high na euv 文章進(jìn)入high na euv技術(shù)社區(qū)

韓國(guó)芯片巨頭SK海力士計(jì)劃升級(jí)在華工廠

據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)芯片巨頭SK海力士準(zhǔn)備打破美國(guó)對(duì)華極紫外（EUV）光刻機(jī)出口相關(guān)限制，對(duì)其中國(guó)半導(dǎo)體工廠進(jìn)行技術(shù)提升改造。這被外界解讀為，隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇以及中國(guó)高性能半導(dǎo)體制造能力提升，一些韓國(guó)芯片企業(yè)準(zhǔn)備采取一切可以使用的方法來(lái)提高在華工廠制造工藝水平。韓國(guó)《首爾經(jīng)濟(jì)》13日的報(bào)道援引韓國(guó)業(yè)內(nèi)人士的話稱(chēng)，SK海力士計(jì)劃今年將其中國(guó)無(wú)錫工廠的部分動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）生產(chǎn)設(shè)備提升至第四代10納米工藝。對(duì)于“無(wú)錫工廠將技術(shù)升級(jí)”的消息，SK海力士方面表示“無(wú)法確認(rèn)工廠的具體運(yùn)營(yíng)計(jì)劃”。無(wú)錫工廠
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英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機(jī)？

HIGH NA 無(wú)疑是打贏下一場(chǎng)比賽的重要籌碼。
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英特爾拿下首套High-NA EUV，臺(tái)積電如何應(yīng)對(duì)？

英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。相較之下，臺(tái)積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略，業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì)采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺(tái)積電暫時(shí)觀望的原因，臺(tái)積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。Hig
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ASML兩款光刻機(jī)出口許可被撤銷(xiāo)

1月2日，全球光刻機(jī)龍頭ASML在官網(wǎng)發(fā)布聲明稱(chēng)，荷蘭政府最近撤銷(xiāo)了此前頒發(fā)給其2023年發(fā)貨NXT:2050i和NXT:2100i光刻機(jī)的部分出口許可證，這將對(duì)ASML在中國(guó)內(nèi)地的個(gè)別客戶(hù)產(chǎn)生影響。在聲明中，ASML表示：“在新的出口管制條例下，今年（指2023年）年底前ASML仍能履行已簽訂的合同，發(fā)運(yùn)這些光刻設(shè)備。客戶(hù)也已知悉出口管制條例所帶來(lái)的限制，即自2024年1月1日起，ASML將基本不會(huì)獲得向中國(guó)客戶(hù)發(fā)運(yùn)這些設(shè)備的出口許可證。”預(yù)計(jì)此次出口許可證撤銷(xiāo)及最新的美國(guó)出口管制限制不會(huì)對(duì)公司2023
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?ASML被禁止向中國(guó)運(yùn)送其部分關(guān)鍵的芯片制造工具

半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML表示，荷蘭政府禁止其向中國(guó)出口部分工具。ASML表示，荷蘭政府最近部分撤銷(xiāo)了其N(xiāo)XT：2050i和NXT：2100i光刻系統(tǒng)在2023年裝運(yùn)的許可證。在撤銷(xiāo)船舶許可證之前，美國(guó)政府在10月份加強(qiáng)了對(duì)中國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體和芯片制造工具的出口管制，并在此前的規(guī)定基礎(chǔ)上進(jìn)行了進(jìn)一步收緊。荷蘭公司ASML制造了制造世界上最先進(jìn)芯片所需的最重要機(jī)器之一。美國(guó)的芯片限制使包括ASML在內(nèi)的公司爭(zhēng)先恐后地弄清楚這些規(guī)則在實(shí)踐中的含義。ASML公司該公司表示，荷蘭政府禁止其制造最先進(jìn)半導(dǎo)體的關(guān)鍵機(jī)器向中
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英特爾拿到首臺(tái)2nm光刻機(jī) 重回領(lǐng)先地位？

12月21日，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML通過(guò)社交媒體宣布，其首套高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機(jī)正從荷蘭Veldhoven總部開(kāi)始裝車(chē)發(fā)貨，將向英特爾進(jìn)行交付。數(shù)值孔徑（NA）是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo)，直接決定了光刻的實(shí)際分辨率和最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。
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年底沖刺，美日韓政府半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)布大動(dòng)作

ASML 成贏家。
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韓國(guó)總統(tǒng)到訪之際，ASML與三星達(dá)成7.52億美元的芯片廠協(xié)議

周二，荷蘭科技巨頭ASML和三星（Samsung）簽署了一項(xiàng)價(jià)值約7億歐元的協(xié)議，將在韓國(guó)建設(shè)一家半導(dǎo)體研究廠。與此同時(shí)，韓國(guó)總統(tǒng)尹錫悅（Yoon Suk Yeol）結(jié)束了這次以科技為重點(diǎn)的訪問(wèn)的第一天。尹錫悅是第一位到訪ASML高度安全的“無(wú)塵室”的外國(guó)領(lǐng)導(dǎo)人，這次到訪荷蘭的目的是在這兩個(gè)全球半導(dǎo)體大國(guó)之間結(jié)成“芯片聯(lián)盟”。他參觀了ASML的城市規(guī)模設(shè)施，該公司制造先進(jìn)的機(jī)器來(lái)制造半導(dǎo)體芯片，為從智能手機(jī)到汽車(chē)的一切提供動(dòng)力。ASML和三星后來(lái)同意“未來(lái)共同”投資該設(shè)施，該設(shè)施將“使用下一代EUV（極紫
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紐約州宣布聯(lián)合IBM、美光等公司，斥資100億美元建立研發(fā)中心

據(jù)IBM官網(wǎng)消息，美國(guó)紐約州州長(zhǎng)宣布與IBM、美光以及其他行業(yè)參與者合作，投資100億美元在紐約州 Albany NanoTech Complex 建設(shè)下一代 High-NA EUV 半導(dǎo)體研發(fā)中心。IBM稱(chēng)，這將是北美第一個(gè)也是唯一一個(gè)擁有高數(shù)值孔徑極紫外光刻(高NA EUV)系統(tǒng)的公共研發(fā)中心，可為開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)小于2nm的節(jié)點(diǎn)芯片鋪平道路。
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佳能押注納米壓印技術(shù) 價(jià)格比阿斯麥EUV光刻機(jī)“少一位數(shù)”

11月6日消息，日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography，NIL）這種新的芯片制造技術(shù)，并計(jì)劃將新型芯片制造設(shè)備的價(jià)格定在阿斯麥最好光刻機(jī)的很小一部分，從而在光刻機(jī)領(lǐng)域取得進(jìn)展。納米壓印技術(shù)是極紫外光刻（EUV）技術(shù)的低成本替代品。佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，該公司最新的納米壓印技術(shù)將為小型芯片制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開(kāi)辟出一條道路?！斑@款產(chǎn)品的價(jià)格將比阿斯麥的EUV少一位數(shù)，”現(xiàn)年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔(dān)任佳能總裁，上一次退
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納米壓?。阂粋€(gè)「?jìng)涮ァ棺呦颉概_(tái)前」的故事

佳能在 10 月 13 日宣布，正式推出納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備。對(duì)于 2004 年就開(kāi)始探索納米壓印技術(shù)的佳能來(lái)說(shuō)，新設(shè)備的推出無(wú)疑是向前邁出了一大步。佳能推出的這個(gè)設(shè)備型號(hào)是 FPA-1200NZ2C，目前可以實(shí)現(xiàn)最小線寬 14nm 的圖案化，相當(dāng)于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體所需的 5 納米節(jié)點(diǎn)。佳能表示當(dāng)天開(kāi)始接受訂單，目前已經(jīng)向東芝供貨。半導(dǎo)體行業(yè)可謂是「苦光刻機(jī)久已」，納米壓印設(shè)備的到來(lái)，讓期盼已久的半導(dǎo)體迎來(lái)一線曙光。那么什么是納米壓印技術(shù)？這種技術(shù)距離真的能夠取代光刻機(jī)嗎？納米壓印走向臺(tái)前想要
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EUV光刻技術(shù)仍需克服的三個(gè)缺點(diǎn)

光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過(guò)程為：首先紫外光通過(guò)掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過(guò)顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱(chēng)正性光刻膠，后者稱(chēng)負(fù)性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上；最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。想要了解光刻技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體供需穩(wěn)定將會(huì)產(chǎn)生什么樣的影響，首先要了解的是大家經(jīng)常聽(tīng)到的 14 納米 DRAM、4 納米應(yīng)用處理器等用語(yǔ)，要先說(shuō)明納米是什么意
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英特爾首次采用EUV技術(shù)的Intel 4制程節(jié)點(diǎn)已大規(guī)模量產(chǎn)

近日，英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。據(jù)英特爾中國(guó)官微獲悉，近日，英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。據(jù)悉，作為英特爾首個(gè)采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節(jié)點(diǎn)，Intel 4與先前的節(jié)點(diǎn)相比，在性能、能效和晶體管密度方面均實(shí)現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術(shù)正在驅(qū)動(dòng)著算力需求最高的應(yīng)用，如AI、先進(jìn)移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)、自動(dòng)駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用。英特爾“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃正在順利推進(jìn)中。目前，Intel 7和I
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俄羅斯7納米驚人突破泄國(guó)產(chǎn)EUV曝光時(shí)間

俄羅斯企圖打破艾司摩爾（ASML）先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備獨(dú)占地位！俄媒消息指出，俄羅斯號(hào)稱(chēng)開(kāi)發(fā)出可取代曝光機(jī)的芯片制造工具，甚至發(fā)下豪語(yǔ)，將于2028年研發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機(jī)，還可擊敗ASML同類(lèi)產(chǎn)品。俄國(guó)目前普遍使用20年前的65納米制程，正在興建28納米晶圓廠。俄羅斯國(guó)際新聞通訊社（俄新社）報(bào)導(dǎo)，圣彼得堡理工大學(xué)研發(fā)出一種「國(guó)產(chǎn)曝光復(fù)合體」，可用于蝕刻生產(chǎn)無(wú)掩模芯片，將有助于解決俄羅斯在微電子領(lǐng)域的技術(shù)主權(quán)問(wèn)題。科學(xué)家表示，這款芯片制造設(shè)備成本為500萬(wàn)盧布（約臺(tái)幣161萬(wàn)元），而另一種工具的成本未知
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Intel 4技術(shù)在愛(ài)爾蘭大批量生產(chǎn)，點(diǎn)燃?xì)W洲半導(dǎo)體制造能力

DIGITAL-得益于ASML的芯片機(jī)，英特爾在愛(ài)爾蘭的尖端技術(shù)生產(chǎn)點(diǎn)燃了歐洲革命。在英特爾位于愛(ài)爾蘭的最新制造工廠Fab 34的潔凈室里。?英特爾公司?英特爾在技術(shù)領(lǐng)域掀起了波瀾，在愛(ài)爾蘭推出了英特爾4技術(shù)的大批量生產(chǎn)，引發(fā)了一場(chǎng)歐洲革命。這標(biāo)志著極紫外光刻機(jī)（EUV）首次用于歐洲大規(guī)模生產(chǎn)。此舉鞏固了英特爾對(duì)快節(jié)奏生產(chǎn)戰(zhàn)略的承諾，并提升了歐洲的半導(dǎo)體制造能力。?這家科技巨頭在愛(ài)爾蘭、德國(guó)和波蘭的投資正在推動(dòng)整個(gè)歐洲大陸的尖端價(jià)值鏈。英特爾對(duì)可持續(xù)發(fā)展的執(zhí)著也體現(xiàn)在其愛(ài)爾蘭氣候行動(dòng)計(jì)
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