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EEPW首頁 >> 主題列表 >> hbm 內(nèi)存

hbm 內(nèi)存 文章 進入hbm 內(nèi)存技術社區(qū)

內(nèi)存漲價帶來巨額利潤，但三星的地位并不牢固

  • 今年2017年，更殘忍的事情出現(xiàn)了——現(xiàn)在不僅所有顯卡缺貨，就連隔一年一跌價的內(nèi)存、SDD固態(tài)硬盤，價格也跟插了翅膀似的，使勁猛竄!
  • 關鍵字： 三星  內(nèi)存  

PC內(nèi)存一年價格翻一倍多，二季度還要再漲10-20%

  • 　　2017年JS靠著挖礦顯卡價格大漲賺錢了，只不過這一波顯卡漲價雖然很瘋狂，但是漲幅并不是最高的，內(nèi)存價格上漲的才是驚人，8GB DDR4內(nèi)存條現(xiàn)在普遍在400元以上，去年這時候價格才199元呢，當時還覺得貴呢，現(xiàn)在價格翻倍都不止了。目前內(nèi)存漲價的趨勢還沒有得到抑制，Q1季度PC內(nèi)存已經(jīng)大漲36%了，可Q2季度還會繼續(xù)上漲10-20%，因為三星、SK Hynix及美光等廠商現(xiàn)在的產(chǎn)能并沒有增加，市場供需還是不平衡。   　　這一年多了沒升級什么PC硬件了，雖然寫新聞的過程中也知道內(nèi)存、
  • 關鍵字： 內(nèi)存  閃存  

東芝內(nèi)存出售，傳延后一周決定優(yōu)先對

  • 　　東芝出售旗下「東芝內(nèi)存」選定出售對象出現(xiàn)延遲，東芝原預定 15 日決定優(yōu)先交涉對象，但經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省主導的「日美聯(lián)合」陣營的調(diào)整出現(xiàn)延遲，東芝將推遲一周左右才做出決定。 　　報導引述相關人士指出，官民基金產(chǎn)業(yè)革新機構、日本政策投資銀行和美國投資基金 KKR 等組成的日美聯(lián)合陣營，在籌資上遭遇困難，收購金額未達到東芝要求的超過 2 兆日圓。 因而，正檢討納入美國創(chuàng)投資金等其他投資基金方案，而協(xié)商需要時間。 　　報導說，亟思快速推動出售手續(xù)的東芝原本預定 15 日決定優(yōu)先交涉對象，參與二次競標的 4 個陣
  • 關鍵字： 東芝  內(nèi)存  

教你巧妙檢查硬盤與內(nèi)存

  • 這種方法主要是對每一種病毒含有的特定字符串進行掃描，如果在被檢測對象內(nèi)部發(fā)現(xiàn)了某一種特定字節(jié)串，就表明發(fā)現(xiàn)了該字節(jié)串所代表的病毒。國外稱這種按搜索法工作的病毒掃描軟件為“Scanner”。
  • 關鍵字： 硬盤  內(nèi)存  病毒  

DDR3與DDR2內(nèi)存區(qū)別

  • DDR3內(nèi)存相對于DDR2內(nèi)存，其實只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構。DDR3同DDR2接觸針腳數(shù)目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量內(nèi)存的支持較好，而大容量內(nèi)存的分水嶺是4GB這個容量，4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。
  • 關鍵字： DDR3  DDR2  內(nèi)存  CPU  

幾種常見虛擬機應用圖解

【E問E答】單片機如何執(zhí)行代碼命令，單片MCU內(nèi)存如何分配？

  • 　　單片機執(zhí)行指令過程詳解　　單片機執(zhí)行程序的過程，實際上就是執(zhí)行我們所編制程序的過程。即逐條指令的過程。計算機每執(zhí)行一條指令都可分為三個階段進行。即取指令-----分析指令-----執(zhí)行指令?！　∪≈噶畹娜蝿帐牵焊鶕?jù)程序計數(shù)器PC中的值從程序存儲器讀出現(xiàn)行指令，送到指令寄存器。　　分析指令階段的任務是：將指令寄存器中的指令操作碼取出后進行譯碼，分析其指令性質(zhì)。如指令要求操作數(shù)，則尋找操作數(shù)地址?！　∮嬎銠C執(zhí)行程序的過程實際上就是逐條指令地重復上述操作過程，直至遇到停機指令可循環(huán)等待指令?！　∫话阌嬎銠C進
  • 關鍵字： MCU  內(nèi)存  

東芝內(nèi)存出售擬舉辦第3次競標二選一

  • 　　正在進行經(jīng)營重建的日本東芝公司有意出售旗下半導體業(yè)務子公司「東芝內(nèi)存」，目前考慮快則下個月實施第3次競標作業(yè)。 　　東芝打算出售「東芝內(nèi)存」的作業(yè)，19日是第2次競標作業(yè)截止日，預計篩選出2個陣營，然后快則下個月實施第3次競標作業(yè)。 一般認為，此舉目的在于抬高東芝內(nèi)存的出售價碼。 　　東芝于3月底實施的第1次競標作業(yè)，通過競標的有臺灣的鴻海、美國投資基金KKR與日本官民基金日本產(chǎn)業(yè)革新機構合作、南韓SK海力士、美國博通以及西部數(shù)據(jù)。
  • 關鍵字： 東芝  內(nèi)存  

Gartner：2016半導體營收達3435億美元,受惠于內(nèi)存價格大漲

  • 　　《ZDnet》報導，周二 (16 日) 調(diào)研機構顧能 (Gartner) 發(fā)布了 2016 年全球半導體市況報告，英特爾 (INTC-US) 2016 年營收為 540.9 億美元，市占率達 15.7%，依然是全球最大的半導體龍頭，而三星電子 (Samsung Electronics) 及高通 (QCOM-US) 則緊追英特爾之后。 　　據(jù)顧能 2016 半導體市況報告顯示，三星電子 2016 年營收為 401 億美元，市占率為 11.7% 居全球第二，而高通營收則為 154 億美元，市占率為 4.
  • 關鍵字： 半導體  內(nèi)存  

內(nèi)存價格高檔盤旋 英特爾王座岌岌可危

  • 由于內(nèi)存價格短期內(nèi)仍看不到大幅下滑的跡象，在未來幾季，三星電子很可能將首度超越英特爾，成為全球半導體產(chǎn)業(yè)營收最高的公司。
  • 關鍵字： 英特爾  內(nèi)存  

一文看懂3D Xpoint！ 它估將在未來引爆內(nèi)存市場革命

  • 隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲技術逐漸出現(xiàn)，傳統(tǒng)的 NAND Flash 依然有很長的路要走，直到 2025 年，這個技術都是安然無憂的。 因此，NAND Flash 暫時不會被 3D Xpoint 技術取代。
  • 關鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

東芝內(nèi)存業(yè)務競標的最終勝利者不會是出價最高者？

  • 　　東芝(Toshiba)令人垂涎的內(nèi)存業(yè)務第二輪競價即將在幾周內(nèi)展開，但其程序的不透明，暴露了日本政治人物、官僚體系、企業(yè)領導人以及金融圈之間的利益分歧;許多觀察家將這種持續(xù)加深的分歧，歸咎于正折磨著日本半導體產(chǎn)業(yè)的不滿情緒。而且，該競標程序已經(jīng)成為一個高度政治化的焦點，這也是為什么日本媒體對該事件如此關注。 　　不過在指出東芝內(nèi)存業(yè)務競標程序的漏洞之前，我們得看清楚在這場賭局上有哪些玩家：在第一輪競標時，東芝將出價者范圍縮小為僅四家廠商──WD (Western Digital)、Broadcom、
  • 關鍵字： 東芝  內(nèi)存  

新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待

  • 　　內(nèi)存是半導體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性 　　根據(jù)研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進入小量生產(chǎn)階段。 不過
  • 關鍵字： 內(nèi)存  NAND  

2018年內(nèi)存短缺問題將持續(xù)改善

  • 　　近三年來，我一直預測2017年會是閃存(flash)/固態(tài)硬盤(SSD)豐收的一年。然而，由于3D NAND轉(zhuǎn)型步調(diào)緩慢，加上智能手機到服務器等市場的需求旺盛，如今的flash顆粒供應極其吃緊。不僅價格持續(xù)上漲20%或甚至更多，而像個人計算機(PC)等領域的內(nèi)存供應不足更對其銷售數(shù)字帶來沖擊。 　　這讓IT人員得多花一點時間才能接受這一點。畢竟對于計算機儲存而言，SSD會是更快速的解決方案。但我們討論的是更巨大的因素，性能更高千倍以上，因此，你可能會想知道為什么這個市場花了這么久的時間才終于起飛。我
  • 關鍵字： 內(nèi)存  SSD  

新興內(nèi)存百家爭鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前

  • 　　內(nèi)存是半導體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 　　根據(jù)研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進入小量生產(chǎn)階段。 不
  • 關鍵字： 內(nèi)存  DRAM  
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