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手機及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

  • 　　充電和電池管理對智能手機來說，仍是關(guān)鍵的功能，未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無線充電的改進可能大大擴展便攜式產(chǎn)品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機和平板電腦)的設(shè)計都具高能效。安森美半導(dǎo)體專注于這兩大應(yīng)用，提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案，以滿足所有這些產(chǎn)品的功率要求。　　市場對于更快充電時間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用

  • 　　MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用　　用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線基站的系統(tǒng)性能和運營成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。氮化鎵顯而易見的技術(shù)優(yōu)勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為LDMOS的天然繼承者服務(wù)于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高，但是MACOM公司
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無畏氮化鎵角逐中功率市場　碳化硅功率元件/模組商機涌現(xiàn)

  • 　　有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域，商機已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進軍中功率市場。 　　可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備，為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。 　　臺達電技術(shù)長暨總
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松下：力推阻容元件與開發(fā)工具，開關(guān)器件X-GaN效率更高

  • 　　松下被動元件展區(qū)，松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團隊產(chǎn)品市場經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導(dǎo)電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu)，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流。　　ZK和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時。三種類型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合?！　∷上录瘓F汽車&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator，可加速
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最新Qorvo技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動器

  • 　　實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產(chǎn)品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進的通信、雷達和國防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。 　　該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達25 GHz，支持芯片級設(shè)計，通過K頻段應(yīng)用提供頻率更
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基于凌華科技與System Generator的GPS快速捕獲算法的實現(xiàn)與驗證

  • 作者劉恩曉，男，1983.08生人，現(xiàn)為哈爾濱工業(yè)大學(xué)通信技術(shù)研究所博士生在讀，主要研究方向為衛(wèi)星導(dǎo)航接收機及其抗干擾技術(shù)研究應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ш浇邮諜C關(guān)鍵算法的硬件實現(xiàn)挑戰(zhàn)目前在GPS接收機中，對碼的捕獲一般有兩種方
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半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET？

  • 2010年，供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時間的推移，這些器件預(yù)計將逐步應(yīng)用到電動汽車、移動設(shè)備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場上攻城拔寨。
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RIGOL示波器“comparo”彰顯出Smarter System之先進

  • 眾多的產(chǎn)品正向更智能方向發(fā)展，我們必須充分利用All Programmable世界所提供的各種資源，以便在競爭中占得先機。這個道理是我在一次不經(jīng)意的經(jīng)歷中所悟出的。在Dave Jones EEVblog的一個最新視頻中，將普源精電公
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如何應(yīng)對GaN測量挑戰(zhàn)

  • 功耗是當(dāng)今電子設(shè)計以及測試中最熱門也是競爭最激烈的領(lǐng)域之一。這是因為人們對高能效有強烈需求，希望能充分利用電池能量，幫助消減能源帳單，或者支持空間敏感或熱量敏感型應(yīng)用。在經(jīng)過30年的發(fā)展之后，硅MOSFET發(fā)
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中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞

  • 　　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會主任曹健林，廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生，市委副書記、市長梁維東，國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會并見證簽約儀式。 　　副市長楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。 　　為廣東實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
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Dialog加入功率元件市場戰(zhàn)局 GaN應(yīng)用成長可期

  • 　　隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。 　　   　　Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall 　　透過臺積電以六寸晶圓廠的技術(shù)，Dialog推出了DA8801，Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示，該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
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以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

  • 　　德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體... 　　下一代行動無線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組
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