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EEPW首頁 >> 主題列表 >> high-na euv

EUV: 一場輸不起的賭局

  • 　　2010年， ASML將有5臺最先進的EUV設備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級存儲器廠商和2家頂級邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設備出廠前，解決正在發(fā)生的問題，并預測著各種可能發(fā)生的問題及解決方案。 　　人們談論EUV的各種技術問題已歷時數(shù)年，因為其波長較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實力派參賽選手之一。與此同時，延伸immersion技術，用其
  • 關鍵字： ASML  EUV  22nm  

臺積電老將再出山 蔣尚義領命戰(zhàn)研發(fā)

  • 　　不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發(fā)展資深副總經理，他將直接對張忠謀董事長負責。 　　這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺積電以來，又一次重大的人事調整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發(fā)展副總經理，帶領研發(fā)團隊一路順利開發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進工藝技術，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
  • 關鍵字： 臺積電  40納米  HKMG  EUV  

EUV蓄勢待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學系統(tǒng)

  • 　　德國Carl Zeiss SMT AG已向半導體設備商ASML出貨首臺EUV光學系統(tǒng)。該公司已使EUV光學系統(tǒng)達到了生產要求。 　　光學系統(tǒng)是EUV設備的核心模塊，首臺EUV設備預計將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開發(fā)，EUV光源是EUV光刻設備另一個關鍵模塊。該技術將使芯片制造商進一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產效率。 　　據Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學系統(tǒng)已經研發(fā)了約15年。
  • 關鍵字： ASML  EUV  光刻設備  

半導體設備業(yè)研發(fā)經費拮據　聯(lián)盟關系將成救星

  • 　　市場研究機構Gartner警告，半導體設備產業(yè)的研發(fā)預算恐怕在接下來的五年內大幅削減80億美元，使該產業(yè)領域陷入危機。不過該機構資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。 　　缺乏適當?shù)耐顿Y將導致技術藍圖延遲，而且公司恐怕無法做好迎接未來挑戰(zhàn)的準備;在目前營收低迷的情況下，半導體設備業(yè)正面臨著如此的危機點。不過Freeman卻認為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過去十年來有不少產業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結盟關系在某些程度上減輕了業(yè)者因營收減少對研發(fā)所帶來的沖擊。 　　Fr
  • 關鍵字： 半導體設備  通孔硅  high-k金屬閘極  

臺灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具

  • 　　ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點high-k 閘極介電層量產制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(ALD)工具。 　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術進行制程開發(fā)活動。 ASM 在2009年第2季將針對進階節(jié)點開發(fā)計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設備來開發(fā)其以鉿基材料為基礎的high-k 閘極制程。 　　納米節(jié)點上實現(xiàn)成功的high-K制程
  • 關鍵字： ASM  high-k  晶圓  

EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

  • 　　對于極紫外（EUV）光刻技術而言，掩膜版相關的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內部討論，并在會上向與會的同仁報告了在這一領域Intel和Dai Nippon Printin
  • 關鍵字： 光刻  EUV  掩膜  CMOS  

22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場看法存分歧

  • 浸潤式微顯影雙重曝光能進一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術得以出頭，爭議不斷。據了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數(shù)家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。     ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長可達13.5納米，約是248波長的KrF顯影設備的15分之1，盡管浸潤式顯
  • 關鍵字： 消費電子  EUV  電子束  消費電子  

凌華推出High Speed Link延伸模塊

  • 　凌華科技推出High Speed Link系統(tǒng)延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產品可以為HSL用戶提供最長可達2400公尺的長距離使用及多點連接(multi-drop)接線架構，搭配高達十余種I/O及運動控制模塊的組合，提供客戶實時控制的完整解決方案。 　　   　　凌華的High Speed Link（HSL）技術是串列式遠程I/O實時控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術，針對接線的
  • 關鍵字： High  Link  Speed  工業(yè)控制  凌華  汽車電子  通訊  網絡  無線  延伸  模塊  工業(yè)控制  

瑞昱推出High Definition 音訊轉換芯片

  • 音訊內容保護 (Content Protection) 技術與透過傳統(tǒng)電話的Skype應用功能加速音訊轉換芯片在數(shù)字家庭的應用 瑞昱半導體在美國舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準音訊轉換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內建內容保護與防拷&nbs
  • 關鍵字： High  Definition  音訊轉換  瑞昱  通訊與網絡  芯片  

尼康NA超過1的液浸設備半導體商正式采用

  • 　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導體廠商供應用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過1的液浸ArF曝光設備。  　　這家大型半導體廠商的名字，尼康沒有公布，估計是過去在技術方面與之開展合作的東芝。  　　作為全折射型液浸曝光設備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術，能夠實現(xiàn)很高的分辨率。對于液浸產生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題，據稱利用名為“Local-fill（局部
  • 關鍵字： NA  尼康  嵌入式系統(tǒng)  
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