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Linux下查看某一個(gè)程序所使用的內(nèi)存方法

在 Linux 上進(jìn)行開(kāi)發(fā)和運(yùn)營(yíng)維護(hù)的時(shí)候免不了要查看某一個(gè)程序所占用內(nèi)存的情況有很多個(gè)命令都可以達(dá)到我們的需求這里給大家列舉幾個(gè)top p pid 查看程
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本土內(nèi)存制造需要狼性、特色和專(zhuān)利

福建省晉江市舉辦了“國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇”。在高端對(duì)話(huà)環(huán)節(jié)，部分企業(yè)家、協(xié)會(huì)領(lǐng)導(dǎo)、研發(fā)人員提出了發(fā)展內(nèi)存/DRAM產(chǎn)業(yè)的思路和建議，對(duì)從較為落后的情況下趕超先進(jìn)提供了啟迪。
關(guān)鍵字：內(nèi)存制造晉華 201608

三星主攻HBM、英特爾集中eDRAM 跳脫存儲(chǔ)器頻寬限制

　　挹注次世代存儲(chǔ)器半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)投資的三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)為打破存儲(chǔ)器業(yè)界最大議題頻寬(bandwith)的上限，正各自尋找解決方法。三星專(zhuān)注于研發(fā)高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)和次世代SRAM技術(shù)，英特爾則正在研發(fā)嵌入式DRAM(eDRAM)。　　據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，英特爾預(yù)計(jì)2017年推出的次世代芯片Kaby Lake，將采用14納米FinFET制程，搭載較Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM，
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福建晉華內(nèi)存公司開(kāi)業(yè)的精彩對(duì)話(huà)

　　藍(lán)色的戶(hù)外頂棚像鼓足的風(fēng)帆，帆下高朋滿(mǎn)座，來(lái)自政府、科學(xué)院和企業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)與學(xué)者濟(jì)濟(jì)一堂，參加7月16日在福建省晉江市舉行的晉華集成電路公司的開(kāi)工儀式。　　晉華素描　　據(jù)悉，作為國(guó)家發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略部署，該項(xiàng)目已成為國(guó)家首批重點(diǎn)支持的DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)項(xiàng)目，并獲得國(guó)家第一筆專(zhuān)項(xiàng)建設(shè)扶持基金30億元。項(xiàng)目總規(guī)劃面積594畝，一期投資370億元，建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造、產(chǎn)業(yè)鏈配套等，預(yù)計(jì)2018年9月形成月產(chǎn)6萬(wàn)片內(nèi)存晶圓的生產(chǎn)規(guī)模。二期形成12萬(wàn)片產(chǎn)能。并最終期待上市。　　&ld
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【E課堂】你真了解內(nèi)存嗎？奧秘居然這么多

　　內(nèi)存相信大家都聽(tīng)說(shuō)過(guò)，電腦速度慢了也許身邊的高手會(huì)建議我們升級(jí)更大容量的內(nèi)存。那么電腦內(nèi)存究竟是干什么用的呢?內(nèi)存容量高低為什么會(huì)影響電腦的運(yùn)行速度呢?這里面有不少的奧秘，不過(guò)董師傅相信大家讀完下面這篇文章，一切都會(huì)明白了。　　帶你先認(rèn)識(shí)一下內(nèi)存　　內(nèi)存，也叫內(nèi)存儲(chǔ)器，是一種快速存儲(chǔ)設(shè)備，在計(jì)算機(jī)角色扮演里占據(jù)著核心的位置?，F(xiàn)在的內(nèi)存條是一塊長(zhǎng)方形薄片狀的電路板，上面焊接有很多黑色“方塊”的存儲(chǔ)芯片，讓人在主板上可以一眼發(fā)現(xiàn)它。　　　　內(nèi)存條
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手機(jī)內(nèi)存那點(diǎn)事：為何國(guó)內(nèi)廠商只提容量不說(shuō)標(biāo)準(zhǔn)？

聽(tīng)說(shuō)繼處理器跑分之后，廠商要拼內(nèi)存了，明后年手機(jī)內(nèi)存可能會(huì)到6-8GB容量，嚇得我趕緊看看我的電腦內(nèi)存，好像也才4G，理論上說(shuō)內(nèi)存容量越大越好，但真的能在體驗(yàn)上勝過(guò)iPhone嗎？好好做軟件優(yōu)化吧，等把配置堆完了，我看你們?cè)趺崔k。
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三星量產(chǎn)128GB內(nèi)存芯片號(hào)稱(chēng)全球最大容量

　　11 月 27 日訊，你可能覺(jué)得現(xiàn)在的手機(jī)能有 4GB 的運(yùn)行內(nèi)存已經(jīng)很牛逼了，但三星已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn) 128GB 容量的內(nèi)存芯片。　　事實(shí)上，三星去年 8 月就宣布推出全球第一款采用 3D TSV 立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的內(nèi)存芯片，單條 DDR4 內(nèi)存條容量高達(dá) 64GB。但三星這次要量產(chǎn)的是近期推出的 128GB 內(nèi)存芯片，容量比去年翻了一倍。　　據(jù)悉，在這個(gè)小小的內(nèi)存芯片中，三星內(nèi)置了 144 個(gè)芯片，形成了 36×4GB DRAM 封裝，每個(gè)封裝中有 4×8Gb 芯
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NV使用HBM芯片或由海力士和三星共同提供

　　除了在存儲(chǔ)市場(chǎng)上作為老牌廠商的SK海力士之后，韓系的另外一個(gè)存儲(chǔ)巨頭的三星也進(jìn)入了HBM存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，并且開(kāi)始在2016年第一季度開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。而有消息稱(chēng)SK海力士以及三星將為NVIDIA的帕斯卡系列GPU生產(chǎn)第二代HBM芯片。　　　　　　業(yè)內(nèi)人士指出，無(wú)論是三星電子還是SK海力士都正在計(jì)劃為NVIDIA下一代圖形顯卡帕斯卡生產(chǎn)第二代高帶寬顯存芯片，而實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的時(shí)間預(yù)計(jì)在2016年的第一季度，但在這之前的試產(chǎn)以及生產(chǎn)的可靠性測(cè)試已經(jīng)由SK海力
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HBM顯存最大勁敵：美光明年上三代HMC

　　作為最老資歷的PC組成部件，內(nèi)存及內(nèi)存存儲(chǔ)體系已經(jīng)擁有了幾十年的歷史，其漫長(zhǎng)的發(fā)展過(guò)程曾伴隨數(shù)次重要的變革，但縱觀這些變革，無(wú)論是從FP到EDO還是從SD到DDR，在意義上均無(wú)法與即將發(fā)生的這場(chǎng)革命相提并論，這場(chǎng)革命的名字，叫堆疊內(nèi)存。　　　　目前，按照堆疊方式及位置的不同，堆疊內(nèi)存體系可以被分為2.5D和3D兩種存在形式。而又因?yàn)閮?nèi)存還依標(biāo)準(zhǔn)不同還劃分成了兩大陣營(yíng)，分別是海力士+AMD支持的HBM(High Bandwidth Memory)以及Intel支持、鎂光/三星
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AMD:不會(huì)靠HBM掙專(zhuān)利費(fèi) NVIDIA隨便用

　　目前，AMD是唯一一家使用HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)產(chǎn)品)的公司，這要得益于他們和SK Hynix等合作伙伴的長(zhǎng)期開(kāi)發(fā)，據(jù)說(shuō)長(zhǎng)達(dá)8年半之久。　　　　HBM如其名，最大的特點(diǎn)就是高帶寬(確切地說(shuō)是高位寬)，目前已經(jīng)可以做到單個(gè)顆粒1024-bit，GDDR5的足足32倍。同時(shí)，HBM每個(gè)堆棧的帶寬可以突破100GB/s，GDDR5的四五倍。　　更關(guān)鍵的是，HBM的電壓要求僅僅1.3V，低于GDDR5 1.5V，更加的節(jié)能。　　
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全球內(nèi)存條市場(chǎng)：中國(guó)記憶科技高居第二

全球內(nèi)存條市場(chǎng)十大廠商，中國(guó)竟排名二名。
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM

自主處理器初有成效下一步力推內(nèi)存制造

　　剛剛我們報(bào)道了大唐電信旗下的聯(lián)芯計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Marvell(美滿(mǎn))，從而加強(qiáng)自己在4G芯片制造領(lǐng)域的話(huà)語(yǔ)權(quán)，而在前不久清華紫光更是提出要在5年內(nèi)投入300億元，目標(biāo)拿下全球手機(jī)芯片份額第一，進(jìn)入全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司前三。雖然在西方投資者眼中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已是糟糕的生意，但中國(guó)芯片企業(yè)因?yàn)榘l(fā)展較慢，資本市場(chǎng)仍舊努力推動(dòng)著前進(jìn)的步伐，包括在背后做支撐的“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”。　　據(jù)EETimes報(bào)道，曾任大唐電信總裁現(xiàn)任中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)副主席的魏少軍在接受專(zhuān)訪時(shí)表示，中國(guó)的
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研究稱(chēng)內(nèi)存存取未必比磁盤(pán)存取快

　　軟件開(kāi)發(fā)者都知道內(nèi)存存取要比磁盤(pán)存取快得多，所以他們會(huì)盡可能的在內(nèi)存中執(zhí)行大部分任務(wù)。但加拿大兩所大學(xué)的研究人員在預(yù)印本網(wǎng)站上發(fā)表了一篇受爭(zhēng)議的論文(PDF)，宣稱(chēng)內(nèi)存存取未必比磁盤(pán)存取快。他們創(chuàng)建了1MB大小的字符串，然后寫(xiě)入磁盤(pán)。他們發(fā)現(xiàn)，在內(nèi)存中完成大部分工作比反復(fù)的寫(xiě)入磁盤(pán)要慢得多。開(kāi)發(fā)者認(rèn)為研究人員缺乏編程的經(jīng)驗(yàn)。　　
關(guān)鍵字：內(nèi)存磁盤(pán)

臺(tái)內(nèi)存大廠揮軍日本　直闖工控和車(chē)用市場(chǎng)

　　征戰(zhàn)海外展覽的臺(tái)灣內(nèi)存大廠，終于在日本找到了機(jī)會(huì)。
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND Flash

下游需求高企 2014年中國(guó)內(nèi)存芯片市場(chǎng)將占全球兩成

　　TrendForce最新研究報(bào)告顯示，隨著中國(guó)市場(chǎng)近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開(kāi)放，GDP成長(zhǎng)率呈現(xiàn)高度的成長(zhǎng)，所伴隨而來(lái)的就是驚人的消費(fèi)潛力，無(wú)論是PC、智能型手機(jī)與平板市場(chǎng)都把中國(guó)市場(chǎng)列入第一戰(zhàn)區(qū)。TrendForce旗下權(quán)威內(nèi)存研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，以2Gb顆粒來(lái)?yè)Q算，2014年中國(guó)市場(chǎng)在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達(dá)47.89億與70.36億，分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。　　從DRAM市場(chǎng)來(lái)觀察，PC-DRAM在中國(guó)市場(chǎng)的消化量已經(jīng)來(lái)到15%，內(nèi)需市場(chǎng)的強(qiáng)勁
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM Flash