,預(yù)計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前,Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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臺積電:仍在評估 High NA EUV 光刻機,采用時間未定
- IT之家 7 月 30 日消息,《電子時報》昨日報道稱,臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對此,臺積電海外營運資深副總經(jīng)理暨副共同營運長張曉強表示,仍在評估 High NA EUV 應(yīng)用于未來制程節(jié)點的成本效益與可擴展性,目前采用時間未定?!?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機,圖源:ASML上個月,ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機,價值達 3.8
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臺積電大舉拉貨EUV光刻機
- 臺積電依然是 EUV 設(shè)備的最大買家。臺積電 2nm 先進制程產(chǎn)能將于 2025 年量產(chǎn),設(shè)備廠正如火如荼交機,尤以先進制程所用之 EUV(極紫外光刻機)至為關(guān)鍵,今明兩年共將交付超過 60 臺 EUV,總投資金額上看超過 4000 億元新臺幣。在產(chǎn)能持續(xù)擴充之下,ASML 2025 年交付數(shù)量增長將超過 3 成,臺廠供應(yīng)鏈沾光,其中家登積極與 ASML 攜手投入下一代 High-NA EUV 研發(fā),另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。設(shè)備廠商透露,EUV 設(shè)備供應(yīng)吃緊,交期長達 16~20
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機定價翻倍,讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機,業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進行研究,尋找合適的解決方案,計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據(jù)Trendforce報道,Hyper-NA EUV光刻機的價格預(yù)計達到驚人的7.24億美元,甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元,High-NA EUV光刻機的價格大概為3.8億美元,是EUV光刻機的兩倍多
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獨擁四大連續(xù)制程設(shè)備 TEL成EUV出貨大贏家
- 國際設(shè)備大廠東京威力科創(chuàng)(TEL)為全球唯一擁有沉積、涂布/顯影、蝕刻、清洗四大連續(xù)制程設(shè)備之公司,是晶圓片進入EUV曝光前重要步驟。TEL宮城總裁神原弘光指出,隨著芯片設(shè)計演進,蝕刻技術(shù)不斷朝著3D化方向演進,垂直堆棧發(fā)展、更有效利用空間,然而堆棧層數(shù)的增加,在成膜次數(shù)跟蝕刻時間、次數(shù)也會隨之增加,所需的機臺數(shù)量同步成長。 EUV大廠擁有近乎100%市占率,TEL在涂布/顯影與之緊密配合,同樣近乎獨占;換言之,只要EUV出貨,TEL亦將同步受惠。TEL更透露,早已在臺設(shè)置研發(fā)中心,近期更會擴增潔凈室規(guī)模
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臺積電EUV大舉拉貨 供應(yīng)鏈集體狂歡
- 臺積電2納米先進制程產(chǎn)能將于2025年量產(chǎn),設(shè)備廠正如火如荼交機,尤以先進制程所用之EUV(極紫外光曝光機)至為關(guān)鍵,今明兩年共將交付超過60臺EUV,總投資金額上看超過4,000億元。在產(chǎn)能持續(xù)擴充之下,ASML2025年交付數(shù)量成長將超過3成,臺廠供應(yīng)鏈沾光,其中家登積極與ASML攜手投入次世代High-NA EUV研發(fā),另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。 設(shè)備業(yè)者透露,EUV機臺供應(yīng)吃緊,交期長達16至20個月,因此2024年訂單大部分會于后年開始交付;據(jù)法人估計,今年臺積電EUV訂
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